CN204374656U - 一种待机时低功耗的过零电路 - Google Patents

一种待机时低功耗的过零电路 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开一种待机时低功耗的过零电路,包括:处理器、过零信号发生电路、第一可控开关和第二可控开关,所述处理器的一个输出端与所述第一可控开关的控制端连接,所述第一可控开关的一开关端与电源火线连接,所述第一可控开关的另一开关端与所述第二可控开关的控制端连接,所述第二可控开关的一开关端与电源火线连接,所述第二可控开关的另一开关端与所述过零信号发生电路的电源端一极连接,过零信号发生电路的电源端另一极与电源零线连接,所述过零信号发生电路的输出端与所述处理器的一个输入端连接。本实用新型在处理器不工作时,能够使电源火线不接入过零信号发生电路,避免浪费电源。

Description

一种待机时低功耗的过零电路
技术领域
本实用新型涉及过零电路相关技术领域,特别是一种待机时低功耗的过零电路。
背景技术
过零电路是指利用电网的电源正弦波从正半波到负半波过程中经过零点,通过将零点抽取出来以作计时基准使用的电路。
现有的过零电路如图1所示,其中,AC电源11是电网电源,从AC电源11经过分压电路12分压,通过信号采集光耦13进行高压隔离,再通过信号调理电路14调理后输出过零信号到处理器15。
现有技术在处理器15待机时,过零电路一直工作导致电能的无谓消耗。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术在处理器待机时仍然需要过零电路工作的技术问题,提供一种待机时低功耗的过零电路。
一种待机时低功耗的过零电路,包括:处理器、过零信号发生电路、第一可控开关和第二可控开关,所述处理器的一个输出端与所述第一可控开关的控制端连接,所述第一可控开关的一开关端与电源火线连接,所述第一可控开关的另一开关端与所述第二可控开关的控制端连接,所述第二可控开关的一开关端与电源火线连接,所述第二可控开关的另一开关端与所述过零信号发生电路的电源端一极连接,过零信号发生电路的电源端另一极与电源零线连接,所述过零信号发生电路的输出端与所述处理器的一个输入端连接。
进一步的,所述第一可控开关为继电器、光耦或可控硅,所述第二可控开关为继电器、光耦或可控硅。
进一步的,所述第一可控开关为第一光耦,所述第二可控开关为可控硅。
更进一步的,所述第一光耦的控制端包括第一光耦第一控制端和第一光耦第二控制端,第一光耦第一控制端与供电电源连接,第一光耦第二控制端与所述处理器的一个输出端连接,所述第一光耦的一开关端与电源火线连接,另一开关端与可控硅的控制端连接,可控硅的一开关端与电源火线连接,另一开关端与所述过零信号发生电路的电源端一极连接。
进一步的,所述第一可控开关为继电器,所述第二可控开关为可控硅。
更进一步的,所述处理器的一个输出端与继电器的控制端连接,所述继电器的一开关端与电源火线连接,所述继电器的另一开关端与所述可控硅的控制端连接,可控硅的一开关端与电源火线连接,另一开关端与所述过零信号发生电路的电源端一极连接。
进一步的,所述过零信号发生电路包括:第二光耦和三极管,所述第二光耦的控制端包括第二光耦第一控制端和第二光耦第二控制端,所述第二光耦第一控制端作为所述过零信号发生电路的电源端一极与所述第二可控开关的另一开关端连接,所述第二光耦第二控制端作为所述过零信号发生电路的电源端另一极与电源零线连接,所述第二光耦的一开关端与所述三极管的基极以及供电电源分别连接,所述第二光耦的另一开关端接地,所述三极管的发射极接地,所述三极管的集电极作为所述过零信号发生电路的输出端与所述处理器的一个输入端连接,且所述三极管的集电极还通过第一分压电阻与供电电源连接,通过第二分压电阻接地。
本实用新型通过第一可控开关和第二可控开关的配合,当处理器工作时,会向第一可控开关输出信号,使得第一可控开关两个开关端导通,从而将电源火线与第二可控开关的控制端导通,此时当火线的电压为高 电平时,则能够导通第二可控开关,使得火线接入过零信号发生电路的电源端一极,从而实现过零信号的输出。而在处理器不工作时,其不会向第一可控开关输出信号,此时第一可控开关的两个开关端断开,则第二可控开关的两个开关端也同时断开,使得电源火线不接入过零信号发生电路,避免浪费电源。
附图说明
图1为现有技术的电路模块示意图;
图2为本实用新型的电路模块示意图;
图3为本实用新型的最佳实施例的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的说明。
如图2所示为本实用新型一种待机时低功耗的过零电路的电路模块示意图,包括:处理器21、过零信号发生电路22、第一可控开关23和第二可控开关24,所述处理器21的一个输出端与所述第一可控开关23的控制端连接,所述第一可控开关23的一开关端与电源火线L连接,所述第一可控开关23的另一开关端与所述第二可控开关24的控制端连接,所述第二可控开关24的一开关端与电源火线L连接,所述第二可控开关24的另一开关端与所述过零信号发生电路22的电源端一极连接,过零信号发生电路22的电源端另一极与电源零线N连接,所述过零信号发生电路22的输出端与所述处理器21的一个输入端连接。
第一可控开关23和第二可控开关24根据控制端的信号,控制相应的两个开关端之间的通断。
处理器21在工作时向第一可控开关23的控制端输出信号,使得第一可控开关23两个开关端导通,从而将电源火线L与第二可控开关24的控制端导通,此时火线L相当于控制第二可控开关24的两开关端的通断,因此当火线L的电压为高电平时,则能够导通第二可控开关24,使得火线L接入过零信号发生电路22的电源端一极,从而实现过零信号的 输出。而在处理器21不工作时,其不会向第一可控开关23输出信号,此时第一可控开关23的两个开关端断开,则第二可控开关24的控制端无信号输入,则第二可控开关24的两个开关端也保持断开,避免向过零信号发生电路22输出电源。
在其中一个实施例中,所述第一可控开关23为继电器、光耦或可控硅,所述第二可控开关24为继电器、光耦或可控硅。
在其中一个实施例中,所述第一可控开关23为第一光耦,所述第二可控开关24为可控硅。
采用光耦和可控硅,从而实现对火线L的高压隔离。
优选地,如图3所示,所述第一光耦IC1的控制端包括第一光耦第一控制端311和第一光耦第二控制端313,第一光耦第一控制端311与供电电源VCC连接,第一光耦第二控制端313与所述处理器21的一个输出端连接,所述第一光耦IC1的一开关端316与电源火线L连接,另一开关端314与可控硅TR1的控制端连接,可控硅TR1的一开关端331与电源火线L连接,另一开关端332与所述过零信号发生电路22的电源端一极连接。
在其中一个实施例中,所述第一可控开关为继电器,所述第二可控开关为可控硅。
优选地,所述处理器的一个输出端与继电器的控制端连接,所述继电器的一开关端与电源火线连接,所述继电器的另一开关端与所述可控硅的控制端连接,可控硅的一开关端与电源火线连接,另一开关端与所述过零信号发生电路的电源端一极连接。
在其中一个实施例中,所述过零信号发生电路22包括:第二光耦IC2和三极管Q1,所述第二光耦IC2的控制端包括第二光耦第一控制端321和第二光耦第二控制端322,所述第二光耦第一控制端321作为所述过零信号发生电路22的电源端一极与所述第二可控开关24的另一开关端连接,所述第二光耦第二控制端322作为所述过零信号发生电路22的电源端另一极与电源零线N连接,所述第二光耦IC2的一开关端324与所述三极管Q1的基极以及供电电源5V分别连接,所述第二光耦IC2的另一 开关端323接地,所述三极管Q1的发射极接地,所述三极管Q1的集电极作为所述过零信号发生电路22的输出端与所述处理器21的一个输入端连接,且所述三极管Q1的集电极还通过第一分压电阻R9与供电电源5V连接,通过第二分压电阻R11接地。
作为本实用新型的最佳实施例,其电路结构如下:
第一光耦IC1的控制端包括第一光耦第一控制端311、第一光耦第二控制端313和第一光耦第三控制端312,其中第一光耦第三控制端312空接,第一光耦第一控制端311通过电阻R1与供电电源VCC连接,第一光耦第二控制端313与处理器21的一个输出端连接,接收处理器21的MCU控制信号,第一光耦IC1的一开关端316通过电阻R2与电源火线L连接,另一开关端314与可控硅TR1的控制端连接,第一光耦IC1的开关端315空接,同时第一光耦IC1的开关端314还通过电阻与可控硅的开关端332连接,可控硅TR1的一开关端331与电源火线L连接,另一开关端332通过两个分压电阻R4、R5与第二光耦IC2的第二光耦第一控制端321连接,第二光耦第二控制端322与电源零线N连接,第二光耦IC2的一开关端324通过电阻R7与三极管Q1的基极连接,且开关端324还通过电阻R6与供电电源5V连接,第二光耦IC2的另一开关端323接地VSS,三极管Q1的发射极接地VSS,三极管Q1的集电极通过电阻R10与处理器21的一个输入端连接,且三极管Q1的集电极还通过第一分压电阻R9与供电电源5V连接,通过第二分压电阻R11接地。
第一光耦IC1采用型号为TLP161J的光耦,而第二光耦IC2采用型号为PC814的光耦。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (7)

1.一种待机时低功耗的过零电路,其特征在于,包括:处理器、过零信号发生电路、第一可控开关和第二可控开关,所述处理器的一个输出端与所述第一可控开关的控制端连接,所述第一可控开关的一开关端与电源火线连接,所述第一可控开关的另一开关端与所述第二可控开关的控制端连接,所述第二可控开关的一开关端与电源火线连接,所述第二可控开关的另一开关端与所述过零信号发生电路的电源端一极连接,过零信号发生电路的电源端另一极与电源零线连接,所述过零信号发生电路的输出端与所述处理器的一个输入端连接。
2.根据权利要求1所述的待机时低功耗的过零电路,其特征在于,所述第一可控开关为继电器、光耦或可控硅,所述第二可控开关为继电器、光耦或可控硅。
3.根据权利要求1所述的待机时低功耗的过零电路,其特征在于,所述第一可控开关为第一光耦,所述第二可控开关为可控硅。
4.根据权利要求3所述的待机时低功耗的过零电路,其特征在于,所述第一光耦的控制端包括第一光耦第一控制端和第一光耦第二控制端,第一光耦第一控制端与供电电源连接,第一光耦第二控制端与所述处理器的一个输出端连接,所述第一光耦的一开关端与电源火线连接,另一开关端与可控硅的控制端连接,可控硅的一开关端与电源火线连接,另一开关端与所述过零信号发生电路的电源端一极连接。
5.根据权利要求1所述的待机时低功耗的过零电路,其特征在于,所述第一可控开关为继电器,所述第二可控开关为可控硅。
6.根据权利要求5所述的待机时低功耗的过零电路,其特征在于,所述处理器的一个输出端与继电器的控制端连接,所述继电器的一开关端与电源火线连接,所述继电器的另一开关端与所述可控硅的控制端连接,可控硅的一开关端与电源火线连接,另一开关端与所述过零信号发生电路的电源端一极连接。
7.根据权利要求1所述的待机时低功耗的过零电路,其特征在于, 所述过零信号发生电路包括:第二光耦和三极管,所述第二光耦的控制端包括第二光耦第一控制端和第二光耦第二控制端,所述第二光耦第一控制端作为所述过零信号发生电路的电源端一极与所述第二可控开关的另一开关端连接,所述第二光耦第二控制端作为所述过零信号发生电路的电源端另一极与电源零线连接,所述第二光耦的一开关端与所述三极管的基极以及供电电源分别连接,所述第二光耦的另一开关端接地,所述三极管的发射极接地,所述三极管的集电极作为所述过零信号发生电路的输出端与所述处理器的一个输入端连接,且所述三极管的集电极还通过第一分压电阻与供电电源连接,通过第二分压电阻接地。
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