CN204795014U - 一种基于快速驱动电路的数字中频处理系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于快速驱动电路的数字中频处理系统,包括施主天线、用户天线、DT端双工器、MT端双工器、中继端单元、远端单元、5类网线以及低频滤波单元;所述的施主天线与DT端双工器相连,用户天线则与MT端双工器相连,DT端双工器依次与中继端单元、5类网线、远端单元相连接,而低频滤波单元则串接在MT端双工器和远端单元之间;其特征在于:在MT端双工器和远端单元之间还串接有快速驱动电路;本实用新型不仅能长时间工作,而且其处理速度、精确度和灵活性均有很大的提高。同时,本实用新型通过快速驱动电路的作用,可以提高处理效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种数字处理系统,具体是指一种基于快速驱动电路的数字中频处理系统。
背景技术
随着软件无线电技术和数字信号处理相关器件的快速发展,中频处理模块逐渐从传统的模拟中频过渡到数字中频,目前,数字信号处理已经应用于几乎所有含有微波器件的电子系统中,为人们的生活、生产提供了很大的便利。然而,传统的数字中频处理系统在长时间进行数据处理时,会出现处理速度变慢的情况,影响工作效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服传统的数字中频处理系统在长时间进行数据处理时,会出现处理速度变慢的缺陷,提供一种基于快速驱动电路的数字中频处理系统。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现:一种基于快速驱动电路的数字中频处理系统,包括施主天线、用户天线、DT端双工器、MT端双工器、中继端单元、远端单元、5类网线以及低频滤波单元;所述的施主天线与DT端双工器相连,用户天线则与MT端双工器相连,DT端双工器依次与中继端单元、5类网线、远端单元相连接,而低频滤波单元则串接在MT端双工器和远端单元之间,同时,在MT端双工器和远端单元之间之间还串接有快速驱动电路。
进一步的,所述的快速驱动电路由三极管Q3,三极管Q5,三极管Q4,场效应管MOS1,正极与场效应管MOS1的漏极相连接、负极则经电阻R6和电阻R7后与场效应管MOS1的源极相连接的电容C3,与电阻R7相并联的电容C4,P极与电阻R6和电阻R7的连接点相连接、N极则经电阻R9和电容C5后与场效应管MOS1的栅极相连接的二极管D2,一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端则经电阻R10后与三极管Q3的集电极相连接的电阻R8,以及一端与三极管Q5的基极相连接、另一端则作为该快速驱动电路的输出端的电阻R11组成;所述电容C3的负极作为该快速驱动电路的输入端;三极管Q3的发射极与三极管Q5的集电极相连接的同时接地、其集电极则与三极管Q4的发射极相连接、其基极则与三极管Q5的发射极相连接;所述三极管Q4的集电极与二极管D2的N极相连接、其基极则与三极管Q3的基极相连接。
所述的低频滤波单元由放大器P1,放大器P2,三极管Q1,三极管Q2,一端经电阻R3后与放大器P1的正极相连接、另一端则作为该低频滤波单元的输入端的电阻R1,负极与三极管Q1的基极相连接、正极则经电阻R2和电阻R4后与放大器P1的负极相连接的电容C1,N极与三极管Q1的集电极相连接、P极则与三极管Q2的发射极相连接的二极管D1,一端与放大器P1的输出端相连接、另一端则与放大器P2的输出端相连接的电阻R5,以及正极与放大器P1的输出端相连接、负极则与放大器P2的正极相连接的电容C2组成;所述电阻R2和电阻R4的连接点和三极管Q1的发射极均接地;所述三极管Q2的发射与放大器P1的输出端相连接、其集电极接地、其基极则与放大器P2的负极相连接;该放大器P2的输出端则作为该低频滤波单元的输出端。
所述的中继端单元包括中继端接口单元、上行上变频单元以及下行下变频单元,所述上行上变频单元的输入端与中继端接口单元的输出端相连接,其输出端则与DT端双工器的输入端相连接;下行下变频单元的输出端与中继端接口单元的输入端相连接,其输入端与DT端双工器的输出端相连接。
所述的远端单元包括远端接口单元、下行上变频单元以及上行下变频单元;所述上行下变频单元的输入端与快速驱动电路的输出端相连接,其输出端则与远端接口单元的输入端相连接;下行上变频单元的输入端与远端接口单元的输出端相连接,其输出端则与低频滤波单元的输入端相连接;该低频滤波单元的输出端则与MT端双工器的输入端相连接,而MT端双工器的输出端则与快速驱动电路的输入端相连接;所述远端接口单元通过5类网线与中继端接口单元相连接。
本实用新型较现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
(1)本实用新型不仅能长时间工作,而且其处理速度、精确度和灵活性均有很大的提高。
(2)本实用新型能够在输入信号幅度变化较大的情况下保持输出信号在一个很小的变化范围内。
(3)本实用新型还能确保在输入信号强度很弱的时候,也仍然能接收到信号,从而防止信号丢失。
(4)本实用新型通过低频滤波单元的作用,可以过滤掉来自系统自身的干扰因素,使本实用新型更加稳定。
(5)本实用新型通过快速驱动电路的作用,可以提高处理效率。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图。
图2为本实用新型低频滤波单元的电路图。
图3为本实用新型快速驱动电路的电路结构图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明,但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示,本实用新型包括施主天线、用户天线、DT端双工器、MT端双工器、中继端单元、远端单元、5类网线以及低频滤波单元;所述的施主天线与DT端双工器相连,用户天线则与MT端双工器相连,DT端双工器依次与中继端单元、5类网线、远端单元相连接,而低频滤波单元则串接在MT端双工器和远端单元之间,为了达到本实用新型的目的,本实用新型在MT端双工器和远端单元之间之间还串接有快速驱动电路。
如图2所示,该低频滤波单元由放大器P1,放大器P2,三极管Q1,三极管Q2,二极管D1,电容C1,电容C2,电阻R1,电阻R2,电阻R3,电阻R4以及电阻R5组成。
为了实现其滤波功能,该电阻R1的一端经电阻R3后与放大器P1的正极相连接、其另一端则作为该低频滤波单元的输入端,电容C1的负极与三极管Q1的基极相连接、其正极则经电阻R2和电阻R4后与放大器P1的负极相连接,二极管D1的N极与三极管Q1的集电极相连接、其P极则与三极管Q2的发射极相连接,电阻R5的一端与放大器P1的输出端相连接、其另一端则与放大器P2的输出端相连接,电容C2的正极与放大器P1的输出端相连接、其负极则与放大器P2的正极相连接。
同时,该电阻R2和电阻R4的连接点和三极管Q1的发射极均接地。所述三极管Q2的发射与放大器P1的输出端相连接、其集电极接地、其基极则与放大器P2的负极相连接。该放大器P2的输出端则作为该低频滤波单元的输出端。
快速驱动电路则为本实用新型的重点所在,如图3所示,其由三极管Q3,三极管Q5,三极管Q4,场效应管MOS1,电容C3,电容C4,电容C5,三极管D2,电阻R6,电阻R7,电阻R8,电阻R9,电阻R10以及电阻R11组成。
连接时,电容C3的正极与场效应管MOS1的漏极相连接、其负极则经电阻R6和电阻R7后与场效应管MOS1的源极相连接,电容C4则与电阻R7相并联,二极管D2的P极与电阻R6和电阻R7的连接点相连接、其N极则经电阻R9和电容C5后与场效应管MOS1的栅极相连接,电阻R8的一端与场效应管MOS1的栅极相连接、其另一端则经电阻R10后与三极管Q3的集电极相连接,电阻R11的一端与三极管Q5的基极相连接、其另一端则作为该快速驱动电路的输出端。
所述电容C3的负极作为该快速驱动电路的输入端。三极管Q3的发射极与三极管Q5的集电极相连接的同时接地、其集电极则与三极管Q4的发射极相连接、其基极则与三极管Q5的发射极相连接。所述三极管Q4的集电极与二极管D2的N极相连接、其基极则与三极管Q3的基极相连接。
其中,中继端单元包括中继端接口单元、上行上变频单元以及下行下变频单元,所述上行上变频单元的输入端与中继端接口单元的输出端相连接,其输出端则与DT端双工器的输入端相连接;下行下变频单元的输出端与中继端接口单元的输入端相连接,其输入端与DT端双工器的输出端相连接。
所述的远端单元包括远端接口单元、下行上变频单元以及上行下变频单元。连接时,所述上行下变频单元的输入端与快速驱动电路的输出端相连接,其输出端则与远端接口单元的输入端相连接;下行上变频单元的输入端与远端接口单元的输出端相连接,其输出端则与低频滤波单元的输入端相连接;该低频滤波单元的输出端则与MT端双工器的输入端相连接,而MT端双工器的输出端则与快速驱动电路的输入端相连接。所述远端接口单元通过5类网线与中继端接口单元相连接。
运行时,来自基站的下行信号从施主天线馈入到DT端双工器,DT端双工器的输出信号依次通过下行下变频单元、中继端接口单元、5类网线、远端接口单元、下行上变频单元、低频滤波单元,最后通过MT端双工器后从用户天线进行室内射频信号的覆盖。来自移动用户的上行信号由用户天线馈入到MT端双工器,MT端双工器的输出信号依次通过快速驱动电路、上行下变频单元、远端接口单元、5类网线、中继端接口单元、上行上变频单元、DT端双工器、最后由施主天线传输给基站。
如上所述,便可以很好的实现本实用新型。
Claims (4)
1.一种基于快速驱动电路的数字中频处理系统,包括施主天线、用户天线、DT端双工器、MT端双工器、中继端单元、远端单元、5类网线以及低频滤波单元;所述的施主天线与DT端双工器相连,用户天线则与MT端双工器相连,DT端双工器依次与中继端单元、5类网线、远端单元相连接,而低频滤波单元则串接在MT端双工器和远端单元之间;其特征在于:在MT端双工器和远端单元之间之间还串接有快速驱动电路;所述的快速驱动电路由三极管Q3,三极管Q5,三极管Q4,场效应管MOS1,正极与场效应管MOS1的漏极相连接、负极则经电阻R6和电阻R7后与场效应管MOS1的源极相连接的电容C3,与电阻R7相并联的电容C4,P极与电阻R6和电阻R7的连接点相连接、N极则经电阻R9和电容C5后与场效应管MOS1的栅极相连接的二极管D2,一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端则经电阻R10后与三极管Q3的集电极相连接的电阻R8,以及一端与三极管Q5的基极相连接、另一端则作为该快速驱动电路的输出端的电阻R11组成;所述电容C3的负极作为该快速驱动电路的输入端;三极管Q3的发射极与三极管Q5的集电极相连接的同时接地、其集电极则与三极管Q4的发射极相连接、其基极则与三极管Q5的发射极相连接;所述三极管Q4的集电极与二极管D2的N极相连接、其基极则与三极管Q3的基极相连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于快速驱动电路的数字中频处理系统,其特征在于:所述的低频滤波单元由放大器P1,放大器P2,三极管Q1,三极管Q2,一端经电阻R3后与放大器P1的正极相连接、另一端则作为该低频滤波单元的输入端的电阻R1,负极与三极管Q1的基极相连接、正极则经电阻R2和电阻R4后与放大器P1的负极相连接的电容C1,N极与三极管Q1的集电极相连接、P极则与三极管Q2的发射极相连接的二极管D1,一端与放大器P1的输出端相连接、另一端则与放大器P2的输出端相连接的电阻R5,以及正极与放大器P1的输出端相连接、负极则与放大器P2的正极相连接的电容C2组成;所述电阻R2和电阻R4的连接点和三极管Q1的发射极均接地;所述三极管Q2的发射与放大器P1的输出端相连接、其集电极接地、其基极则与放大器P2的负极相连接;该放大器P2的输出端则作为该低频滤波单元的输出端。
3.根据权利要求2所述的一种基于快速驱动电路的数字中频处理系统,其特征在于:所述的中继端单元包括中继端接口单元、上行上变频单元及下行下变频单元,所述上行上变频单元的输入端与中继端接口单元的输出端相连接,其输出端则与DT端双工器的输入端相连接;下行下变频单元的输出端与中继端接口单元的输入端相连接,其输入端与DT端双工器的输出端相连接。
4.根据权利要求3所述的一种基于快速驱动电路的数字中频处理系统,其特征在于:所述的远端单元包括远端接口单元、下行上变频单元以及上行下变频单元;所述上行下变频单元的输入端与快速驱动电路的输出端相连接,其输出端则与远端接口单元的输入端相连接;下行上变频单元的输入端与远端接口单元的输出端相连接,其输出端则与低频滤波单元的输入端相连接;该低频滤波单元的输出端则与MT端双工器的输入端相连接,而MT端双工器的输出端则与快速驱动电路的输入端相连接;所述远端接口单元通过5类网线与中继端接口单元相连接。
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