CN204517760U - 一种北斗b3频段低噪声放大器电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种北斗B3频段低噪声放大器电路，包括依次相接的介质滤波器、第一级低噪声放大器、第一衰减器、第二级低噪声放大器、声表面滤波器、第三级低噪声放大器和第二衰减器，介质滤波器的输入端接有防静电电路和卫星接收天线，第一级低噪声放大器包括型号为SPF_5043Z的芯片U1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电感L1和电感L2。本实用新型结构简单，设计新颖合理，实现方便且成本低，稳定性好，能够防止级联之间产生自激，实用性强，使用效果好，便于推广使用。
Description
技术领域
本实用新型属于低噪声放大器电路领域，具体涉及一种北斗B3频段低噪声放大器电路。
背景技术
北斗B3频段的频率为1268.52MHz±10.23MHz，是重要的接收频段之一。低噪声放大器(LNA)设置在北斗B3频段接收机系统的前端，低噪声放大器的作用是对北斗天线接收到的来自于导航卫星的微弱信号进行放大，方便后续处理，其性能直接关系着整机的性能，同时，低噪声放大器在对微弱信号进行放大时，由于噪声的影响会使输出信号的信噪比下降，所以对低噪声放大器的噪声系数有了严格的要求。因此，在设计低噪声放大器时，低噪声系数和较高的增益为设计的主要因素。目前市场上的低噪声放大器通常采用单级放大器来实现所需的增益，但当所需的增益较大时，采用单级放大器来满足较大增益时，单级放大器的线性会下降，这样导致单级放大器的噪声系数增加，且信号失真严重，从而使得低噪声放大器的稳定性较差，不便于推广使用。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其结构简单，设计新颖合理，实现方便且成本低，稳定性好，能够防止级联之间产生自激，实用性强，使用效果好，便于推广使用。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：包括依次相接的介质滤波器、第一级低噪声放大器、第一衰减器、第二级低噪声放大器、声表面滤波器、第三级低噪声放大器和第二衰减器，所述介质滤波器的输入端接有防静电电路和卫星接收天线，所述第一级低噪声放大器包括型号为SPF_5043Z的芯片U1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电感L1和电感L2，所述芯片U1的第3引脚通过电容C1与所述介质滤波器的输出端相接，所述芯片U1的第1引脚通过电容C2与所述第一衰减器的输入端相接，所述芯片U1的第1引脚还与电感L1的一端相接，电感L1的另一端分两路，一路经电感L2接3V直流电源，另一路经相并联的电容C3、电容C4和电容C5接地，所述芯片U1的第2引脚和第4引脚均接地。
上述的一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述防静电电路包括防静电二极管，所述防静电二极管包括芯片ESD05V23T-2L。
上述的一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述介质滤波器包括芯片CAF32C1268C20B，所述芯片U1的第3引脚通过所述电容C1与所述芯片CAF32C1268C20B的第3引脚相接，所述芯片CAF32C1268C20B的第1引脚分别与所述芯片ESD05V23T-2L的第1引脚、所述芯片ESD05V23T-2L的第2引脚和所述卫星接收天线的射频信号输出端相接。
上述的一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述第一衰减器包括电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述芯片U1的第1引脚通过电容C2分别与电阻R1的一端和电阻R2的一端相接，电阻R1的另一端与电阻R3的一端相接，电阻R2的另一端和电阻R3的另一端均接地。
上述的一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述第二级低噪声放大器包括型号为SPF_5043Z的芯片U2、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电感L3和电感L4，所述芯片U2的第3引脚通过电容C6与电阻R1的另一端相接，所述芯片U2的第1引脚通过电容C7与所述声表面滤波器的输入端相接，所述芯片U2的第1引脚还与电感L3的一端相接，电感L3的另一端分两路，一路经电感L4接3V直流电源，另一路经相并联的电容C8、电容C9和电容C10接地，所述芯片U2的第2引脚和第4引脚均接地。
上述的一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述声表面滤波器的型号包括芯片TA0862A，所述芯片TA0862A的所述芯片U2的第1引脚通过电容C7与所述芯片TA0862A的第2引脚相接，所述芯片TA0862A的第1引脚、第3引脚、第4引脚和第6引脚均接地。
上述的一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述第三级低噪声放大器包括型号为SPF_5043Z的芯片U3、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电感L5和电感L6，所述芯片U3的第3引脚通过电容C11与所述芯片TA0862A的第5引脚相接，所述芯片U3的第1引脚通过电容C12与所述第二衰减器的输入端相接，所述芯片U3的第1引脚还与电感L5的一端相接，电感L5的另一端分两路，一路经电感L6接3V直流电源，另一路经相并联的电容C13、电容C14和电容C15接地，所述芯片U3的第2引脚和第4引脚均接地。
上述的一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述第二衰减器包括电阻R4、电阻R5和电阻R6，所述芯片U3的第1引脚通过电容C12分别与电阻R4的一端和电阻R5的一端相接，电阻R4的另一端与电阻R6的一端相接，电阻R5的另一端和电阻R6的另一端均接地。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点：
1、本实用新型电路结构简单，设计新颖合理，实现方便且成本低。
2、本实用新型采用第一级低噪声放大器、第二级低噪声放大器和第三级低噪声放大器级联，这样当需要的增益较大时，则每一级低噪声放大器的线性不会下降，因此不会导致每一级噪声放大器的噪声系数的增加，且信号不失真，使得本实用新型的北斗B3频段低噪声放大器电路的稳定性提高。
3、本实用新型在第一级低噪声放大器与第二级低噪声放大器之间接有第一衰减器，且在第三级低噪声放大器的输出端接有第二衰减器，能够防止级联之间产生自激。
4、本实用新型的实用性强，使用效果好，便于推广使用。
综上所述，本实用新型电路结构简单，设计新颖合理，实现方便且成本低，稳定性好，能够防止级联之间产生自激，实用性强，使用效果好，便于推广使用。
下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理框图。
图2为本实用新型的电路原理图。
附图标记说明:
1—介质滤波器； 2—第一级低噪声放大器；
3—第一衰减器； 4—第二级低噪声放大器；
5—声表面滤波器； 6—第三级低噪声放大器；
7—第二衰减器； 8—防静电电路； 9—卫星接收天线。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型包括依次相接的介质滤波器1、第一级低噪声放大器2、第一衰减器3、第二级低噪声放大器4、声表面滤波器5、第三级低噪声放大器6和第二衰减器7，所述介质滤波器1的输入端接有防静电电路8和卫星接收天线9。
其中，介质滤波器1用于对从卫星接收天线9接收到的射频信号进行频带选择；第一级低噪声放大器2用于对进行频带选择后的射频信号进行第一级放大处理；第一衰减器3用于对进行第一级放大处理后的射频信号的大小进行调整，防止级联之间产生自激，并满足级联之间的阻抗匹配；第二级低噪声放大器4用于对进行调整后的射频信号进行第二级放大处理；声表面滤波器5用于进一步对进行第二级放大处理后的射频信号再次进行频带选择；第三级低噪声放大器6用于对再次进行频带选择后的射频信号进行第三级放大处理；第二衰减器7用于对进行第三级放大处理后的射频信号的大小进行调整，最终输出所需增益和噪声系数的射频信号；防静电电路8用于对静电起泄放作用。
如图2所示，所述第一级低噪声放大器2包括型号为SPF_5043Z的芯片U1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电感L1和电感L2，所述芯片U1的第3引脚通过电容C1与所述介质滤波器1的输出端相接，所述芯片U1的第1引脚通过电容C2与所述第一衰减器3的输入端相接，所述芯片U1的第1引脚还与电感L1的一端相接，电感L1的另一端分两路，一路经电感L2接3V直流电源，另一路经相并联的电容C3、电容C4和电容C5接地，所述芯片U1的第2引脚和第4引脚均接地。
实际使用时，所述防静电电路8包括防静电二极管，所述防静电二极管包括芯片ESD05V23T-2L。
如图2所示，本实施例中，所述介质滤波器1包括芯片CAF32C1268C20B，所述芯片U1的第3引脚通过所述电容C1与所述芯片CAF32C1268C20B的第3引脚相接，所述芯片CAF32C1268C20B的第1引脚分别与所述芯片ESD05V23T-2L的第1引脚、所述芯片ESD05V23T-2L的第2引脚和所述卫星接收天线9的射频信号输出端相接。
实际使用时，所述芯片CAF32C1268C20B的第2引脚接地。
如图2所示，本实施例中，所述第一衰减器3包括电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述芯片U1的第1引脚通过电容C2分别与电阻R1的一端和电阻R2的一端相接，电阻R1的另一端与电阻R3的一端相接，电阻R2的另一端和电阻R3的另一端均接地。
需要说明的是，电阻R1的一端与电阻R2的一端相接作为所述第一衰减器3的输入端。
如图2所示，本实施例中，所述第二级低噪声放大器4包括型号为SPF_5043Z的芯片U2、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电感L3和电感L4，所述芯片U2的第3引脚通过电容C6与电阻R1的另一端相接，所述芯片U2的第1引脚通过电容C7与所述声表面滤波器5的输入端相接，所述芯片U2的第1引脚还与电感L3的一端相接，电感L3的另一端分两路，一路经电感L4接3V直流电源，另一路经相并联的电容C8、电容C9和电容C10接地，所述芯片U2的第2引脚和第4引脚均接地。
如图2所示，本实施例中，所述声表面滤波器5的型号包括芯片TA0862A，所述芯片TA0862A的所述芯片U2的第1引脚通过电容C7与所述芯片TA0862A的第2引脚相接，所述芯片TA0862A的第1引脚、第3引脚、第4引脚和第6引脚均接地。
如图2所示，本实施例中，所述第三级低噪声放大器6包括型号为SPF_5043Z的芯片U3、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电感L5和电感L6，所述芯片U3的第3引脚通过电容C11与所述芯片TA0862A的第5引脚相接，所述芯片U3的第1引脚通过电容C12与所述第二衰减器7的输入端相接，所述芯片U3的第1引脚还与电感L5的一端相接，电感L5的另一端分两路，一路经电感L6接3V直流电源，另一路经相并联的电容C13、电容C14和电容C15接地，所述芯片U3的第2引脚和第4引脚均接地。
如图2所示，本实施例中，所述第二衰减器7包括电阻R4、电阻R5和电阻R6，所述芯片U3的第1引脚通过电容C12分别与电阻R4的一端和电阻R5的一端相接，电阻R4的另一端与电阻R6的一端相接，电阻R5的另一端和电阻R6的另一端均接地。
需要说明的是，电阻R4的一端与电阻R5的一端相接作为所述第二衰减器7的输入端。
本实用新型的工作过程是：卫星接收天线9将接收到的射频信号发送至介质滤波器1，经介质滤波器1对射频信号进行频带选择后发送至第一级低噪声放大器2，由第一级低噪声放大器2进行第一级放大处理后通过第一衰减器3发送至第二级低噪声放大器4，由第二级低噪声放大器4进行第二级放大处理，并经声表面滤波器5再次进行频带选择和镜像抑制后发送至第三级低噪声放大器6，由第三级低噪声放大器6进行第三级放大处理并经第二衰减器7后输出所需增益和噪声系数的射频信号。
本实用新型提供的北斗B3频段低噪声放大器电路的增益为40.40dB，噪声系数为1.45。
需要说明的是，所述卫星接收天线9输出的射频信号作为所述介质滤波器1的输入信号，图2中的RF_in为所述介质滤波器1的信号输入端，图2中的RF_out为本实用新型的信号输出端。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何限制，凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。
Claims (8)
1.一种北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：包括依次相接的介质滤波器(1)、第一级低噪声放大器(2)、第一衰减器(3)、第二级低噪声放大器(4)、声表面滤波器(5)、第三级低噪声放大器(6)和第二衰减器(7)，所述介质滤波器(1)的输入端接有防静电电路(8)和卫星接收天线(9)，所述第一级低噪声放大器(2)包括型号为SPF_5043Z的芯片U1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电感L1和电感L2，所述芯片U1的第3引脚通过电容C1与所述介质滤波器(1)的输出端相接，所述芯片U1的第1引脚通过电容C2与所述第一衰减器(3)的输入端相接，所述芯片U1的第1引脚还与电感L1的一端相接，电感L1的另一端分两路，一路经电感L2接3V直流电源，另一路经相并联的电容C3、电容C4和电容C5接地，所述芯片U1的第2引脚和第4引脚均接地。
2.按照权利要求1所述的北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述防静电电路(8)包括防静电二极管，所述防静电二极管包括芯片ESD05V23T-2L。
3.按照权利要求2所述的北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述介质滤波器(1)包括芯片CAF32C1268C20B，所述芯片U1的第3引脚通过所述电容C1与所述芯片CAF32C1268C20B的第3引脚相接，所述芯片CAF32C1268C20B的第1引脚分别与所述芯片ESD05V23T-2L的第1引脚、所述芯片ESD05V23T-2L的第2引脚和所述卫星接收天线(9)的射频信号输出端相接。
4.按照权利要求3所述的北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述第一衰减器(3)包括电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述芯片U1的第1引脚通过电容C2分别与电阻R1的一端和电阻R2的一端相接，电阻R1的另一端与电阻R3的一端相接，电阻R2的另一端和电阻R3的另一端均接地。
5.按照权利要求4所述的北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述第二级低噪声放大器(4)包括型号为SPF_5043Z的芯片U2、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电感L3和电感L4，所述芯片U2的第3引脚通过电容C6与电阻R1的另一端相接，所述芯片U2的第1引脚通过电容C7与所述声表面滤波器(5)的输入端相接，所述芯片U2的第1引脚还与电感L3的一端相接，电感L3的另一端分两路，一路经电感L4接3V直流电源，另一路经相并联的电容C8、电容C9和电容C10接地，所述芯片U2的第2引脚和第4引脚均接地。
6.按照权利要求5所述的北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述声表面滤波器(5)的型号包括芯片TA0862A，所述芯片TA0862A的所述芯片U2的第1引脚通过电容C7与所述芯片TA0862A的第2引脚相接，所述芯片TA0862A的第1引脚、第3引脚、第4引脚和第6引脚均接地。
7.按照权利要求6所述的北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述第三级低噪声放大器(6)包括型号为SPF_5043Z的芯片U3、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电感L5和电感L6，所述芯片U3的第3引脚通过电容C11与所述芯片TA0862A的第5引脚相接，所述芯片U3的第1引脚通过电容C12与所述第二衰减器(7)的输入端相接，所述芯片U3的第1引脚还与电感L5的一端相接，电感L5的另一端分两路，一路经电感L6接3V直流电源，另一路经相并联的电容C13、电容C14和电容C15接地，所述芯片U3的第2引脚和第4引脚均接地。
8.按照权利要求7所述的北斗B3频段低噪声放大器电路，其特征在于：所述第二衰减器(7)包括电阻R4、电阻R5和电阻R6，所述芯片U3的第1引脚通过电容C12分别与电阻R4的一端和电阻R5的一端相接，电阻R4的另一端与电阻R6的一端相接，电阻R5的另一端和电阻R6的另一端均接地。
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