CN204316439U - 一种高倍频次数倍频器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高倍频次数倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，微波电路，与微波电路相连接的控制电路，以及与控制电路相连接的锁相环电路组成，其特征在于：在压控振荡电路和微波电路之间还设置有倍频电路；所述倍频电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与压控振荡电路相连接的电容C7，一端与电容C7的负极相连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R3等组成；本实用新型设置有倍频电路，其可以增加倍频器的倍频次数，使倍频器应用更广泛。

Description

一种高倍频次数倍频器

技术领域

本实用新型涉及电子领域，具体是指一种高倍频次数倍频器。

背景技术

倍频器使输出信号频率等于输入信号频率整数倍的电路。随着电子技术的不断发展，倍频器应用越来越广泛，如发射机采用倍频器后可使主振器振荡在较低频率，以提高频率稳定度；调频设备用倍频器来增大频率偏移；在相位键控通信机中，倍频器是载波恢复电路的一个重要组成单元。然而目前使用的倍频器其倍频次数较低，不能满足人们需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服目前的倍频器倍频次数过低的缺陷，提供一种高倍频次数倍频器。

本实用新型的目的用以下技术方案实现：一种高倍频次数倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，微波电路，与微波电路相连接的控制电路，以及与控制电路相连接的锁相环电路组成，在压控振荡电路和微波电路之间还设置有倍频电路；所述倍频电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与压控振荡电路相连接的电容C7，一端与电容C7的负极相连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R3，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电感L3，以及正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与微波电路相连接的电容C8组成；所述三极管VT1的发射极与三极管VT2的基极相连接、集电极与三极管VT2的集电极相连接，电阻R3和电阻R4的连接点同时与压控振荡电路和微波电路相连接。

所述的所述的缓冲电路包括电容C1，电容C2，电感L1，电感L2；电容C1的负极经电感L1和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，电容C2的负极与电感L1和电感L2的连接点相连接、正极与电容C1的正极相连接。

所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻R1后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚与电感L2相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚作为电路的一输入端、THRES管脚与TRIG管脚相连接。

所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，电容C9，电容C10，电容C11组成；二极管D2的P极经二极管D1后与电容C8的负相连接、N极与控制电路相连接，二极管D3的N极经电容C10后与二极管D2的P极相连接、其P极则经电容C9后同时与电容C8的负极以及控制电路相连接，电容C11的正极与二极管D3的N极相连接、负极与电容C8的负极相连接；所述二极管D2的P极还与电容C6的负极相连接、二极管D3的N极还与控制电路相连接。

所述的控制电路由三极管VT3，三极管VT4，P极与电容C8的负极相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R5，以及P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与二极管D3的N极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT3的发射极与三极管VT4的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT4的集电极接地、发射极同时与二极管D3的N极以及锁相环电路相连接。

所述锁相环电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT5的基极相连接的电容C12，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端经电阻R6和电阻R8后与三极管VT5的集电极相连接的电阻R7，负极经电阻R10和电阻R9后与三极管VT6的集电极相连接、正极与三极管VT5的发射极相连接的电容C13，以及负极经电阻R12和电阻R11后与其正极相连接的电容C14组成；所述三极管VT7的集电极与电容C14的负极相连接、发射极与三极管VT6的发射极相连接、基极与电容C13的负极相连接，三极管VT6的基极与电容C14的正极相连接、发射极与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极与三极管VT4的发射极相连接，电阻R6和电阻R7的连接点与电容C12的负极相连接，电阻R12和电阻R11的连接点与电阻R10和电阻R9的连接点、以及电阻R8和电阻R6的连接点均相互连接。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

(1)本实用新型设置有倍频电路，其可以增加倍频器的倍频次数，使倍频器应用更广泛。

(2)本实用新型其能够使倍频器输出稳定的信号，避免产生噪音。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例

如图1所示，本实用新型的高倍频次数倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，微波电路，与微波电路相连接的控制电路，以及与控制电路相连接的锁相环电路组成。为了实现本实用新型的目的，在压控振荡电路和微波电路之间还设置有倍频电路。

其中，倍频电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与压控振荡电路相连接的电容C7，一端与电容C7的负极相连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R3，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电感L3，以及正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与微波电路相连接的电容C8组成；所述三极管VT1的发射极与三极管VT2的基极相连接、集电极与三极管VT2的集电极相连接，电阻R3和电阻R4的连接点同时与压控振荡电路和微波电路相连接。倍频电路可以使输出的信号幅度增大，从而可以增加倍频器的倍频次数。

所述的所述的缓冲电路包括电容C1，电容C2，电感L1，电感L2；电容C1的负极经电感L1和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，电容C2的负极与电感L1和电感L2的连接点相连接、正极与电容C1的正极相连接。

压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻R1后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚与电感L2相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚作为电路的一输入端、THRES管脚与TRIG管脚相连接。为了保证实施效果，振荡芯片U优选为NE555集成芯片。

所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，电容C9，电容C10，电容C11组成；二极管D2的P极经二极管D1后与电容C8的负相连接、N极与控制电路相连接，二极管D3的N极经电容C10后与二极管D2的P极相连接、其P极则经电容C9后同时与电容C8的负极以及控制电路相连接，电容C11的正极与二极管D3的N极相连接、负极与电容C8的负极相连接；所述二极管D2的P极还与电容C6的负极相连接、二极管D3的N极还与控制电路相连接。

为了使振荡频率严格的锁定在输入频率的倍乘值上，因此设置了控制电路。其由三极管VT3，三极管VT4，P极与电容C8的负极相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R5，以及P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与二极管D3的N极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT3的发射极与三极管VT4的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT4的集电极接地、发射极同时与二极管D3的N极以及锁相环电路相连接。

所述锁相环电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT5的基极相连接的电容C12，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端经电阻R6和电阻R8后与三极管VT5的集电极相连接的电阻R7，负极经电阻R10和电阻R9后与三极管VT6的集电极相连接、正极与三极管VT5的发射极相连接的电容C13，以及负极经电阻R12和电阻R11后与其正极相连接的电容C14组成；所述三极管VT7的集电极与电容C14的负极相连接、发射极与三极管VT6的发射极相连接、基极与电容C13的负极相连接，三极管VT6的基极与电容C14的正极相连接、发射极与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极与三极管VT4的发射极相连接，电阻R6和电阻R7的连接点与电容C12的负极相连接，电阻R12和电阻R11的连接点与电阻R10和电阻R9的连接点、以及电阻R8和电阻R6的连接点均相互连接。通过锁相环电路的作用，使倍频器能够输出稳定的信号，从而避免在倍频时产生噪音。

如上所述，便可很好的实现本实用新型。

Claims (6)

1.一种高倍频次数倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，微波电路，与微波电路相连接的控制电路，以及与控制电路相连接的锁相环电路组成，其特征在于：在压控振荡电路和微波电路之间还设置有倍频电路；所述倍频电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与压控振荡电路相连接的电容C7，一端与电容C7的负极相连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R3，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电感L3，以及正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与微波电路相连接的电容C8组成；所述三极管VT1的发射极与三极管VT2的基极相连接、集电极与三极管VT2的集电极相连接，电阻R3和电阻R4的连接点同时与压控振荡电路和微波电路相连接。

2.根据权利要求1所述的一种高倍频次数倍频器，其特征在于：所述的所述的缓冲电路包括电容C1，电容C2，电感L1，电感L2；电容C1的负极经电感L1和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，电容C2的负极与电感L1和电感L2的连接点相连接、正极与电容C1的正极相连接。

3.根据权利要求2所述的一种高倍频次数倍频器，其特征在于：所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻R1后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚与电感L2相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚作为电路的一输入端、THRES管脚与TRIG管脚相连接。

4.根据权利要求3所述的一种高倍频次数倍频器，其特征在于：所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，电容C9，电容C10，电容C11组成；二极管D2的P极经二极管D1后与电容C8的负相连接、N极与控制电路相连接，二极管D3的N极经电容C10后与二极管D2的P极相连接、其P极则经电容C9后同时与电容C8的负极以及控制电路相连接，电容C11的正极与二极管D3的N极相连 接、负极与电容C8的负极相连接；所述二极管D2的P极还与电容C6的负极相连接、二极管D3的N极还与控制电路相连接。

5.根据权利要求4所述的一种高倍频次数倍频器，其特征在于：所述的控制电路由三极管VT3，三极管VT4，P极与电容C8的负极相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R5，以及P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与二极管D3的N极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT3的发射极与三极管VT4的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT4的集电极接地、发射极同时与二极管D3的N极以及锁相环电路相连接。

6.根据权利要求5所述的一种高倍频次数倍频器，其特征在于：所述锁相环电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT5的基极相连接的电容C12，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端经电阻R6和电阻R8后与三极管VT5的集电极相连接的电阻R7，负极经电阻R10和电阻R9后与三极管VT6的集电极相连接、正极与三极管VT5的发射极相连接的电容C13，以及负极经电阻R12和电阻R11后与其正极相连接的电容C14组成；所述三极管VT7的集电极与电容C14的负极相连接、发射极与三极管VT6的发射极相连接、基极与电容C13的负极相连接，三极管VT6的基极与电容C14的正极相连接、发射极与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极与三极管VT4的发射极相连接，电阻R6和电阻R7的连接点与电容C12的负极相连接，电阻R12和电阻R11的连接点与电阻R10和电阻R9的连接点、以及电阻R8和电阻R6的连接点均相互连接。