CN204495981U - 基于磁电效应的声表面波磁传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型声表面波磁传感器利用磁电复合材料的谐振频率随磁场而变化的或特性测量磁场，其所述压电薄膜远离叉指电极的方向还设置有磁致伸缩薄膜、铁磁或反铁磁层和衬底基片，所述铁磁或反铁磁层位于所述磁致伸缩薄膜和衬底基片之间形成一堆栈结构。本实用新型的磁传感器具有高灵敏度、高分辨率、易于微型化、与MEMS和CMOS等工艺相兼容、功耗和成本低、驱动电路简单等优点，可辨别外磁场的方向，而且直接输出数字信号，可与现代数字系统直接通讯，无须连接模/数转换器。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及磁传感器技术领域，具体指一种基于压电材料与磁致伸缩材料相复合的声表面波磁传感器。
【背景技术】
目前，随着信息产业、工业自动化、电力电子技术、交通运输、医疗仪器、办公自动化、家用电器等飞速发展和电子计算机应用的普及，需要大量传感器将被测非电参量转换成可与计算机兼容的电讯号，这就为磁传感器的快速发展提供了机会，形成了相当可观的磁传感器产业。
传统的磁传感器包括基于霍尔效应、各向异性磁阻效应、巨磁阻效应、磁阻抗效应、磁电感效应、磁致伸缩效应、法拉第电磁感应效应、磁通门效应、核磁共振效应、电子顺磁共振效应、法拉第磁光效应、超导量子干涉效应等传感器。
由压电材料和磁致伸缩材料复合而成且基于磁电效应的传感器是近年来发展起来的新型磁探测技术。它利用层间磁-弹-电耦合效应测量磁场。当外部施加磁场时，磁致伸缩材料将产生应变，并对压电材料施以应力，从而导致压电材料在电极两端输出电荷。实验室演示的磁场检测灵敏度可以达到pTesla(10-12T)量级，而且具有成本和功耗低、频率及幅度范围宽等许多优点。J.Y.Zhai[1]、D.T.Huong Giang[2]和N.H.Duc[3]等人研究了模拟输出型磁电传感器。它需要在被测磁场的基础上，利用通电螺线管对磁电复合材料施加特定频率的交流磁场，以使压电材料的交流输出幅值与被测磁场成正比，从而获得磁传感信号。
然而，基于上述复合材料的磁传感器是粘接成型的，界面结合力不稳定，性能易受工艺和环境的影响，一致性差。而且，磁电效应与复合材料的体积有关，且随着复合材料体积的缩小迅速降低，所以难以实现器件的微型化和磁场方向辨别。另外，使用通电螺线管时需要施加激励 电流，会使磁传感器的功耗增加。同时，压电材料的交流输出幅值的检测电路较复杂，无疑会增加磁传感器的成本。
[1]J.Y.Zhai应用物理快报91页(2007年)，123513期。(J.Y.Zhai,et al.Appl.Phys.Lett.91(2007):123513.)
[2]D.T.Huong Giang传感器与执行器物理子刊，179页(2012年)78-82期。(D.T.Huong Giang,et al.Sensor Actuat A:Phys.179(2012):78-82.)
[3]N.H.Duc电气和电子工程师协会磁学期刊，49页(2013年)4839-4842期。(N.H.Duc,et al.IEEE T.Magn.49(2013):4839-4842.)
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于解决上述磁电传感器界面结合力不稳定、体积大、功耗和磁场方向无法辨别的问题，而提供一种新型结构的利用声表面波进行磁场测量的磁电传感器。
本实用新型基于磁电效应的声表面波磁传感器，包括压电薄膜、设置在压电薄膜下的种子层、设置在压电薄膜上的叉指换能器，其中所述压电薄膜远离叉指换能器的方向还设置有磁致伸缩薄膜、铁磁或反铁磁层和衬底基片，所述铁磁或反铁磁层位于所述磁致伸缩薄膜和衬底基片之间形成一堆栈结构。
优选的，所述铁磁层包括NdFeB稀土永磁材料层、AlNiCo或FeCrCo金属永磁材料层、BaFe12O19或SrFe12O19铁氧体永磁材料层。
所述反铁磁层包括锰基合金材料层。
所述反铁磁层包括IrMn或FeMn层。
所述叉指换能器包括叉指电极，和位于叉指电极两端的反射栅。
所述叉指电极为Al，Cu，Ag，Au，Pt导体层，厚度为50至100纳米。
本实用新型声表面波磁传感器利用磁电复合材料的谐振频率随磁场而变化的或特性测量磁场，输出周期性振荡信号，且振荡频率与被测磁场成正比。其所述压电薄膜远离叉指电极的方向还设置有磁致伸缩薄 膜、铁磁或反铁磁层和衬底基片，所述铁磁或反铁磁层位于所述磁致伸缩薄膜和衬底基片之间形成一堆栈结构。按照本实用新型的磁传感器具有高灵敏度、高分辨率、易于微型化、与MEMS和CMOS等工艺相兼容、功耗和成本低、驱动电路简单等优点，可辨别外磁场的方向，而且直接输出数字信号，可与现代数字系统直接通讯，无须连接模/数转换器。
【附图说明】
图1为本实用新型声表面波传感器的剖面结构示意图；
图2为本实用新型声表面波的立体示意图；
图3为单极性磁传感器的输出频率-磁场关系曲线；
图4为本实用新型双极性磁传感器的输出频率-磁场关系曲线；
图5为铁磁层与磁致伸缩薄膜交换弹簧效应等效示意图；
图6为反铁磁层与磁致伸缩薄膜交换偏置效应等效示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图，对本实用新型声表面波传感器作详细说明。
参图1-2所示，为本实用新型声表面波传感器100，它包括压电薄膜50、设置在压电薄膜50下的种子层40、设置在压电薄膜50上的叉指换能器60，所述叉指换能器60包括反射栅61和位于反射栅61之间夹设的叉指电极62。其中所述压电薄膜50远离声表面波器件60的方向还设置有磁致伸缩薄膜30、铁磁或反铁磁层20和衬底基片10，所述铁磁或反铁磁层20位于磁致伸缩薄膜30和衬底基片10之间形成一采用MEMS和CMOS等工艺制成的堆栈结构。
本实用新型传感器的原理是采用声表面波的振动模式，谐振频率主要取决于压电薄膜50和磁致伸缩薄膜30的杨氏模量和材料密度。磁致伸缩薄膜30具有感应外界磁场的作用，其杨氏模量在外界磁场作用下发生很大的改变，影响声表面波传播速度，导致谐振频率发生偏移，从而能够通过频率的改变检测磁场的变化。磁电复合材料的谐振频率f＝(E/ρ)1/2/(2w)，其中E表示杨氏模量，ρ表示密度，w表示叉指电极宽度，由于磁致伸缩层的杨氏模量与外磁场有关，从而导致磁电复合材料的杨 氏模量E也和外磁场产生联系，参图3所示。
本实用新型中的叉指换能器60，位于压电薄膜50的表面，包括叉指电极61，和位于叉指电极61两端的反射栅62。叉指电极61在压电薄膜50表面形成指条宽度为四分之一水平剪切声表面波波长的等周期和等指长叉指电极。根据压电薄膜基底的不同，叉指电极61的材料可以采用Al，Cu，Ag，Au，Pt及上述材料的导电合金等，且对电极厚度有一定要求，通常为50至100纳米。不同厚度的叉指电极61对界面声波的速度具有调节作用，可以为梯形或矩形电极。
所述压电薄膜50材料为高度取向的AlN、Zn0、GaN、LiNb03、LiTaO3、KNbO3、Ta2O5等，具有频带宽度窄、稳定度高的特点，还具有零温度系数切割，传播损耗小的特点，并且加工工艺成熟。
所述种子层40材料可以是Mo、Cr、Ti或Pt之一，目的是为了与压电薄膜50的晶格结构和类型匹配，促进压电薄膜50高度取向生长，获得良好的压电性能。
所述磁致伸缩薄膜30材料可以为FeCoSiB、FeBSiC、FeGa、FeGaB、CoFe、CoFeB、NiFe等铁基合金单相材料或复合材料之一，它具有高磁导率、高磁致伸缩系数、低矫顽力、低饱和磁场的特点。
所述铁磁层或反铁磁层20是为了调节磁传感器的零点偏置，使原本为单极性的磁传感器变为双极性磁传感器，不仅能对磁场大小进行测量，还能辨别磁场方向，参图4所示。所述铁磁层可以是NdFeB等稀土永磁材料、AlNiCo和FeCrCo等金属永磁材料、BaFe12O19或SrFe12O19等铁氧体永磁材料的其中一个材料制成，通过交换弹簧效应对磁致伸缩薄膜的零点磁性进行调控。在本实施例中，参图5所示，所述铁磁层20与磁致伸缩薄膜30之间会产生交换弹簧效应，它是指铁磁层20和磁致伸缩薄膜30之间的磁畴相互作用，会使得磁致伸缩薄膜30界面处的磁畴取向与邻近铁磁薄膜的磁畴方向一致，从而等效于在磁致伸缩薄膜处施加了一定大小的磁场，可提供双极性输出所需的偏置磁场。这样利用交换耦合作用产生偏置磁场，使磁传感器100由单极性变为双极性 器件，可输出磁场大小和方向信息，则本实用新型磁传感器100不但界面结合力稳定,还能辨别磁场方向,提高了磁传感器的精度。
所述反铁磁层20包括IrMn和FeMn等锰基合金，通过交换偏置效应对磁致伸缩薄膜的零点磁性进行调控。通常，多铁性材料具有反铁磁性，而半金属材料具有高居里温度、高自旋极化率(理论上预测为100％)、低饱和磁化强度和低矫顽力，所以利用多铁材料的反铁磁性和半金属铁材料的磁性在其界面形成铁磁/反铁磁的耦合作用，产生交换偏置效应，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。在本实施例中，参图6所示，所述反铁磁层20与磁致伸缩薄膜30之间将产生交换偏置效应，它是指反铁磁和磁致伸缩薄膜之间的磁畴相互作用，与交换弹簧效应类似，它也会使得磁致伸缩薄膜界面处的磁畴取向与邻近铁磁薄膜的磁畴方向一致，从而等效于在磁致伸缩薄膜处施加了一定大小的磁场，可提供双极性输出所需的偏置磁场，如图4所示。不同的是，铁磁层对外显磁性，而反铁磁层对外不显磁性。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施方式，本实用新型的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本实用新型所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入本申请的保护范围内。
Claims (6)
1.一种基于磁电效应的声表面波磁传感器，包括压电薄膜、设置在压电薄膜下的种子层、设置在压电薄膜上的叉指换能器，其特征在于：所述压电薄膜远离所述叉指换能器的方向还设置有磁致伸缩薄膜、铁磁或反铁磁层和衬底基片，所述铁磁或反铁磁层位于所述磁致伸缩薄膜和衬底基片之间形成一堆栈结构。
2.根据权利要求1所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述铁磁层包括NdFeB稀土永磁材料层、AlNiCo或FeCrCo金属永磁材料层、BaFe12O19或SrFe12O19铁氧体永磁材料层其中之一。
3.根据权利要求1所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述反铁磁层包括锰基合金材料层。
4.根据权利要求3所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述反铁磁层包括IrMn或FeMn层。
5.根据权利要求2或4任一所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述叉指换能器包括叉指电极，和位于叉指电极两端的反射栅。
6.根据权利要求5所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述叉指电极为Al，Cu，Ag，Au或Pt其中之一材料制成的导体层，厚度为50至100纳米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420738722.2U CN204495981U (zh) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | 基于磁电效应的声表面波磁传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420738722.2U CN204495981U (zh) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | 基于磁电效应的声表面波磁传感器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204495981U true CN204495981U (zh) | 2015-07-22 |
Family
ID=53575286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420738722.2U Active CN204495981U (zh) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | 基于磁电效应的声表面波磁传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204495981U (zh) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105158711A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-12-16 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 一种z轴磁场加载装置 |
| CN106154186A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-11-23 | 瑞声声学科技(常州)有限公司 | 声表面波磁传感器及其制备方法 |
| CN106556803A (zh) * | 2015-09-24 | 2017-04-05 | 南京理工大学 | 一种谐振型磁传感器 |
| CN106569000A (zh) * | 2016-10-08 | 2017-04-19 | 中国电力科学研究院 | 一种对电流进行无线无源检测的系统和方法 |
| CN107643228A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-30 | 中国船舶重工集团公司第七〇九研究所 | 测量汞蒸气的芯片及其制备方法、传感器及其使用方法 |
| CN108165928A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-15 | 电子科技大学 | 一种FeGa合金衬底的AlN薄膜及其制备方法 |
| CN108205118A (zh) * | 2016-12-19 | 2018-06-26 | 南京理工大学 | 一种谐振型磁传感器敏感单元及数字频率输出磁传感器 |
| CN108879071A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-11-23 | 西安电子科技大学 | 基于磁致伸缩压电材料的磁电天线及其制备方法 |
| CN109188407A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-01-11 | 电子科技大学 | 基于磁致伸缩金属衬底的磁声纳传感器及其制备方法 |
| CN110118946A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-08-13 | 华中科技大学 | 一种谐振式磁传感器 |
| CN110320481A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-11 | 南京理工大学 | 一种基于磁电-电致变色效应的磁场可视化传感器 |
| CN110794345A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-14 | 青岛大学 | 一种fm/fe/fm多铁异质结及磁电耦合传感器 |
| CN111044770A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-04-21 | 中国科学院声学研究所 | 一种基于单端谐振器的无线无源声表面波电流传感器 |
| CN111082772A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-28 | 广东工业大学 | 一种基于磁致伸缩效应的体声波滤波器及其制作方法 |
| CN111162754A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-05-15 | 广东工业大学 | 一种磁致伸缩声波滤波器封装结构及其制作方法 |
| CN111537921A (zh) * | 2020-04-22 | 2020-08-14 | 西安交通大学 | 一种悬臂梁式mems磁传感器及其制备方法 |
| CN111830598A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-27 | 国家卫星气象中心(国家空间天气监测预警中心) | 一种节能型降水监测装置 |
| CN113406541A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-17 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统 |
| CN114062978A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-18 | 东南大学 | 一种基于压电隧道效应的mems磁场传感器及测量磁场方法 |
| CN114114098A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-03-01 | 东南大学 | 一种基于压电电子学的mems磁传感器及测量磁场方法 |
| CN114659540A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-06-24 | 电子科技大学 | 基于磁偏置结构的高灵敏度声表面波矢量磁场传感系统 |
| US11698420B2 (en) | 2021-03-10 | 2023-07-11 | Lomare Chip Technology Changzhou Co., Ltd. | Magnetic sensor including a multilayer structure comprising a piezomagnetic component, a magnetostrictive component and a piezoelectric component |
-
2014
- 2014-11-28 CN CN201420738722.2U patent/CN204495981U/zh active Active
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105158711A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-12-16 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 一种z轴磁场加载装置 |
| CN105158711B (zh) * | 2015-07-31 | 2018-05-11 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 一种z轴磁场加载装置 |
| CN106556803A (zh) * | 2015-09-24 | 2017-04-05 | 南京理工大学 | 一种谐振型磁传感器 |
| US10605788B2 (en) * | 2016-06-20 | 2020-03-31 | AAC Technologies Pte. Ltd. | Saw magnetic sensor and manufacturing method for same |
| CN106154186A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-11-23 | 瑞声声学科技(常州)有限公司 | 声表面波磁传感器及其制备方法 |
| US20170363584A1 (en) * | 2016-06-20 | 2017-12-21 | AAC Technologies Pte. Ltd. | Saw magnetic sensor and manufacturing method for same |
| CN106569000A (zh) * | 2016-10-08 | 2017-04-19 | 中国电力科学研究院 | 一种对电流进行无线无源检测的系统和方法 |
| CN108205118A (zh) * | 2016-12-19 | 2018-06-26 | 南京理工大学 | 一种谐振型磁传感器敏感单元及数字频率输出磁传感器 |
| CN107643228A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-30 | 中国船舶重工集团公司第七〇九研究所 | 测量汞蒸气的芯片及其制备方法、传感器及其使用方法 |
| CN108165928A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-15 | 电子科技大学 | 一种FeGa合金衬底的AlN薄膜及其制备方法 |
| CN108879071A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-11-23 | 西安电子科技大学 | 基于磁致伸缩压电材料的磁电天线及其制备方法 |
| CN109188407A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-01-11 | 电子科技大学 | 基于磁致伸缩金属衬底的磁声纳传感器及其制备方法 |
| CN109188407B (zh) * | 2018-10-22 | 2022-12-06 | 电子科技大学 | 基于磁致伸缩金属衬底的磁声纳传感器及其制备方法 |
| CN110118946B (zh) * | 2019-04-19 | 2020-12-29 | 华中科技大学 | 一种谐振式磁传感器 |
| CN110118946A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-08-13 | 华中科技大学 | 一种谐振式磁传感器 |
| CN110320481A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-11 | 南京理工大学 | 一种基于磁电-电致变色效应的磁场可视化传感器 |
| CN110794345A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-14 | 青岛大学 | 一种fm/fe/fm多铁异质结及磁电耦合传感器 |
| CN111082772A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-28 | 广东工业大学 | 一种基于磁致伸缩效应的体声波滤波器及其制作方法 |
| CN111162754A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-05-15 | 广东工业大学 | 一种磁致伸缩声波滤波器封装结构及其制作方法 |
| CN111044770A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-04-21 | 中国科学院声学研究所 | 一种基于单端谐振器的无线无源声表面波电流传感器 |
| CN111537921B (zh) * | 2020-04-22 | 2022-02-01 | 西安交通大学 | 一种悬臂梁式mems磁传感器及其制备方法 |
| CN111537921A (zh) * | 2020-04-22 | 2020-08-14 | 西安交通大学 | 一种悬臂梁式mems磁传感器及其制备方法 |
| CN111830598A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-27 | 国家卫星气象中心(国家空间天气监测预警中心) | 一种节能型降水监测装置 |
| US11698420B2 (en) | 2021-03-10 | 2023-07-11 | Lomare Chip Technology Changzhou Co., Ltd. | Magnetic sensor including a multilayer structure comprising a piezomagnetic component, a magnetostrictive component and a piezoelectric component |
| CN113406541B (zh) * | 2021-06-18 | 2023-03-14 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统 |
| CN113406541A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-17 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统 |
| CN114114098A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-03-01 | 东南大学 | 一种基于压电电子学的mems磁传感器及测量磁场方法 |
| CN114062978A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-18 | 东南大学 | 一种基于压电隧道效应的mems磁场传感器及测量磁场方法 |
| CN114114098B (zh) * | 2021-11-15 | 2023-12-29 | 东南大学 | 一种基于压电电子学的mems磁传感器及测量磁场方法 |
| CN114062978B (zh) * | 2021-11-15 | 2024-02-02 | 东南大学 | 一种基于压电隧道效应的mems磁场传感器及测量磁场方法 |
| CN114659540A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-06-24 | 电子科技大学 | 基于磁偏置结构的高灵敏度声表面波矢量磁场传感系统 |
| CN114659540B (zh) * | 2022-03-29 | 2024-02-06 | 电子科技大学 | 基于磁偏置结构的高灵敏度声表面波矢量磁场传感系统 |
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