CN204316475U - 一种mos管驱动电路 - Google Patents
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Abstract
一种MOS管驱动电路，属于电动汽车技术领域，包括Q1、Q2和Q3构成的多级放大电路，其特征是，Q1的基级为MOS管主驱动电路的输入端，经电阻R1接单片机脉宽调制输入信号，集电极经电阻R2、二极管D1接驱动电源，发射极经电阻R3接地；Q2的发射极经二极管D1接驱动电源，Q2和Q3之间连接有稳压二极管D2；Q3的发射极为MOS管主驱动电路的输出端，通过电阻R5与MOS管的栅极电连接，基极经电阻R4接地，在MOS管基极与集电极之间连接二极管D3。本实用新型电路简单，成本低，能够降低MOS管的热损耗，并吸收浪涌电压，有较强的实用性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种MOS管驱动电路，属于电动汽车技术领域。
背景技术
在电动自行车行业领域内，控制器的返修80％以上都是因为MOS管的损坏。MOS管在电路工作过程中，开通后，MOS管通过的电流虽然很大，但是只要它是饱和导通的，它的压降非常低，功耗小；关断后，MOS管承受的电压虽然很大，但是漏电流非常小，管功耗也很小。因此，MOS管的热功耗主要是由于频繁的开通和关断引起的。MOS管开通时，因为输入电容的缘故，在栅极驱动脉冲电压到来时，输入电容有充电的过程，栅极电压缓慢上升，漏极电流随着栅极电压上升而上升，直到达到稳定状态，在这段时间内，功率管的压降跟漏极电流的上升存在一个交叠区，由此产生开通损耗。同样的道理，当MOS管关断时，输入电容有放电过程，漏极电流逐渐下降，功率管压降逐渐上升，不能立即下降到0的电流和逐步上升的压降产生关断损耗。
MOS管在导通时电流冲击大，易产生过电流；在关断的时候，易产生浪涌电压。由于电机绕组呈感抗特性，起到“扼流”的作用。
本专利申请人的关联公司于2009年公开了名称为一种MOS管驱动电路的专利，公开号为CN201403045Y，本申请是在上述专利基础上的进一步改进。
发明内容
本实用新型提供一种MOS管驱动电路，其能够降低MOS管的热损耗，并吸 收浪涌电压。
本实用新型具体采用的技术方案是：
一种MOS管驱动电路，包括Q1、Q2和Q3构成的多级放大电路，其特征是，Q1的基级为MOS管主驱动电路的输入端，经电阻R1接单片机脉宽调制输入信号，集电极经电阻R2、二极管D1接驱动电源，发射极经电阻R3接地；Q2的发射极经二极管D1接驱动电源，Q2和Q3之间连接有稳压二极管D2；Q3的发射极为MOS管主驱动电路的输出端，通过电阻R5与MOS管的栅极电连接，基极与集电极之间设有电阻R4，在MOS管基极与集电极之间连接二极管D3。
进一步，在每个MOS管漏极上连接RCD电路，所述RCD电路包括串联的电容和二极管，电容接MOS管漏极二极管接MOS管源极，电容和二极管之间连接电阻接地。
与现有技术相比，本实用新型电路简单，成本低，能够降低MOS管的热损耗，并吸收浪涌电压，有较强的实用性。
附图说明
图1是本实用新型的MOS管驱动电路示意图；
图2是本实用新型的RCD电路示意图。
具体实施方式
如图1所示，一种MOS管驱动电路，包括Q1、Q2和Q3构成的多级放大电路，Q1的基级为MOS管主驱动电路的输入端，经电阻R1接单片机脉宽调制输入信号，集电极经电阻R2、二极管D1接驱动电源，发射极经电阻R3接地；Q2的发射极经二极管D1接驱动电源，Q2和Q3之间连接有稳压二极管D2；Q3的发射极为MOS管主驱动电路的输出端，通过电阻R5与MOS管的栅极电连接， 基极与集电极之间设有电阻R4，在MOS管基极与集电极之间连接二极管D3。
当单片机输出为高电平时，Q1导通，Q2导通，Q3截止，MOS管栅极电容开始充电，MOS管由截止变为导通；当单片机输出为低电平时，Q1截止，Q2截止，Q3导通，MOS管栅极电容开始放电，MOS管由导通变为截止。
如图2所示，本图绘制了两个MOS管，分别为VT1和VT2，以VT1为例，MOS管VT1由导通变为关断时，大部分电路经电容C1、二极管VD1流过，VT1漏极和源极间电压不能迅速升高，维持在接近于0的水平上，而通过VT1的电流很快下降到0。当通过VT1的电路下降到0之后，其漏极和源极间电压降才犹豫电容充电而升高，所以关断过程接近零电压关断。电容的充电能量在VT1开通时经由R1消耗，所示其能降低MOS管的热损耗。
Claims (2)
1.一种MOS管驱动电路，包括三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3构成的多级放大电路，其特征是，三极管Q1的基级为MOS管主驱动电路的输入端，经电阻R1接单片机脉宽调制输入信号，集电极经电阻R2、二极管D1接驱动电源，发射极经电阻R3接地；三极管Q2的发射极经二极管D1接驱动电源，三极管Q2和三极管Q3之间连接有稳压二极管D2；三极管Q3的发射极为MOS管主驱动电路的输出端，通过电阻R5与MOS管的栅极电连接，基极与集电极之间设有电阻R4，在MOS管基极与集电极之间连接二极管D3。
2.根据权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征是，在每个MOS管漏极上连接RCD电路，所述RCD电路包括串联的电容和二极管，电容接MOS管漏极二极管接MOS管源极，电容和二极管之间连接电阻接地。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN106067800A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-02 | 浙江桃园科技有限公司 | Nmos管高电压高速驱动电路 |
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2014
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