CN204810127U - 一种高性能电源电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高性能电源电路，包括芯片IC1、芯片IC3、电容C1和电阻R1，所述芯片IC1的引脚1连接电源E1的正极，芯片IC1的引脚2连接电阻R1、电阻R5、电容C3、MOS管VT1的源极、三极管VT3的集电极、电源E2的正极和芯片IC3的引脚5，MOS管VT1的栅极连接电容C1和芯片IC1的引脚1。本实用新型高性能电源电路采用两个UPS不间断电源作为供电元件，稳定性高，不仅结构简单、采用元件少、体积小、成本低和容易制作等优点，而且电源并机稳压电路的电压稳压效果很好，兼容的电源具有低内阻、抗干扰性强的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电源，具体是一种高性能电源电路。
背景技术
一些特殊用电设备对供电电压的要求很高，需要不间断电源和并机稳压技术。但是现有技术中的电源并机稳压电路，结构复杂、采用元件多、体积庞大，噪声干扰大，并且制作成本高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种结构简单、制作成本低的高性能电源电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种高性能电源电路，包括芯片IC1、芯片IC3、电容C1和电阻R1，所述芯片IC1的引脚1连接电源E1的正极，芯片IC1的引脚2连接电阻R1、电阻R5、电容C3、MOS管VT1的源极、三极管VT3的集电极、电源E2的正极和芯片IC3的引脚5，MOS管VT1的栅极连接电容C1和芯片IC1的引脚1，芯片IC1的引脚3连接电阻R1的另一端，电容C1的另一端连接电阻R6、电阻R7、电容C3、电容C4、二极管D1的阴极、MOS管VT2的漏极、三极管VT3的发射极、三极管VT4的发射极、芯片IC3的引脚2、芯片IC4的引脚2和输出电压Vout，MOS管VT1的漏极连接二极管D1的阳极，电源E的负极连接电阻R2和芯片IC2的引脚2，电阻R2的另一端连接芯片IC2的引脚3，芯片IC2的引脚1连接电阻R8、电容C2、电容C4、三极管VT4的发射极和电源E2的负极，电容C2的另一端连接MOS管VT2的栅极和芯片IC4的引脚3，二极管D2的阳极连接MOS管VT2的源极，芯片IC3的引脚3连接电阻R5的另一端和电阻R6的另一端，芯片IC4的引脚3连接电阻R7的另一端和电阻R8的另一端，芯片IC3的引脚3连接电阻R3，电阻R3的另一端连接三极管VT3的基极，芯片IC4的引脚3连接电阻R4，电阻R4的另一端连接三极管VT4的基极。
作为本实用新型的优选方案：所述芯片IC1和芯片IC2均为7812三端稳压器。
作为本实用新型的优选方案：所述芯片IC3和芯片IC4的型号均为LM321。
作为本实用新型的优选方案：所述二极管D1和二极管D2均为发光二极管。
作为本实用新型的优选方案：所述电源E1和电源E2均为UPS电源。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型高性能电源电路采用两个UPS不间断电源作为供电元件，稳定性高，不仅结构简单、采用元件少、体积小、成本低和容易制作等优点，而且电源并机稳压电路的电压稳压效果很好，兼容的电源具有低内阻、抗干扰性强的优点。
附图说明
图1为高性能电源电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，一种高性能电源电路，包括芯片IC1、芯片IC3、电容C1和电阻R1，所述芯片IC1的引脚1连接电源E1的正极，芯片IC1的引脚2连接电阻R1、电阻R5、电容C3、MOS管VT1的源极、三极管VT3的集电极、电源E2的正极和芯片IC3的引脚5，MOS管VT1的栅极连接电容C1和芯片IC1的引脚1，芯片IC1的引脚3连接电阻R1的另一端，电容C1的另一端连接电阻R6、电阻R7、电容C3、电容C4、二极管D1的阴极、MOS管VT2的漏极、三极管VT3的发射极、三极管VT4的发射极、芯片IC3的引脚2、芯片IC4的引脚2和输出电压Vout，MOS管VT1的漏极连接二极管D1的阳极，电源E的负极连接电阻R2和芯片IC2的引脚2，电阻R2的另一端连接芯片IC2的引脚3，芯片IC2的引脚1连接电阻R8、电容C2、电容C4、三极管VT4的发射极和电源E2的负极，电容C2的另一端连接MOS管VT2的栅极和芯片IC4的引脚3，二极管D2的阳极连接MOS管VT2的源极，芯片IC3的引脚3连接电阻R5的另一端和电阻R6的另一端，芯片IC4的引脚3连接电阻R7的另一端和电阻R8的另一端，芯片IC3的引脚3连接电阻R3，电阻R3的另一端连接三极管VT3的基极，芯片IC4的引脚3连接电阻R4，电阻R4的另一端连接三极管VT4的基极。
芯片IC1和芯片IC2均为7812三端稳压器。芯片IC3和芯片IC4的型号均为LM321。二极管D1和二极管D2均为发光二极管。电源E1和电源E2均为UPS电源。
本实用新型的工作原理是：三端稳压器IC1和三端稳压器IC2分别与电阻R1和电阻R2构成一个恒流值为560mA的恒流电路，提供整个回路的总电流；MOS管VT1和MOS管VT2分别为发光二极管D1和发光二极管D2提供一个恒定电流，在发光二极管D1和发光二极管D2的两端得到一个噪声很低的稳定基准电压。芯片IC3和芯片IC4分别控制三极管VT3和三极管VT4的电流，从而使输出电压Vout恒定在某一设定值。电路采用两个UPS不间断电源作为供电元件，稳定性高，不仅结构简单、采用元件少、体积小、成本低和容易制作等优点，而且电源并机稳压电路的电压稳压效果很好，兼容的电源具有低内阻、抗干扰性强的优点。
Claims (5)
1.一种高性能电源电路，包括芯片IC1、芯片IC3、电容C1和电阻R1；其特征在于，所述芯片IC1的引脚1连接电源E1的正极，芯片IC1的引脚2连接电阻R1、电阻R5、电容C3、MOS管VT1的源极、三极管VT3的集电极、电源E2的正极和芯片IC3的引脚5，MOS管VT1的栅极连接电容C1和芯片IC1的引脚1，芯片IC1的引脚3连接电阻R1的另一端，电容C1的另一端连接电阻R6、电阻R7、电容C3、电容C4、二极管D1的阴极、MOS管VT2的漏极、三极管VT3的发射极、三极管VT4的发射极、芯片IC3的引脚2、芯片IC4的引脚2和输出电压Vout，MOS管VT1的漏极连接二极管D1的阳极，电源E的负极连接电阻R2和芯片IC2的引脚2，电阻R2的另一端连接芯片IC2的引脚3，芯片IC2的引脚1连接电阻R8、电容C2、电容C4、三极管VT4的发射极和电源E2的负极，电容C2的另一端连接MOS管VT2的栅极和芯片IC4的引脚3，二极管D2的阳极连接MOS管VT2的源极，芯片IC3的引脚3连接电阻R5的另一端和电阻R6的另一端，芯片IC4的引脚3连接电阻R7的另一端和电阻R8的另一端，芯片IC3的引脚3连接电阻R3，电阻R3的另一端连接三极管VT3的基极，芯片IC4的引脚3连接电阻R4，电阻R4的另一端连接三极管VT4的基极。
2.根据权利要求1所述的一种高性能电源电路，其特征在于，所述芯片IC1和芯片IC2均为7812三端稳压器。
3.根据权利要求1所述的一种高性能电源电路，其特征在于，所述芯片IC3和芯片IC4的型号均为LM321。
4.根据权利要求1所述的一种高性能电源电路，其特征在于，所述二极管D1和二极管D2均为发光二极管。
5.根据权利要求1所述的一种高性能电源电路，其特征在于，所述电源E1和电源E2均为UPS电源。
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2015
- 2015-07-07 CN CN201520504869.XU patent/CN204810127U/zh not_active Expired - Fee Related
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