CN204793212U - 一种低驻波比高交叉极化馈源头 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种低驻波比高交叉极化馈源头,包括辐射口、腔体和90度转换器;腔体的一端与辐射口连接,另一端与90度转换器连接,腔体内设有隔离针、圆矩转换器和凹槽;90度转换器与腔体内的圆矩转换器连接,腔体上还设有第一端口,90度转换器上设有第二端口。本实用新型馈源头采用分体结构,通过数控设备加工,产品一致性好,电性能指标能保证,加上装配工艺简单,特别适合批量生产。
Description
技术领域
本实用新型属于微波天线技术领域,具体是一种低驻波比高交叉极化馈源头。
背景技术
目前的双极化馈源头多为一体结构,通过拉伸、加工、焊接完成,制造工艺复杂,焊接容易造成变形,产品一致性差,电性能指标难以保证,很难达到低驻波比高交叉极化馈源的电性能指标要求,也不利于批量生产。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种低驻波比高交叉极化馈源头,采用分体结构,通过仿真设计,结构紧凑,整个馈源头通过数控设备加工,产品一致性好,电性能指标得到保证,加上装配工艺简单,特别适合批量生产。
实现本实用新型目的的技术方案是:
一种低驻波比高交叉极化馈源头,包括辐射口、腔体和90度转换器;腔体的一端与辐射口连接,另一端与90度转换器连接,腔体内设有隔离针、圆矩转换器和凹槽;90度转换器与腔体内的圆矩转换器连接,腔体上还设有第一端口,90度转换器上设有第二端口。
所述第一端口和第二端口在同侧,减少与他们连接的波导管的加工难度且尺寸更易得到控制,腔体内设有凹槽,可改善电性能指标。
所述辐射口设有密封圈,辐射口和腔体通过螺钉连接,辐射口和腔体之间设有隔离膜,隔离膜通过密封胶置于两者之间。
所述圆矩转换器与腔体通过销钉连接。
所述90度转换器与腔体通过螺钉连接,90度转换器与腔体的连接处设有密封圈密封。
本实用新型馈源头采用分体结构,通过数控设备加工,产品一致性好,电性能指标能保证,加上装配工艺简单,特别适合批量生产。
附图说明
图1为本实用新型的主视图;
图2为图1的剖视图。
图中,1.辐射口2.腔体3.圆矩转换器4.90度转换器5.隔离膜6.螺钉7.密封圈8.隔离针9.销钉10.凹槽11.第一端口12.第二端口。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型内容作进一步的说明,但不是对本实用新型的限定。
实施例
参照图1-2,一种低驻波比高交叉极化馈源头,包括辐射口1、腔体2和90度转换器4;腔体2的一端与辐射口1连接,另一端与90度转换器4连接,腔体2内设有隔离针8、圆矩转换器3和凹槽10;90度转换器4与腔体2内的圆矩转换器3连接,腔体2上还设有第一端口11,90度转换器4上设有第二端口12,第一端口11和第二端口12在同侧。
所述辐射口1设有密封圈7,辐射口1和腔体2通过螺钉6连接,辐射口1和腔体2之间设有隔离膜5,隔离膜5通过密封胶置于两者之间。
所述圆矩转换器3与腔体2通过销钉9连接。
所述90度转换器4与腔体2通过螺钉6连接,90度转换器4与腔体2的连接处设有密封圈7密封。
Claims (5)
1.一种低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:馈源头包括辐射口(1)、腔体(2)和90度转换器(4);腔体(2)的一端与辐射口(1)连接,另一端与90度转换器(4)连接,腔体(2)内设有隔离针(8)、圆矩转换器(3)和凹槽(10);90度转换器(4)与腔体(2)内的圆矩转换器(3)连接,腔体(2)上还设有第一端口(11),90度转换器(4)上设有第二端口(12)。
2.根据权利要求1所述的低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:所述第一端口(11)和第二端口(12)在同侧。
3.根据权利要求1所述的低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:所述辐射口(1)设有密封圈(7),辐射口(1)和腔体(2)通过螺钉(6)连接,辐射口(1)和腔体(2)之间设有隔离膜(5),隔离膜(5)通过密封胶置于两者之间。
4.根据权利要求1所述的低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:所述圆矩转换器(3)与腔体(2)通过销钉(9)连接。
5.根据权利要求1所述的低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:所述90度转换器(4)与腔体(2)通过螺钉(6)连接,90度转换器(4)与腔体(2)的连接处设有密封圈(7)密封。
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CN201520517132.1U CN204793212U (zh) | 2015-07-17 | 2015-07-17 | 一种低驻波比高交叉极化馈源头 |
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CN201520517132.1U CN204793212U (zh) | 2015-07-17 | 2015-07-17 | 一种低驻波比高交叉极化馈源头 |
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CN201520517132.1U Active CN204793212U (zh) | 2015-07-17 | 2015-07-17 | 一种低驻波比高交叉极化馈源头 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104953294A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-09-30 | 桂林安德立通信技术有限公司 | 一种低驻波比高交叉极化馈源头 |
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- 2015-07-17 CN CN201520517132.1U patent/CN204793212U/zh active Active
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