CN204331689U - 一种高透射率的电容式触控屏 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高透射率的电容式触控屏，它包括一双层式电容传感器，所述双层式电容传感器上设置有连接到透明的双面ITO玻璃上的X发射电极和Y接收电极组成的电极阵列，所述电极阵列通过三个触控屏芯片连接在MCU处理器上，该三个触控屏芯片分别是1#芯片、2#芯片、3#芯片，其中1#芯片、2#芯片栅接在X发射电极上，3#芯片栅接在Y接收电极上。本实用新型栅接时线路无交叉，电极设计成菱形图案电极阵列，边缘电极采用Dummy线可以有效的避免边缘的坐标不准确、游标跳动现象；本实用新型具有扫描速度快、定位准确、透过率高、稳定性好、支持双指触摸、能够识别压力等优点。

Description

一种高透射率的电容式触控屏

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体的说是涉及一种高透射率的电容式触控屏。

背景技术

随着电子信息化的高速发展，人们对物质的需求也越来越高，行业竞争显现的十分激烈。从没有电话、手机、网络的时代，发展到现在手机、电话、网络遍布全球的信息化时代，人们可以在任何时候、任何地方实现快速的信息沟通和共享，自苹果推出第一款触控屏手机以来，整个手机行业发生巨变，越来越多的产品都在应用触控屏，比如电子书、车载GPS、航空、银行、掌上电脑等等。触控屏的需求在不断的增加，客户对触控屏的要求也是越来越高，这使得许多触控屏制造商在不断的革新技术，提高产品性能。

　   投射式电容触控屏根据其扫描方式一般分为自电容和互电容两种：自电容通常是指扫描电极与地构成的电容。在玻璃表面有用ITO制成的横向与纵向的扫描电极，这些电极和地之间就构成一个电容的两极。当用手或触摸笔触摸的时候就会并联一个电容到电路中去，从而使在该条扫描线上的总体的电容量有所改变。在扫描的时候，控制IC依次扫描纵向和横向电极，并根据扫描前后的电容变化来确定触摸点的坐标位置。自容式扫描的优势是扫描速度快，扫描完一个扫描周期只需要扫描X+Y（X和Y分别是X轴和Y轴的扫描电极数量）根。其缺点是无法识别鬼点。

对于触控屏布线问题，需要保证每条扫描线的RC在范围之内就可，传统的布线方案要求很低的阻抗，势必导致ITO厚度的增加，随之而来的就是透过率的下降，因此传统的电容式触控屏需要改进。

实用新型内容

针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种高透射率的电容式触控屏。

为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：一种高透射率的电容式触控屏，它包括由外而内的层压在一起的表层玻璃、光学透明胶、双面ITO玻璃、光学透明胶、安装在表层玻璃下方的双层式电容传感器，所述双层式电容传感器上设置有连接到透明的双面ITO玻璃上的X发射电极和Y接收电极组成的电极阵列，所述电极阵列通过三个触控屏芯片连接在MCU处理器上，该三个触控屏芯片分别是1#芯片、2#芯片、3#芯片，其中1#芯片、2#芯片栅接在X发射电极上，3#芯片栅接在Y接收电极上，每个触控屏芯片另一端还设有4个引脚，1#芯片的4个引脚与MCU处理器的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS3引脚连接，2#芯片的4个引脚与MCU处理器的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS2引脚连接，3#芯片的4个引脚，与MCU处理器的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS1引脚连接。

进一步的，所述电极阵列为菱形图案电极阵列。

进一步的，所述菱形图案电极阵列的边缘电极增加有Dummy线，来保证线间的电容的匹配性。

进一步的，所述菱形图案电极阵列的菱形的锐角角度是45度。

进一步的，所述3#芯片与Y接收电极阵列的栅接为无交叉的连接方式。

进一步的，所述1#芯片、2#芯片、3#芯片的型号都是TANGO S32。

进一步的，所述菱形图案电极阵列的菱形图案对角线的长度在4.8~5.2mm之间。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果是：本实用新型高透射率的电容式触控屏通过三个TANGO S32触摸屏芯片与MCU处理器连接，栅接时线路无交叉，电极设计成菱形图案电极阵列，边缘电极采用Dummy线可以有效的避免边缘的坐标不准确、游标跳动现象；本实用新型具有扫描速度快、定位准确、透过率高、稳定性好、支持双指触摸、能够识别压力等优点。

附图说明

图1为本实用新型电极阵列、芯片、MCU处理器的连接关系示意图。

图2为本实用新型菱形图案电极阵列示意图。

图3为传统的边缘电极结构示意图。

图4为传统的边缘电极另一种结构示意图。

图5为本实用新型边缘电极结构示意图。

图6为传统的芯片与Y接收电极阵列的栅接为交叉连接方式示意图。

图7为本实用新型芯片与Y接收电极阵列的栅接为无交叉连接方式示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型的技术方案进行详细的阐述。

请参照附图1~2，本实用新型的一种高透射率的电容式触控屏，它包括由外而内的层压在一起的表层玻璃、光学透明胶、双面ITO玻璃、光学透明胶、安装在表层玻璃下方的双层式电容传感器，其特征在于：所述双层式电容传感器上设置有连接到透明的双面ITO玻璃上的X发射电极和Y接收电极组成的电极阵列2，所述电极阵列2通过三个触控屏芯片连接在MCU处理器1上，该三个触控屏芯片分别是1#芯片3、2#芯片4、3#芯片5，其中1#芯片3、2#芯片4栅接在X发射电极上，3#芯片5栅接在Y接收电极上，所述1#芯片3、2#芯片4、3#芯片5的型号都是TANGO S32，每个触控屏芯片另一端还设有4个引脚，1#芯片3的4个引脚与MCU处理器1的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS3引脚连接，2#芯片4的4个引脚与MCU处理器1的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS2引脚连接，3#芯片5的4个引脚，与MCU处理器1的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS1引脚连接。

请参照附图2，所述电极阵列2为菱形图案电极阵列6，所述菱形图案电极阵列6的菱形的锐角角度是45度，其菱形图案对角线的长度在4.8~5.2mm之间。如果菱形图案对角线长度大于6mm，当用手触摸屏幕时，和相邻的电极没有产生足够的感应电容，影响其定位的准确性和解析度，而处于5mm左右的时候，就可以和相邻电极产生足够的感应电容，解析度可以达到512。

如图3~4所示，两个图都为传统的边缘电极结构示意图，XY扫描线之间没有任何的隔绝措施，XY扫描线相互混乱，会造成信号不准，触摸跳屏等现象。请参照附图5，本实用新型在XY扫描线之间增加了Dummy线8，用于隔绝X电极、Y电极之间的信号，避免产生信号混乱。

请参照附图6，附图6为传统的芯片与Y接收电极阵列的栅接为交叉连接方式示意图。请参照附图7，所述3#芯片5与Y接收电极阵列的栅接为无交叉的连接方式，这种连接方式可以保证线间电容的匹配性。

本实用新型高透射率的电容式触控屏通过三个TANGO S32触摸屏芯片与MCU处理器连接，栅接时线路无交叉，电极设计成菱形图案电极阵列，边缘电极采用Dummy线可以有效的避免边缘的坐标不准确、游标跳动现象；本实用新型具有扫描速度快、定位准确、透过率高、稳定性好、支持双指触摸、能够识别压力等优点。

以上所述仅为本实用新型的优选实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种高透射率的电容式触控屏，它包括由外而内的层压在一起的表层玻璃、光学透明胶、双面ITO玻璃、光学透明胶、安装在表层玻璃下方的双层式电容传感器，其特征在于：所述双层式电容传感器上设置有连接到透明的双面ITO玻璃上的X发射电极和Y接收电极组成的电极阵列（2），所述电极阵列（2）通过三个触控屏芯片连接在MCU处理器（1）上，该三个触控屏芯片分别是1#芯片（3）、2#芯片（4）、3#芯片（5），其中1#芯片（3）、2#芯片（4）栅接在X发射电极上，3#芯片（5）栅接在Y接收电极上，每个触控屏芯片另一端还设有4个引脚，1#芯片（3）的4个引脚与MCU处理器（1）的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS3引脚连接，2#芯片（4）的4个引脚与MCU处理器（1）的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS2引脚连接，3#芯片（5）的4个引脚，与MCU处理器（1）的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS1引脚连接。

2.根据权利要求1所述的一种高透射率的电容式触控屏，其特征在于：所述电极阵列（2）为菱形图案电极阵列（6）。

3.根据权利要求2所述的一种高透射率的电容式触控屏，其特征在于：所述菱形图案电极阵列（6）的边缘电极增加有Dummy线（8），来保证线间的电容的匹配性。

4.根据权利要求2所述的一种高透射率的电容式触控屏，其特征在于：所述菱形图案电极阵列（6）的菱形的锐角角度是45度。

5.根据权利要求1所述的一种高透射率的电容式触控屏，其特征在于：所述3#芯片（5）与Y接收电极阵列的栅接为无交叉的连接方式。

6.根据权利要求1所述的一种高透射率的电容式触控屏，其特征在于：所述1#芯片（3）、2#芯片（4）、3#芯片（5）的型号都是TANGO S32。

7.根据权利要求2所述的一种高透射率的电容式触控屏，其特征在于：所述菱形图案电极阵列（6）的菱形图案对角线的长度在4.8~5.2mm之间。