CN204834240U - 一种无公共铁轭磁集成的电抗器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电气系统无源器件技术领域，尤其地涉及一种无公共铁轭磁集成的电抗器。所述电抗器由多个电抗器单元组合构成；所述每个电抗器单元包括独立铁轭、磁芯柱和绕组，独立铁轭和磁芯柱连接并成一体，绕组分布在磁芯柱上；所述每个电抗器单元中的磁芯柱和另一个相邻电抗器单元中的磁芯柱直接叠装连接。采用此结构的电抗器，其能够降低生产成本，降低减小电抗器的体积，电抗器损耗以及提高电抗器的功率密度。
Description
技术领域
本实用新型涉及电气系统无源器件技术领域，尤其地涉及一种无公共铁轭磁集成的电抗器。
背景技术
市场上一些磁集成电抗器结构都是采用多个电抗器单元组成，并且，每个电抗器单元包括上铁轭、下铁轭、磁芯柱和绕组。一个电抗器单元的下铁轭和另一个电抗器单元的上铁轭连接并构成了公共铁轭。各个电抗器单元采用此结构连接方式形成了电抗器。其缺陷在于：由于公共铁轭的存在，最后形成的电抗器的体积比较大、重量重，而且铁心损耗大。使用范围仅限交流与交流磁集成，直流与直流磁集成，并且上下两个集成磁路必须对称，使用使用范围有限。
此问题亟需解决。
实用新型内容
本实用新型为了克服现有技术的不足，其目的旨在提供一种无公共铁轭磁集成的电抗器，其能够降低生产成本，降低减小电抗器的体积，电抗器损耗以及提高电抗器的功率密度。
为了解决上述的技术问题，本实用新型提出的基本技术方案为：
一种无公共铁轭磁集成的电抗器，尤其地，所述电抗器由多个电抗器单元组合构成；所述每个电抗器单元包括独立铁轭、磁芯柱和绕组，独立铁轭和磁芯柱连接并成一体，绕组分布在磁芯柱上；所述每个电抗器单元中的磁芯柱和另一个相邻电抗器单元中的磁芯柱直接叠装连接。
进一步，所述每个电抗器单元中的磁芯柱和另一个电抗器单元中的磁芯柱的直接叠装连接方式为正交叠装连接。
进一步，所述磁芯柱是E型或者U型的磁芯柱。
进一步，所述电抗器由多个基于E型磁芯柱的电抗器单元或者基于U型磁芯柱的电抗器单元任意组合而构成。
进一步，所述电抗器单元为单相电抗器或者三相电抗器。
进一步，所述电抗器单元为直流电抗器或者交流电抗器。
本实用新型的有益效果是：由于每个电抗器单元中的磁芯柱和另一个相邻电抗器单元中的磁芯柱直接叠装连接，避免每个电抗器单元引入公共铁轭部分，从而降低了因加入公共铁轭而引起的磁滞损耗，与此同时，还大大减小电抗器的整体体积和降低生产成本。集成的两个电抗器不受磁路对称，交直流激励等影响，大大扩展了集成电抗器的可应用范围。
附图说明
图1为本实用新型具体实施例一的单相三相间磁集成的电抗器结构示意图。
图2为本实用新型具体实施例一的单相三相间磁集成的电抗器磁通回路示意图。
图3为本实用新型具体实施例二的三相三相间磁集成的电抗器结构示意图。
图4为本实用新型具体实施例二的三相三相间磁集成的电抗器磁通回路示意图。
图5为本实用新型具体实施例三的另一个的三相三相间磁集成的电抗器结构示意图。
图6为本实用新型具体实施例三的另一个的三相三相间磁集成的电抗器磁通回路示意图。
具体实施方式
以下将结合附图1至附图6对本实用新型做进一步的说明，但不应以此来限制本实用新型的保护范围。为了方便说明并且理解本实用新型的技术方案，以下说明所使用的方位词均以附图所展示的方位为准。
实施例一：
如图1和图2所示，电抗器由电抗器单元L1和电抗器单元L2组合构成。电抗器单元L1包括独立铁轭10、磁芯柱11和绕组12。其中，电抗器单元L1的磁芯柱为E型，独立铁轭10和磁芯柱11连接并成一体，绕组12分布在E型磁芯柱11的三个支柱上。电抗器单元L2包括独立铁轭20、磁芯柱21和绕组22。其中，电抗器单元L2的磁芯柱为U型，独立铁轭20和磁芯柱21连接并成一体，绕组22分布在U型磁芯柱21的两个支柱上。值得说明的是，两个相集成电抗器不受芯柱磁路对称，可以是E或U，也可以是三相四柱三项五柱。电抗器单元L1的磁芯柱11直接和电抗器单元L2的磁芯柱21取正交方向，直接叠装连接，从而避免电抗器单元L1和L2引入公共铁轭部分。电抗器单元L1为三相电抗器，电抗器单元L2为单相电抗器，其中，实施例中电抗器的激励源可以是交流激励，也可以是直流激励，本实用新型不受激励源限制。单相电抗器单元L2是直流电抗器或者交流电抗器。所述磁芯柱均采用非晶纳米晶合金材质，非晶纳米晶合金的磁芯柱具有高导磁率和低损耗的特性。采用此材质的磁芯柱，其更好地避免产生电磁干扰现象。如图2所示，电抗器单元L1借助电抗器单元L2的两个支磁芯柱构成闭合磁通回路100。电抗器单元L2借助电抗器单元L1的三个支磁芯柱构成闭合磁通回路101。
实施例二：
如图3和图4所示，电抗器由电抗器单元L3和电抗器单元L4组合构成。电抗器单元L3包括独立铁轭30、磁芯柱31和绕组32。其中，电抗器单元L3的磁芯柱为E型，独立铁轭30和磁芯柱31连接并成一体，绕组32分布在E型磁芯柱31的三个支柱上。电抗器单元L4包括独立铁轭40、磁芯柱41和绕组42。其中，电抗器单元L2的磁芯柱为E型，独立铁轭40和磁芯柱41连接并成一体，绕组42分布在E型磁芯柱41的两个支柱上。电抗器单元L3的磁芯柱31直接和电抗器单元L4的磁芯柱41取正交方向，直接叠装连接，从而避免电抗器单元L3和L4引入公共铁轭部分。电抗器单元L3和L4均为三相电抗器。如图4所示，电抗器单元L3借助电抗器单元L4的三个支磁芯柱构成闭合磁通回路102。电抗器单元L4借助电抗器单元L3的三个支磁芯柱构成闭合磁通回路103。
实施例三：
如图6所示，电抗器由电抗器单元L5、电抗器单元L6和电抗器单元L7组合构成。电抗器单元L5包括独立铁轭50、磁芯柱51和绕组52。其中，电抗器单元L5的磁芯柱为E型，独立铁轭50和磁芯柱51连接并成一体，绕组52分布在E型磁芯柱51的三个支柱上。电抗器单元L6包括磁芯柱61和绕组62。其中，电抗器单元L6的磁芯柱为U型，绕组62分布在U型磁芯柱61的两个支柱上。电抗器单元L7包括独立铁轭70、磁芯柱71和绕组72。其中，电抗器单元L7的磁芯柱为E型，独立铁轭70和磁芯柱71连接并成一体，绕组72分布在E型磁芯柱71的三个支柱上。电抗器单元L5的磁芯柱51直接和电抗器单元L6的磁芯柱61的一端取正交方向直接叠装连接，电抗器单元L7的磁芯柱71直接和电抗器单元L6的磁芯柱61的另一端取正交方向直接叠装连接。采用此结构连接方式，其从而避免电抗器单元L5和L6、L6和L7之间引入公共铁轭部分。电抗器单元L5、L6和L7均为三相电抗器。如图6所示，电抗器单元L5借助电抗器单元L6的两个支磁芯柱构成闭合磁通回路104。电抗器单元L6借助电抗器单元L5和L7的三个支磁芯柱构成闭合磁通回路105。电抗器单元L7借助电抗器单元L6的两个支磁芯柱构成闭合磁通回路106。
综上所述，第一、电抗器可由多个电抗器单元组合构成，其组合连接方式采用E型磁芯柱和U型磁芯柱交错叠装组合构成，因此其不应仅仅局限于实施例所示的两个电抗器单元或者三个电抗器单元的组成方式。第二、由于处于相邻的电抗器单元之间的磁芯柱采取直接正交叠装方式，从而避免引入公共铁轭部分，因此其能够降低生产成本，降低减小电抗器的体积，电抗器损耗以及提高电抗器的功率密度。
根据上述说明书的揭示和教导，本实用新型所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本实用新型并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本实用新型的一些修改和变更也应当落入本实用新型的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本实用新型构成任何限制。
Claims (6)
1.一种无公共铁轭磁集成的电抗器，其特征在于：所述电抗器由多个电抗器单元组合构成；所述每个电抗器单元包括独立铁轭、磁芯柱和绕组，独立铁轭和磁芯柱连接并成一体，绕组分布在磁芯柱上；所述每个电抗器单元中的磁芯柱和另一个相邻电抗器单元中的磁芯柱直接叠装连接。
2.根据权利要求1所述的一种无公共铁轭磁集成的电抗器，其特征在于：所述每个电抗器单元中的磁芯柱和另一个电抗器单元中的磁芯柱的直接叠装连接方式为正交叠装连接。
3.根据权利要求1所述的一种无公共铁轭磁集成的电抗器，其特征在于：所述磁芯柱是E型或者U型的磁芯柱。
4.根据权利要求1或3所述的一种无公共铁轭磁集成的电抗器，其特征在于：所述电抗器由多个基于E型磁芯柱的电抗器单元或者基于U型磁芯柱的电抗器单元任意组合而构成。
5.根据权利要求1所述的一种无公共铁轭磁集成的电抗器，其特征在于：所述电抗器单元为单相电抗器或者三相电抗器。
6.根据权利要求1所述的一种无公共铁轭磁集成的电抗器，其特征在于：所述电抗器单元为直流电抗器或者交流电抗器。
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