CN204680001U - 一种stm32芯片程序烧写电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种STM32芯片程序烧写电路，STM32芯片上包括UART_TX、SWDIO、SWCLK、UART_RX；UART_TX与SWDIO相连；SWDIO还分别与二极管D1的正极、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管D1的负极分别与第一电容C1的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FB1的一端、第一电阻R1的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FB1的另一端与传输端TX相接，第一电阻R1的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压。本实用新型结构简单，利用控制器本身的通信线束，在不影响原有通信的情况下实现程序烧写，无需增加额外的烧写线束，不但节省了成本，也节约了空间。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种程序烧写电路，具体地说是STM32芯片程序烧写电路。
背景技术
目前常用STM32电动自行车方案控制器，为了以后程序修改方便，程序烧写需要单独一个线束，需要额外增加成本。
实用新型内容
发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种利用控制器本身的通信线束，在不额外增加线束的情况下实现程序烧写且不影响原有通信的STM32芯片程序烧写电路。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为一种STM32芯片程序烧写电路，STM32芯片上包括UART_TX、SWDIO、SWCLK、UART_RX；
UART_TX与SWDIO相连；
SWDIO还分别与二极管D1的正极、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管D1的负极分别与第一电容C1的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FB1的一端、第一电阻R1的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FB1的另一端与传输端TX相接，第一电阻R1的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压；
SWCLK分别与UART_RX、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端相接，第四电阻R4的另一端与第三电容C3的一端以及第二磁珠FB2的一端相接，第三电容C3的另一端接地，第二磁珠FB2的另一端与接收端RX相接，第五电阻R5的另一端接地。
所述第一电阻R1的阻值为1KΩ。
所述第二电阻R2的阻值为1KΩ。
所述第三电阻R3的阻值为4.7KΩ。
所述第四电阻R4的阻值为2KΩ。
所述第五电阻R1的阻值为10KΩ。
本实用新型利用STM32芯片的通信口UART_RX与程序烧写口时钟信号SWCLK连接,UART_TX与程序烧写口数据信号SWDIO连接,通过相应的电路转换实现利用通信线束烧写芯片程序。
有益效果：本实用新型结构简单，利用控制器本身的通信线束，在不影响原有通信的情况下实现程序烧写，无需增加额外的烧写线束，不但节省了成本，也节约了空间。
附图说明
图1为本实用新型结电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。
如图1所示，一种STM32芯片程序烧写电路，STM32芯片上包括UART_TX、SWDIO、SWCLK、UART_RX；
UART_TX与SWDIO相连；
SWDIO还分别与二极管D1的正极、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管D1的负极分别与第一电容C1的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FB1的一端、第一电阻R1的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FB1的另一端与传输端TX相接，第一电阻R1的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压；
SWCLK分别与UART_RX、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端相接，第四电阻R4的另一端与第三电容C3的一端以及第二磁珠FB2的一端相接，第三电容C3的另一端接地，第二磁珠FB2的另一端与接收端RX相接，第五电阻R5的另一端接地。
其中第一电阻R1的阻值为1KΩ，第二电阻R2的阻值为1KΩ，第三电阻R3的阻值为4.7KΩ，第四电阻R4的阻值为2KΩ，第五电阻R1的阻值为10KΩ。
工作原理：
1、UART_TX与SWDIO连接，
1)UART_TX发送高电平数据时，三极管Q不导通，TX传输端口为5V高电平。
2)UART_TX发送低电平数据时，三极管Q导通，TX传输端为0V低电平。
3)烧写程序，当数据为低电平时，因为二极管D1和第一电容C1的原因，SWDIO端也为低电平。
4)烧写程序，当数据为高电平时，由于SWDIO端上拉，SWDIO也为高电平。
2、UART_RX与SWCLK连接。
1)UART_RX接收高电平数据时，RX接收端为5V高电平。
2)UART_RX接收低电平数据时，RX接收端为0V低电平。
3)烧写程序，当时钟信号为低电平时，SWDIO端也为低电平。
4)烧写程序，当时钟信号为高电平时，SWDIO也为高电平。
通过上述的电路转换，可以实现利用通讯线束烧写芯片程序。而不需要而外增加烧写口线束，节约了成本，方便了生产。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于：STM32芯片上包括UART_TX、SWDIO、SWCLK、UART_RX；
UART_TX与SWDIO相连；
SWDIO还分别与二极管D1的正极、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管D1的负极分别与第一电容C1的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FB1的一端、第一电阻R1的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FB1的另一端与传输端TX相接，第一电阻R1的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压；
SWCLK分别与UART_RX、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端相接，第四电阻R4的另一端与第三电容C3的一端以及第二磁珠FB2的一端相接，第三电容C3的另一端接地，第二磁珠FB2的另一端与接收端RX相接，第五电阻R5的另一端接地。
2.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于：所述第一电阻R1的阻值为1KΩ。
3.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于：所述第二电阻R2的阻值为1KΩ。
4.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于：所述第三电阻R3的阻值为4.7KΩ。
5.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于：所述第四电阻R4的阻值为2KΩ。
6.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于：所述第五电阻R1的阻值为10KΩ。
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|---|---|---|---|
| CN201520368417.3U CN204680001U (zh) | 2015-06-01 | 2015-06-01 | 一种stm32芯片程序烧写电路 |
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| CN201520368417.3U CN204680001U (zh) | 2015-06-01 | 2015-06-01 | 一种stm32芯片程序烧写电路 |
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| CN204680001U true CN204680001U (zh) | 2015-09-30 |
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|---|---|
| CN (1) | CN204680001U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107526606A (zh) * | 2016-06-21 | 2017-12-29 | 无锡华润矽科微电子有限公司 | 实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统及方法 |
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2015
- 2015-06-01 CN CN201520368417.3U patent/CN204680001U/zh active Active
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| CN107526606A (zh) * | 2016-06-21 | 2017-12-29 | 无锡华润矽科微电子有限公司 | 实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统及方法 |
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