CN204631676U - 一种电流控制电路和一种电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种电流控制电路和一种电子设备，其中电流控制电路包括开机限流电路，该开机限流电路的输入端接，开机限流电路的输出端接系统端；还包括若干路负载限流电路，每路负载限流电路的输入端均与上电端电连接，每路负载限流电路的输出端均系统端电连接，每路负载限流电路还连接一个使能端，该使能端的初始状态为低电平。本实用新型的电流控制电路使用时，对系统的不同工作状态均做了限流控制，即对系统开机状态，以及每路负载的电流，均设置了限流电路，从而降低了系统的损耗；同时在不同工作状态下，系统均可安全运行。而设有本实用新型的电流控制电路的电子设备的系统消耗低，系统保护得到提高。

Description

一种电流控制电路和一种电子设备

技术领域

本实用新型涉及电源控制电路技术领域，尤其涉及一种电流控制电路和一种电子设备。

背景技术

目前的电源控制电路的限流不是根据系统不同的工作状态进行设定的，若在某一负载运行的情况下，系统的电流远远超过此时系统运行的最低电流，则系统造成了严重的损耗。而且各负载未具备有针对性的限流电流，则存在着过流所导致的安全隐患。

实用新型内容

本实用新型的第一目的在于提供一种电流控制电路，该电流控制电路根据系统工作状态的不同分别设置了限流控制，从而降低了系统的损耗，也提高了不同工作状态下对系统的保护。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种电流控制电路包括开机限流电路，所述开机限流电路的输入端接上电端，所述开机限流电路的输出端接系统端；还包括若干路负载限流电路，每路所述负载限流电路的输入端均与所述上电端电连接，每路所述负载限流电路的输出端均所述系统端电连接，每路所述负载限流电路还连接一个使能端，所述使能端初始状态为低电平。

优选方式为，所述开机限流电路包括一级晶体管和二级晶体管，所述一级晶体管的输入端与所述上电端电连接，所述一级晶体管的输出端与所述系统端电连接，所述一级晶体管的输入端和控制端之间串接第一电阻，所述一级晶体管的控制端经第二电阻与所述二级晶体管的输出端电连接，所述二级晶体管的输入端经第三电阻与所述上电端电连接，所述二级晶体管的控制端接地。

优选方式为，所述二级晶体管的输入端还经第四电阻接地。

优选方式为，所述一级晶体管为场效应管，所述场效应管的源极为输入端，所述场效应管的漏极为输出端，所述场效应管的栅极为控制端，所述二级晶体 管为三极管，所述三极管的基极为输入端，所述三极管的集电极为输出端，所述三极管的发射极接地。

优选方式为，每路所述负载限流电路均包括一级开关管和二级开关管，所述一级开关管的输入端与所述上电端电连接，所述一级开关管的输出端与所述系统端电连接，所述一级开关管的输入端和控制端之间串接有第五电阻，所述一级开关管的控制端经第六电阻与所述二级开关管的输出端电连接，所述二级开关管的输入端经第七电阻与所述使能端电连接，所述二级开关管的控制端接地。

优选方式为，每路所述负载限流电路均包括一级开关管和二级开关管，所述一级开关管的输入端与所述上电端电连接，所述一级开关管的输出端与所述系统端电连接，所述一级开关管的输入端和控制端之间串接有第八电阻，所述一级开关管的控制端与所述二级开关管的输出端电连接，所述二级开关管的输入端与将第九电阻与所述使能端电连接，所述二级开关管的输入端和控制端之间串接有第十电阻。

优选方式为，所述一级开关管为场效应管，所述场效应管的源极为输入端，所述场效应管的漏极为输出端，所述场效应管的栅极为控制端，所述二级开关为三极管，所述三极管的基极为输入端，所述三极管的集电极为输出端，所述三极管的发射极接地。

本实用新型的第二目的在于提供一种电子设备，该电子设备根据系统工作状态的不同分别设置了限流控制，从而降低了设备系统的损耗，也提高了设备不同工作状态下对系统的保护。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种电子设备，所述电子设备包括上述的电流控制电路。

采用上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：由于本实用新型的电流控制电路包括开机限流电路，该开机限流电路的输入端接上电端，开机限流电路的输出端接系统端；该开机限流电路是系统在开机状态时受到限流控制，从而使系统开机状态的消耗得到控制，以及提高了对系统开机状态的保护。本实用新型还包括若干路负载限流电路，每路负载限流电路的输入端均与上电端电 连接，每路负载限流电路的输出端均与系统端电连接，每路负载还连接一个使能端，该使能端的初始状态为低电平，使上电初期不能自动启动。本实用新型的电流控制电路为每路负载均设置了一个负载限流电路，使每路负载的电流均得到控制，从而使系统的消耗得到控制，也提高了每路负载运行时对系统的保护。而且每路负载限流电路的使能端的初始状态为低电平，使系统运行稳定，不会发生混乱。而包括本实用新型的电流控制电路的电子设备，其各工作状态均受到限流控制，其系统的损耗低，也提高了系统的保护。

综上所述，本实用新型的电流控制电路相比于现有技术，解决了电源控制电路的电流为受控，导致系统损耗大、保护措施不高的技术问题；本实用新型的电流控制电路可以根据系统工作状态的不同，分别进行限流控制，从而降低了系统的损耗，并且针对不同工作状态的限流，提高了对系统的保护。

附图说明

图1是本实用新型电流控制电路的原理框图；

图2是本实用新型的一种负载限流电路的电路图；

图3是实施例的电流控制电路的电路图；

图中：1—开机限流电路、2—第一路负载限流电路、3—第二路负载限流电路。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，一种电流控制电路包括开机限流电路，开机限流电路的输入端接上电端VDD_IN，开机限流电路的输出端接系统端SYSTEM；还包括多路负载限流电路，每路负载限流电路的输入端均与上电端VDD_IN电连接，每路负载限流电路的输出端均系统端SYSTEM电连接，每路负载限流电路还连接一个使能端CONTROL，该使能端CONTROL的初始状态为低电平。

如图3所示，本实用新型的开机限流电路1包括一级晶体管和二级晶体管，其中一级晶体管优选场效应管MOS1，场效应管MOS1的源极为输入端，场效应管 MOS1的漏极为输出端，场效应管MOS1的栅极为控制端；二级晶体管优选三极管Q1，三极管Q1的基极为输入端，三极管Q1的集电极为输出端，三极管Q1的发射极接地。

本实施例的开机限流电路1为：场效应管MOS1的源极与上电端VDD_IN电连接，场效应管MOS1的漏极与系统端SYSTEM电连接，场效应管MOS1的源极和栅极之间串接有电阻R1，场效应管MOS1的栅极经电阻R2与三极管Q1的集电极电连接，三极管Q1的基极经电阻R3与上电端VDD_IN电连接，三极管Q1的发射极接地，本实施例的三极管Q1的基极还经电阻R4接地。

如图3所示，本实施例的每路负载限流电路均包括一级开关管和二级开关管，优选一级开关管为场效应管MOS2，场效应管MOS2的源极为输入端，场效应管MOS2的漏极为输出端，场效应管MOS2的栅极为控制端；优选二级开关为三极管Q2，三极管Q2的基极为输入端，三极管Q2的集电极为输出端，三极管Q2的发射极接地。

本实施例的每路负载限流电路为：场效应管MOS2的源极与上电端VDD_IN电连接，场效应管MOS2的漏极与系统端SYSTEM电连接，场效应管MOS2的源极和栅极之间串接有电阻R5，场效应管MOS2的栅极经电阻R6与三极管Q2的集电极电连接，三极管Q2的基极经电阻R7与使能端CONTROL电连接，三极管Q2的发射极接地。

如图2所示，每路负载限流电路的电路结构还可包括场效应管MOS3，该场效应管MOS3的源极与上电端VDD_IN电连接，场效应管MOS3的漏极与系统端SYSTEM电连接，场效应管MOS3的源极和栅极之间串接有电阻R8，场效应管MOS3的栅极与三极管Q3的集电极直接电连接，三极管Q3的基极经电阻R9与使能端CONTROL电连接，三极管Q3的基极和发射极之间还串接有电阻R10，三极管Q3发射极接地。 

本实施例的电流控制电流如图3所示，包括开机限流电路1、第一路负载限流电路2，以及第二路负载限流电路3。在上电端VDD_IN得电之前，系统端SYSTEM让第一路负载限流电路的使能端CONTROL_1为低电平，第二路负载限流电路的 使能端CONTROL_2也为低电平。因在系统开机时，两路负载均未开启，使能端CONTROL_1和使能端CONTROL_2都是低电平后，上电端VDD_IN上电时三极管Q2和三极管Q2’都是关断的，从而保证了场效应管MOS2和场效应管MOS2’都是关断的。因为在上电的时，上电端VDD_IN变为高电平，通过选择电阻R3和电阻R4的阻值，来使上电端VDD_IN得电时，电阻R4上的电压使得三极管Q1导通，进而使场效应管MOS1导通，开机限流电路1给到系统端SYSTEM供电。此时系统处于开机状态，第一路负载和第二路负载均未开启。

在系统开机状态下，通过选择电阻R1和电阻R2的阻值，使得电阻R1上的分压，满足通过场效应管MOS1最大的电流,能够略大于在开机状态下，系统正常运作需要的最大的电流(略大于是因为需要留有一定的余余量保证系统工作的稳定性)。具体为：在系统开机状态下，设定的最大允许的工作电流为I1，那么通过对电阻R1上的电压的控制，即对场效应管MOS1的门槛电压UGS的控制，来实现能够通过场效应管MOS1的最大的电流接近Ia，Ia＝I1+△I1,△I1为开机状态下，设定的最大的电流的余量，根据实际需要来进行设定，例如供电的稳定性，系统运行的稳定性等情况来进行设定。

系统启动后，接着启动第一路负载，在第一路负载启动状态下，允许的最大的工作电流是I2，系统端SYSTEM给使能端CONTROL_1传输高电平，三极管Q2导通，进而使场效应管MOS2导通，与场效应管MOS1控制电路的原理相同，根据实际需要来对电阻R5和电阻R6的阻值进行选择，使得设定的流过场效应管MOS2的最大的工作电流，加上流过Q5的最大的电流为Ib(Ib＝I2+I△2，I△2为第二态下设定的最大的电流的余量，根据实际需要来进行设定)。

系统继续运行，需要继续启动第二路负载时，控制原理相同。在该状态下允许的最大的工作电流是I3，系统端SYSTEM给使能端CONTROL_2传输高电平，使三极管Q2’导通，再使场效应管MOS2’导通，与上述场效应管MOS1控制电路的原理相同，同时根据实际需要来对电阻R5’和R6’的阻值进行选择，使得设定的流场效应管MOS2’的最大的工作电流，加上流过场效应管MOS1的最大的电流,以及流过场效应管MOS2的最大电流为IC，IC＝I3+△I3，△I3为第二路负载启动下设定的最大的电流的余量，根据实际需要来进行设定)。

使能端CONTROL_1连接的电阻R7，以及使能端CONTROL_2连接的电阻R7’为限流电阻，防止电流过大，烧坏三极管Q2和三极管Q2’。

电阻R1和电阻R2，电阻R5和电阻R6，电阻R5’和电阻R6’的选择,在满足需要的同时，尽量大，保证通过他们到地的电流损耗尽量小。

设有本实用新型的电流控制电路的电子设备，其开机状态以及各路负载均设有限流控制，从而使该电子设备的系统耗能低，使电子设备处于开机状态，处于各路负载时系统的保护均得到提高。

上述的一级晶体管、二级晶体管、一级开关元件一级二级开关元件，不限本实施例的NPN型场效应管和NPN型三极管，只要达到本实用新型的限流目的即可。

以上所述本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同一种电流控制电路结构的改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种电流控制电路，其特征在于，包括开机限流电路，所述开机限流电路的输入端接上电端，所述开机限流电路的输出端接系统端；还包括若干路负载限流电路，每路所述负载限流电路的输入端均与所述上电端电连接，每路所述负载限流电路的输出端均所述系统端电连接，每路所述负载限流电路还连接一个使能端，所述使能端初始状态为低电平。

2.根据权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于，所述开机限流电路包括一级晶体管和二级晶体管，所述一级晶体管的输入端与所述上电端电连接，所述一级晶体管的输出端与所述系统端电连接，所述一级晶体管的输入端和控制端之间串接第一电阻，所述一级晶体管的控制端经第二电阻与所述二级晶体管的输出端电连接，所述二级晶体管的输入端经第三电阻与所述上电端电连接，所述二级晶体管的控制端接地。

3.根据权利要求2所述的电流控制电路，其特征在于，所述二级晶体管的输入端还经第四电阻接地。

4.根据权利要求2或3所述的电流控制电路，其特征在于，所述一级晶体管为场效应管，所述场效应管的源极为输入端，所述场效应管的漏极为输出端，所述场效应管的栅极为控制端，所述二级晶体管为三极管，所述三极管的基极为输入端，所述三极管的集电极为输出端，所述三极管的发射极接地。

5.根据权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于，每路所述负载限流电路均包括一级开关管和二级开关管，所述一级开关管的输入端与所述上电端电连接，所述一级开关管的输出端与所述系统端电连接，所述一级开关管的输入端和控制端之间串接有第五电阻，所述一级开关管的控制端经第六电阻与所述二级开关管的输出端电连接，所述二级开关管的输入端经第七电阻与所述使能端电连接，所述二级开关管的控制端接地。

6.根据权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于，每路所述负载限流电路均包括一级开关管和二级开关管，所述一级开关管的输入端与所述上电端电连接，所述一级开关管的输出端与所述系统端电连接，所述一级开关管的输入端和控制端之间串接有第八电阻，所述一级开关管的控制端与所述二级开关 管的输出端电连接，所述二级开关管的输入端与将第九电阻与所述使能端电连接，所述二级开关管的输入端和控制端之间串接有第十电阻。

7.根据权利要求5或6所述的电流控制电路，其特征在于，所述一级开关管为场效应管，所述场效应管的源极为输入端，所述场效应管的漏极为输出端，所述场效应管的栅极为控制端，所述二级开关为三极管，所述三极管的基极为输入端，所述三极管的集电极为输出端，所述三极管的发射极接地。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1至7中任一所述的电流控制电路。