CN204425195U - 环绕式svg功率单元结构 - Google Patents

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樊得平
刘继新
王开青
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ShanDong TaiKai Power Electronic Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开一种环绕式SVG功率单元结构，包括壳体、以及分别设于壳体内的IGBT、IGBT用散热器、薄膜电容器和驱动大板，IGBT用散热器位于壳体内的中间位置，IGBT和薄膜电容器分别位于IGBT用散热器的前后两侧，驱动大板位于IGBT用散热器的上部，IGBT和薄膜电容器之间通过复合母排连接。该功率单元内部为环绕式紧凑结构，各器件围绕散热器进行环绕式布置，每个器件之间的距离合理选择匹配，减小了功率单元的整体体积，便于功率单元的生产、储备、安装、扩展和维修等。

Description

环绕式SVG功率单元结构
技术领域
本实用新型涉及高压静止性无功发生器补偿领域，尤其涉及一种SVG功率单元结构。
背景技术
现有技术中，高压无功补偿SVG的基本组成单元功率单元按照左右顺序依次排列，虽然排列简单，但造成相互之间连线长、交错复杂，不便于装配维修；触发线之间相互交叉连接，不利于干扰的降低；直流电压支撑母排采用普通铜板连接，直流侧杂散电感较高。功率单元壳体内空间利用不充分，造成成本及功率柜体体积增加，生产成本较高。
发明内容
为解决现有技术存在的上述问题，本实用新型提供了一种布局紧凑、内部各器件安装、检修方便的功率单元结构，本实用新型通过以下技术方案实现：
包括壳体、以及分别设于壳体内的IGBT、IGBT用散热器、薄膜电容器和驱动大板，IGBT用散热器位于壳体内的中间位置，IGBT和薄膜电容器分别位于IGBT用散热器的前后两侧，驱动大板位于IGBT用散热器的上部， IGBT和薄膜电容器之间通过复合母排连接。
该功率单元内部为环绕式紧凑结构，各器件围绕IGBT用散热器进行环绕式布置，每个器件之间的距离合理选择匹配，减小了功率单元的整体体积，便于功率单元的生产、储备、安装、扩展和维修等。
附图说明
图1为本实用新型的外部结构主视图；
图2为图1中的内部结构侧视立体图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
如图1和图2所示，IGBT用散热器4位于壳体1内的中间位置，IGBT3和薄膜电容器6分别位于IGBT用散热器4的前后两侧，驱动大板2位于IGBT用散热器4的上部， IGBT3和薄膜电容器6之间通过复合母排5连接。薄膜电容器6的数量根据设备容量进行调节，每一部分检修时，其余部分均不需要拆除。

Claims (1)

1. 一种环绕式SVG功率单元结构，包括壳体（1）、以及分别设于壳体（1）内的IGBT（3）、IGBT用散热器（4）、薄膜电容器（6）和驱动大板（2），其特征在于：IGBT用散热器（4）位于壳体（1）内的中间位置，IGBT（3）和薄膜电容器（6）分别位于IGBT用散热器（4）的前后两侧，驱动大板（2）位于IGBT用散热器（4）的上部， IGBT（3）和薄膜电容器（6）之间通过复合母排（5）连接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112152112A (zh) * 2020-09-12 2020-12-29 青岛鼎信通讯股份有限公司 一种高防护的有源不平衡补偿装置的散热机箱

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