CN204350117U - 一种场输出防切颈保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种场输出防切颈保护电路，包括继电器K、电阻R1、电感L1、光耦U1、单向可控硅VS和光耦U2。本实用新型提供一种避免因场输出电路故障导致CRT显像管切颈的场输出防切颈保护电路，检测端通过光耦隔离，并且取样回路输入阻抗很高，其阻抗是场偏转线圈的数十倍，对原机不会造成任何干扰问题，适合任何CRT彩电加装。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种保护电路，具体是一种场输出防切颈保护电路。
背景技术
大部分CRT彩电的场输出电路都采用直流耦合输出方式，其特点是输出功率大，场输出幅度及场线性、场中心等参数易于通过I2C总线调节控制，但这种电路的保护电路如果设计不合理，加之部分批次CRT尾部玻壳做得很薄等因素，一旦场输出电路出故障，容易导致场偏转线圈有不正常的直流电压，水平亮线就会打到屏幕的非中心位置，甚至打不到屏幕上，而是打到管颈很小的面积上，从而引起管颈局部温升骤增，很容易发生显像管切颈。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种避免因场输出电路故障导致CRT显像管切颈的场输出防切颈保护电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种场输出防切颈保护电路，包括继电器K、电阻R1、电感L1、光耦U1、单向可控硅VS和光耦U2，所述电感L1一端连接二极管D1正极，二极管D1负极分别连接电容C3、电阻R5、继电器K线圈和电阻R3，所述电感L1另一端分别连接电容C3另一端、电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电容C2和电阻R4，电阻R4另一端分别连接电容C2另一端、单向可控硅VS的G极、光耦U1引脚4和光耦U2引脚4，所述继电器K线圈另一端连接单向可控硅VS的A极，所述电阻R3另一端分别连接光耦U1引脚3和光耦U2引脚3，光耦U1引脚1分别连接光耦U2引脚2、电阻R2、电阻R1和电容C1，电容C1另一端分别连接电阻R2另一端、光耦U2引脚1、光耦U1引脚2、输入端Vi-和场偏转线圈v，所述电阻R1另一端分别连接继电器K触点K-1两端、输入端Vi+和场偏转线圈v另一端。
作为本实用新型再进一步的方案：所述光耦U1和光耦U2型号均为4N25。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种避免因场输出电路故障导致CRT显像管切颈的场输出防切颈保护电路，检测端通过光耦隔离，并且取样回路输入阻抗很高，其阻抗是场偏转线圈的数十倍，对原机不会造成任何干扰问题，适合任何CRT彩电加装。
附图说明
图1为场输出防切颈保护电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型实施例中，一种场输出防切颈保护电路，包括继电器K、电阻R1、电感L1、光耦U1、单向可控硅VS和光耦U2，电感L1一端连接二极管D1正极，二极管D1负极分别连接电容C3、电阻R5、继电器K线圈和电阻R3，电感L1另一端分别连接电容C3另一端、电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电容C2和电阻R4，电阻R4另一端分别连接电容C2另一端、单向可控硅VS的G极、光耦U1引脚4和光耦U2引脚4，继电器K线圈另一端连接单向可控硅VS的A极，电阻R3另一端分别连接光耦U1引脚3和光耦U2引脚3，光耦U1引脚1分别连接光耦U2引脚2、电阻R2、电阻R1和电容C1，电容C1另一端分别连接电阻R2另一端、光耦U2引脚1、光耦U1引脚2、输入端Vi-和场偏转线圈v，电阻R1另一端分别连接继电器K触点K-1两端、输入端Vi+和场偏转线圈v另一端。
光耦U1和光耦U2型号均为4N25。
本实用新型的工作原理是：正常情况下，场输出电路输出端的直流分量很小(即流经场偏转线圈的直流分量很小)，其交流分量通过电阻R1经电容C1滤除掉，此时，光耦U1、U2都处于截止状态，单向可控硅VS因得不到触发电压而截止，继电器K不动作，因场偏转线圈接于继电器K的常闭触点回路当中，场偏转线圈和场输出电路都处于正常工作状态。当场输出电路出故障时，场输出电路输出端有不正常的直流电压，该直流电压经电阻R1对电容C1充电(电容C1还有一定的延时作用，防止外界电波干扰引起误动作)，此时光耦U1、U2中必然有一只导通，从而触发单向可控硅VS导通，继电器K动作，其常闭触点K-1断开，切断场偏转线圈和场输出电路的回路，这样就避免了因场输出电路故障导致CRT切颈的问题，这时，图像上只会表现为水平亮线，而不会出现朦胧光栅和切颈的问题。
Claims (2)
1.一种场输出防切颈保护电路，包括继电器K、电阻R1、电感L1、光耦U1、单向可控硅VS和光耦U2，其特征在于，所述电感L1一端连接二极管D1正极，二极管D1负极分别连接电容C3、电阻R5、继电器K线圈和电阻R3，所述电感L1另一端分别连接电容C3另一端、电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电容C2和电阻R4，电阻R4另一端分别连接电容C2另一端、单向可控硅VS的G极、光耦U1引脚4和光耦U2引脚4，所述继电器K线圈另一端连接单向可控硅VS的A极，所述电阻R3另一端分别连接光耦U1引脚3和光耦U2引脚3，光耦U1引脚1分别连接光耦U2引脚2、电阻R2、电阻R1和电容C1，电容C1另一端分别连接电阻R2另一端、光耦U2引脚1、光耦U1引脚2、输入端Vi-和场偏转线圈v，所述电阻R1另一端分别连接继电器K触点K-1两端、输入端Vi+和场偏转线圈v另一端。
2.根据权利要求1所述的场输出防切颈保护电路，其特征在于，所述光耦U1和光耦U2型号均为4N25。
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