CN204615840U - Td-lte下行信号干扰器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及TD-LTE下行信号干扰器，包括TD-LTE基带同步装置、DDS信号发生器、开关控制单元和TD-LTE功率放大器；TD-LTE基带同步装置，用于接收时隙信号并将时隙信号发送至开关控制单元，同时接收来自DDS信号发生器的频点数据获取信号从而将载波频点数据发送至DDS信号发生器；DDS信号发生器用于根据该载波频点数据处理得到输出信号，并将该输出信号发送至开关控制单元；开关控制单元用于根据该时隙信号的高低电平实现开闭，以使当时隙信号为高电平时对输出信号进行传输至TD-LTE功率放大器；TD-LTE功率放大器用于将来自开关控制单元的输出信号功率放大后进行输出其根据当前网络信息，获取载波信号，自动准确屏蔽与系统载波相同的信道，只干扰下行而不影响基站通信正常。
Description
技术领域
本发明涉及屏蔽器技术领域，尤其涉及TD-LTE下行信号干扰器。
背景技术
目前市场上TD-LTE信号干扰器都是VCO(压控振荡器)技术扫描宽带无同步干扰，其缺点在于VCO扫描技术频率偏移难以控制，为确保屏蔽效果一般增加带宽牺牲功率保证覆盖，没有识别TD-LTE网络载波信道和同步信号功能，这样虽然能屏蔽手机信号，但同时也会影响到基站上行，宽带非精准发射在相同射频功率下效果不佳，同时影响基站收信机灵敏度降低、信噪比指标下降，直接影响移动通信基站覆盖半径，给运营商和手机用户带来损失。
发明内容
针对现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种TD-LTE下行信号干扰器，其能精准干扰下行载波信道并具同步控制干扰，且不对基站上行产生干扰。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
TD-LTE下行信号干扰器，包括TD-LTE基带同步装置、DDS信号发生器、开关控制单元和TD-LTE功率放大器；所述TD-LTE基带同步装置，用于接收时隙信号和载波信号，并将时隙信号发送至开关控制 单元，将载波信号发送至DDS信号发生器，同时接收来自DDS信号发生器的频点数据获取信号从而根据数据获取信号将载波频点数据发送至DDS信号发生器；所述DDS信号发生器，用于根据该载波频点数据处理得到相应频点的输出信号，并将该输出信号发送至开关控制单元；所述开关控制单元，用于根据该时隙信号的高低电平实现开闭，以使当时隙信号为高电平时对输出信号进行传输至TD-LTE功率放大器，当时隙信号为低电平时对输出信号进行拦截；所述TD-LTE功率放大器，用于将来自开关控制单元的输出信号进行功率放大后通过天线进行输出。
进一步的，所述TD-LTE基带同步装置包括接口模块、电平转换模块、收发模块和连接器模块；所述接口模块、电平转换模块和收发模块依次连接，所述DDS信号发生器与收发模块连接，所述开关控制单元和电平转换模块均与连接器模块连接。
更进一步的，所述接口模块采用型号为MINIPCIE 52PIN的接口芯片；所述电平转换模块采用型号为ADG3308的电平转换芯片；所述收发模块采用型号为SP3232ECA-L的收发芯片；所述连接器模块采用型号为2.0BOX90的连接器。
进一步的，所述DDS信号发生器包括依次连接的MCU、DDS电路模块、变频器、低通滤波模块、混频模块、高频滤波模块和放大模块；所述MCU还与TD-LTE基带同步装置连接；所述放大模块还与开关控制单元连接。
更进一步的，所述MCU的型号为STM32F100RC；所述DDS电路采 用型号为AD9910的DDS芯片；所述变频器的型号为ADT1-1WT；所述放大模块采用型号为AG50的放大芯片。
更进一步的，所述低通滤波模块包括电感L1、电感L2、电感L3、电容C1、电容C2、电容C3和电容C4；所述电感L1的一端和电容C1的一端均与变频器连接；所述电感L1的另一端和电容C2的一端均与电感L2的一端连接；所述电感L2的另一端和电容C3的一端均与电感L3的一端连接；所述电感L3的另一端和电容C4的一端均与混频模块连接；所述电容C1的另一端、电容C2的另一端、电容C3的另一端、电容C4的另一端均接地。
进一步的，所述TD-LTE功率放大器包括依次连接的衰减模块、第一放大器、第二放大器、末级放大器和隔离器；所述衰减模块还与开关控制单元连接。
更进一步的，所述衰减模块采用型号为HSMP-3866的衰减器；所述第一放大器的型号为AG50；所述第二放大器的型号为MW7IC2725NBR1；所述末级放大器的型号为BLF7G27L-140；所述隔离器的型号为ISOLATER。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
根据当前网络信息，获取载波信号，自动准确屏蔽与系统载波相同的信道，只干扰下行而不影响基站通信正常，提升干扰距离。
附图说明
图1为本发明的框架组成图；
图2为本发明的TD-LTE基带同步装置的框架图；
图3为本发明的DDS信号发生器的框架图；
图4为本发明的TD-LTE功率放大器的框架图。
其中，1、TD-LTE基带同步装置；11、接口模块；12、电平转换模块；13、收发模块；14、连接器；2、DDS信号发生器；21、MCU；22、DDS电路模块；23、变频器；24、低通滤波模块；25、混频模块；26、高频滤波模块；27、放大模块；3、开关控制单元；31、衰减模块；32、第一放大器；33、第二放大器；34、末级放大器；35、隔离器；4、TD-LTE功率放大器。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明新型做进一步描述：
参见图1至图4，本发明提供的TD-LTE下行信号干扰器主要包括TD-LTE基带同步装置1、DDS信号发生器2、开关控制单元3和TD-LTE功率放大器4；TD-TLE是基于OFDMA技术、由3GPP组织制定的全球通用标准，包括FDD和TDD两种模式用于成对频谱和非成对频谱，TD-LTE即Time Division Long Term Evolution(分时长期演进)，是正交频分复用。DDS信号发生器2采用直接数字频率合成(Direct Digital Synthesis，简称DDS)技术，把信号发生器的频率稳定度、准确度提供到与基准频率相同的水平，并且可以在很快的频率范围内进行精细的频率调节，这种信号源可工作于调节状态，可对输出电平进行调节，也可输出各种波形。
本实施例的TD-LTE基带同步装置1，用于接收时隙信号和载波信号，并将时隙信号发送至开关控制单元3，将载波信号发送至DDS信号发生器2，TD-LTE基带同步装置1获取时隙信号和载波信号的技术由现有技术可获知，同时接收来自DDS信号发生器2的频点数据信号从而根据数据获取信号将载波频点数据发送至DDS信号发生器2；DDS信号发生器2，用于根据该载波频点数据处理得到相应频点的上行的输出信号，该输出信号屏蔽了上行信号，并将该输出信号发送至开关控制单元3；开关控制单元3，根据该时隙信号的高低电平实现开闭，以使当时隙信号为高电平时对输出信号进行传输至TD-LTE功率放大器4，当时隙信号为低电平时对输出信号进行拦截；TD-LTE功率放大器4，用于将来自开关控制单元3的输出信号功率进行放大后通过天线进行输出。本实施例的频点数据为载波参数，包括物理小区地址、下行频点、上行频点，TD-LTE基带同步装置1接收到数据获取信号后悔向DDS信号发生器2发出应答，表示发送命令成功，并且将频点数据信号发送至DDS信号发生器2。
TD-LTE基带同步装置1自动完成TD-TLE无线网络的小区搜索和无线信令处理，得到精确的TDD(Time Division Duplexing，即时分双工)上下行时隙信号，上下行时隙比等信息，通过接口将上下行时隙信号和载波信道信号输出。时隙信号在高电平的情况下，可以导通开关控制单元3，当时隙信号为低电平时，开关控制单元3关闭。具体的，TD-LTE基带同步装置1包括接口模块11、电平转换模块12、收发模块13和连接器14模块；接口模块11、电平转换模块12、收 发模块13依次连接，并且DDS信号发生器2与收发模块连接，开关控制单元3和电平转换模块12均与连接器14模块连接。TD-LTE基带同步装置1通过天线拾取到时隙信号，经过接口模块11输出下行同步指示信号，之后送到电平转换模块12进行电平转换为3.3V电平，然后通过连接器14发送至开关控制单元3；TD-LTE基带同步装置1通过收发模块13接收来自DDS信号发生器2的频点数据获取信号，之后并依次通过电平转换模块12、收发模块13将该经过电平转换的载波频点数据发送至DDS信号发生器2。本实施例优选的，接口模块11采用型号为MINIPCIE 52PIN的接口芯片；电平转换模块12采用型号为ADG3308的电平转换芯片；收发模块13采用型号为SP3232ECA-L的收发芯片；连接器14模块采用型号为2.0BOX90的连接器14。
DDS信号发生器2包括依次连接的MCU 21、DDS电路模块22、变频器23、低通滤波模块24、混频模块25、高频滤波模块26和放大模块27；MCU 21还与TD-LTE基带同步装置1连接；放大模块27还与开关控制单元3连接。MCU 21驱动DDS电路模块22工作，负责初始化DDS电路，控制发送频点数据获取信号至TD-LTE基带同步装置1，并接收来自TD-LTE基带同步装置1的载波信号和载波频点数据，从而得到相应频点的载波信道信号，该相应频点的载波信道信号经过变频器23变为电压输出信号，由于其为低频信号，需要经过混频模块25混频后才能得到需要的高频信号，之后经过高频滤波模块26进行高频滤波，得到倍频信号，最后经过放大模块27进行信号放大得 到最终的输出信号，再输出至开关控制单元3。
本实施例优选的，MCU 21的型号为STM32F100RC；DDS电路采用型号为AD9910的DDS芯片；变频器23的型号为ADT1-1WT；放大模块27采用型号为AG50的放大芯片。
另外，DDS信号发生器2中的低通滤波模块24包括电感L1、电感L2、电感L3、电容C1、电容C2、电容C3和电容C4；电感L1的一端和电容C1的一端均与变频器23连接；电感L1的另一端和电容C2的一端均与电感L2的一端连接；电感L2的另一端和电容C3的一端均与电感L3的一端连接；电感L3的另一端和电容C4的一端均与混频模块25连接；电容C1的另一端、电容C2的另一端、电容C3的另一端、电容C4的另一端均接地。
TD-LTE功率放大器4包括两级推动放大器和末级放大器34，具体的，包括依次连接的衰减模块31、第一放大器32、第二放大器33、末级放大器34和隔离器35；衰减模块31还与开关控制单元3连接。上述的第一放大器32和第二放大器33均为推动放大器。来自DDS信号发生器2的载波信道信号经过TD-LTE功率放大器4进行一系列的功率放大后达到符合要求的功率，再经过隔离后输出。衰减模块31采用型号为HSMP-3866的衰减器；所述第一放大器32的型号为AG50；第二放大器33的型号为MW7IC2725NBR1；所述末级放大器34的型号为BLF7G27L-140；隔离器35的型号为ISOLATER。
本发明的TD-LTE基带同步装置1采用基带处理技术获取时隙信号和载波信道信号，同步精度更高，给系统时隙窄带精准屏蔽提供技 术条件，同步下行屏蔽而不影响上行，不干扰基站，干扰源采用DDS技术，频率精准，自动获取载波屏蔽。
对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本发明新型权利要求的保护范围之内。
Claims (8)
1.TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，包括TD-LTE基带同步装置、DDS信号发生器、开关控制单元和TD-LTE功率放大器；所述TD-LTE基带同步装置，用于接收时隙信号和载波信号，并将时隙信号发送至开关控制单元，将载波信号发送至DDS信号发生器，同时接收来自DDS信号发生器的频点数据获取信号从而根据数据获取信号将载波频点数据发送至DDS信号发生器；所述DDS信号发生器，用于根据该载波频点数据处理得到相应频点的输出信号，并将该输出信号发送至开关控制单元；所述开关控制单元，用于根据该时隙信号的高低电平实现开闭，以使当时隙信号为高电平时对输出信号进行传输至TD-LTE功率放大器，当时隙信号为低电平时对输出信号进行拦截；所述TD-LTE功率放大器，用于将来自开关控制单元的输出信号进行功率放大后通过天线进行输出。
2.如权利要求1所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述TD-LTE基带同步装置包括接口模块、电平转换模块、收发模块和连接器模块；所述接口模块、电平转换模块和收发模块依次连接，所述DDS信号发生器与收发模块连接，所述开关控制单元和电平转换模块均与连接器模块连接。
3.如权利要求2所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述接口模块采用型号为MINIPCIE 52PIN的接口芯片；所述电平转换模块采用型号为ADG3308的电平转换芯片；所述收发模块采用型号为SP3232ECA-L的收发芯片；所述连接器模块采用型号为2.0BOX90的连接器。
4.如权利要求1所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述DDS信号发生器包括依次连接的MCU、DDS电路模块、变频器、低通滤波模块、混频模块、高频滤波模块和放大模块；所述MCU还与TD-LTE基带同步装置连接；所述放大模块还与开关控制单元连接。
5.如权利要求4所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述MCU的型号为STM32F100RC；所述DDS电路采用型号为AD9910的DDS芯片；所述变频器的型号为ADT1-1WT；所述放大模块采用型号为AG50的放大芯片。
6.如权利要求4所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述低通滤波模块包括电感L1、电感L2、电感L3、电容C1、电容C2、电容C3和电容C4；所述电感L1的一端和电容C1的一端均与变频器连接；所述电感L1的另一端和电容C2的一端均与电感L2的一端连接；所述电感L2的另一端和电容C3的一端均与电感L3的一端连接；所述电感L3的另一端和电容C4的一端均与混频模块连接；所述电容C1的另一端、电容C2的另一端、电容C3的另一端、电容C4的另一端均接地。
7.如权利要求1所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述TD-LTE功率放大器包括依次连接的衰减模块、第一放大器、第二放大器、末级放大器和隔离器；所述衰减模块还与开关控制单元连接。
8.如权利要求7所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述衰减模块采用型号为HSMP-3866的衰减器；所述第一放大器的型 号为AG50；所述第二放大器的型号为MW7IC2725NBR1；所述末级放大器的型号为BLF7G27L-140；所述隔离器的型号为ISOLATER。
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| CN106533609A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-03-22 | 深圳市飞思腾科技有限公司 | 一种数字信号干扰仪 |
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