CN204289663U - 一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，包括上层微带结构，中间层介质基板和下层接地金属板。滤波器由两个谐振器和两条馈电线组成，两个谐振器左右对称，并且馈电线也呈左右对称结构。每个谐振器包括一条两端开路的主传输微带线、一条加载在半波长主传输线中点的开路枝节线。这条中心加载谐振器有两个谐振模式或者说谐振路径，其中基波的谐振路径是较长半波长谐振通路，由于引入了对称式的馈电方式，产生了选择性电磁耦合，从而抑制了基波的通带，而只保留了高通带。本实用新型具有在30G频段容易加工制造，阻带宽，通带选择性好，不附带多余电路的特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种毫米波带通滤波器，特别是涉及一种抑制基波的，尺寸较大的，可用PCB制版技术实现的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器。
背景技术
随着毫米波工程的发展，毫米波的应用正在向着更高频段发展，同时也遇到了新的问题，如更高的频率意味着更小的电路尺寸，使得电路加工难度大，制造成本高。因此对成本较低的，尺寸较大的，易于加工的毫米波滤波器有着较为迫切的需求。
目前许多研究者已经将许多种技术用于毫米波带通滤波器的设计，其中有几种典型的方法。第一种方法是采用具有多层结构和高制造精度的低温共烧陶瓷技术（LTCC）设计毫米波带通滤波器，如S. W. Wong, Z. N. Chen, and Q. X. Chu, (2012), ‘Microstrip-line millimeter-wave bandpass filter using interdigital coupled-line’, Electron Lett., 48, pp. 224-225.。第二种方法是采用COMS（bulk complementary metal oxide semiconductor）设计毫米波带通滤波器，如使用慢波结构的B. Yang, E. Skafidas, and R. J. Evans, (2012), ‘Slow-wave slot microstrip transmission line and bandpass filter for compact millimeter-wave integrated circuits on bulk complementary metal oxide semiconductor’, IET Microw. Antennas Propag., 6, pp. 1548-1555.和H. -R. Lin, C. -Y. Hsu, H. -R. Chuang, and C. -Y. Chen, (2012), ‘A 77-GHz miniaturized slow-wave SIR bandpass filter fabricated using 0.18-um standard CMOS technology’, Microwave Opt Technol Lett., 54, pp. 1063–1066。以及使用阶跃阻抗谐振器的S. -C. Chang, Y. -M. Chen, S. -F. Chang, Y. -H. Jeng, C. -L. Wei, C. -H. Huang, and C. -P. Jeng, (2010), ‘Compact millimeter-wave CMOS bandpass filters using grounded pedestal stepped-impedance technique’, IEEE Trans Microw Theory Tech., 58, pp. 3850-3858。第三种方法是采用介质集成波导技术（SIW）、集成无源器件技术（IPD）设计毫米波带通滤波器，如C. Y. Hsiao, S. S. H. Hsu, and D. C. Chang, (2011), ‘A compact V-band bandpass filter in IPD technology’, IEEE Microw Wireless Compon. Lett., 21, pp. 531-533.以及X. P. Chen, and K. Wu, (2012) ‘Self-packaged millimeter-wave substrate integrated waveguide filter with asymmetric frequency response’, IEEE Trans Compon Package Manufact Tech., 2, pp. 775-782。本实用新型采用的PCB制版技术可实现的平面微带线结构。
现阶段，毫米波带通滤波器已经引起了很多的关注。如J. –H. Lee, S. Pinel, J. Laskar, and M. M. Tentzeris, (2007), ‘Design and development of advanced cavity-based dual-mode filters using low-temperature co-fired ceramic technology for V-band gigabit wireless systems’, IEEE Trans Microw Theory Tech., 55, pp. 1869-1879。但它采用了LTCC技术，加工难度较大，制作成本较高，为了解决这个问题，本实用新型提供新的实现大尺寸的抑制基波的毫米波带通滤波器。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的上述不足，提供一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波带通滤波器。
为实现本实用新型目的，本实用新型所采用的技术方案如下：
一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，包括上层微带结构、中间层介质基板和下层接地金属板；上层微带结构附着在中间层介质基板上表面，下层接地金属板附着在中间层介质基板下表面；上层微带结构包括两条馈电线和两个谐振器；两个谐振器呈中轴对称，并且结构相同，谐振器工作在低通带时等效为半波长谐振器，工作在高通带时也等效为半波长谐振器，但是两条谐振路径是不同的，所述滤波器的其中一条馈电线在输入端口处分成两路，分别对称地沿着中心加载谐振器的外边缘进行耦合馈电，另外一条馈电线在输出端口处分成两路，分别对称地沿着另一个中心加载谐振器进行耦合馈电。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，谐振器包括一个半波长主传输微带线和一个加载在该谐振器中心的开路枝节线，其中半波长主传输微带线部分由第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线依次连接而成，第四微带线的一端和第九微带线的一端都开路，另一端分别与微带线的两端相连，加载在第六微带线中心的开路枝节线是第七微带线，它一端连接在半波长主传输微带线的中间，另一端开路。谐振器工作在低通带的时候谐振路径是第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线、第九微带线所组成的对应低通带的半波长路径，工作在高通带的时候谐振路径是第四微带线、第五微带线、第六微带线的一半和第七微带线所组成的对应高频率的半波长路径。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，每个谐振器的半波长主传输微带线的长度L的电长度基波谐振频率f 1对应的波长的一半； L/2+L 1为所述双带通滤波器的高谐振频率f 2对应的波长λ的一半，L 1为第七微带线的长度；半波长主传输微带线长度L为第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线的长度之和。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，谐振器的半波长主传输微带线部分由第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线依次连接而成，两个谐振器关于中轴对称，呈两个背靠背的E型结构。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，所述其中一条馈电线由第一微带线、第二微带线、第三微带线、第十九微带线组成，第一微带线一端开路，另一端与第二微带线一端相连，第二微带线另一端与第三微带线一端相连，第三微带线另一端开路，第十九微带线一端开路，另一端垂直搭接在第二微带线的中心；另一条馈电线由第十微带线、第十一微带线、第十二微带线、第二十微带线组成，第十微带线一端开路，另一端与第十一微带线一端相连，第十一微带线另一端与第十二微带线一端相连，第十二微带线另一端开路，第二十微带线一端开路，另一端垂直搭接在第十一微带线上的中心；接在输入端口之后的馈电线分成两路，其中一路包括第一微带线和第二微带线的一半；另一路包括第三微带线和第二微带线的另一半；其中第一微带线与半波长主传输微带线的第八微带线之间有0.1±0.05 mm的间隙来实现平行耦合；第三微带线与半波长主传输微带线的第五微带线之间有0.1±0.05 mm的间隙来实现平行耦合；第二微带线和第四微带线以及第九微带线之间有0.1±0.05 mm的间隙来实现平行耦合。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，所述接在输出端口之前的馈电线分成两路，一路包括第十微带线和第十一微带线的一半；另一路包括第十二微带线与第十一微带线的另一半。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，所述滤波器的通带固定在30GHz，在很宽一段频带范围内都有很好的抑制水平；第一微带线的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm,第二微带线的长度为4.2±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm, 第三微带线的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第十九微带线接输入端口，其特性阻抗为50Ω，长度为1.3±0.02mm，宽度为0.8±0.03mm,第四微带线的长度为1.2±0.04mm，宽度为0.2±0.02mm，第五微带线的长度为0.8±0.01mm，宽度为0.2±0.02mm，第六微带线的长度为3.6±0.01mm，宽度为0.2±0.02mm，第七微带线的长度为0.6±0.05mm，宽度为0.2±0.02mm，第八微带线的长度为0.8±0.01mm，宽度为0.2±0.02mm，第九微带线的长度为1.2±0.04mm，宽度为0.2±0.02mm，第十微带线的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第十一微带线的长度为4.2±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第十二微带线的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第二十微带线接输出端口，其特性阻抗为50Ω，长度为1.3±0.02mm，宽度为0.8±0.03mm,第一微带线和第八微带线的间距为0.1+0.05mm第三微带线和第五微带线的间距为0.1±0.05mm，第二微带线和第四微带线以及第九微带线之间的间距为0.1±0.05 mm。
相对于现有技术，本实用新型具有如下优点：
（1）采用半波长主传输微带线两端开路，中心加载开路枝节线，使用两个谐振器，实现双模谐振的功能。
（2）由于采用双模谐振器，采用选择性耦合，抑制了基波谐振频率，所以滤波器在工作频率上算是大尺寸，便于加工。整个电路大小为0.37lg′0.58lg，lg是低频对应的波长。
（3）采用选择性耦合的方式抑制基波，阻带范围很宽，在馈电线和谐振器之间的没有引入附加电路，结构简单。
附图说明
图1是采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器结构图。
图2a是选择性耦合抑制基波的电磁耦合结构的微带线耦合区域示意图，
图2b是馈电线上的奇偶模电压示意图；
图2c为谐振器部分耦合区域内的奇偶模电压示意图。
图3是采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器示意图。
图4是馈电端口不对称的仿真结果图，基波没有得到抑制。
图5是仿真和测试的滤波器的插入损耗图。
图6是仿真和测试的滤波器的回波损耗图。
图7是局部的低通带的仿真和测试的滤波器的插入损耗图。
图8是局部的低通带的仿真和测试的滤波器的回波损耗图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明，但本实用新型要求保护的范围并不局限于下例表述的范围。
如图1所示， 采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器（使用PCB制版这种简单低成本的工艺实现），包括上层微带结构、中间层介质基板和下层接地金属板；上层微带结构附着在中间层介质基板上表面，下层接地金属板附着在中间层介质基板下表面；其特征在于：上层微带结构包括两条馈电线和两个谐振器；两个谐振器呈中轴对称，并且结构相同，谐振器工作在低通带时等效为半波长谐振器，工作在高通带时也等效为半波长谐振器，但是两条谐振路径是不同的；所述滤波器的其中一条馈电线在输入端口处分成两路，分别对称地沿着中心加载谐振器的外边缘进行耦合馈电；另外一条馈电线在输出端口处分成两路，分别对称地沿着另一个中心加载谐振器进行耦合馈电。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，谐振器包括一个半波长主传输微带线和一个加载在该谐振器中心的开路枝节线。其中半波长主传输微带线部分由第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线依次连接而成，第四微带线的一端和第九微带线的一端都开路，另一端分别与微带线的两端相连；加载在第六微带线中心的开路枝节线是第七微带线，它一端连接在半波长主传输微带线的中间，另一端开路。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，由奇偶模分析可知，在奇模时，半波长主传输微带线中间相当于接地，对应于低通带，而且是半波长谐振器；即谐振器的半波长主传输微带线的长度L对应的电长度为所述毫米波带通滤波器的低谐振频率f 1对应的波长的一半；在偶模时，半波长主传输微带线中间开路，半波长主传输微带线的一半连接在第七微带线7，其谐振时，对应于高通带，而且是半波长谐振器。即1/2L+L 1为所述毫米波带通滤波器的高谐振频率f 2对应的波长λ的二分之一，L 1为第七微带线7的长度；半波长主传输微带线长度L为第四微带线4、第五微带线5、第六微带线6、第八微带线8和第九微带线9的长度之和；谐振频率f 1由微带线第四微带线4、第五微带线5、第六微带线6、第八微带线8和第九微带线9的长度之和L决定，确定了所要抑制的低谐振频率f 1之后，然后根据第四微带线4、第五微带线5、第六微带线6、第八微带线8和第九微带线9的长度之和L对应为半波长的特性就可以确定L的长度；当高谐振频率f 2确定之后，1/2L+L 1 的长度也随之确定，进而可以确定L 1的长度。由于在第二微带线2的中点采用对称馈电的方法，在由第一微带线1、第二微带线2、第三微带线3组成的馈电线上的电压关于馈电点在奇偶模谐振时都呈偶函数分布。如图2a，为了实现抑制基波谐振，采用选择性耦合的方式，在馈电线和主谐振器之间选择适当的耦合区域，在图2b中为从AA’到BB’和从CC’到DD’ 所示的两个区域；如图2c在奇模谐振频率f 1，两个区域的电压关于主微带线的中点呈奇函数分布，因此在所选耦合区域中耦合因数为零，抑制了信号从馈电线传输到谐振器，进而基波谐振频率得到了抑制；在偶模谐振频率f 2，两个区域的电压关于主微带线的中点呈偶函数分布，因此在所选耦合区域中耦合因数不为零，并且其耦合强度可由控制耦合间隙得到适当的值。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，谐振器的半波长主传输微带线部分由第四微带线4、第五微带线5、第六微带线6、第八微带线8和第九微带线9依次连接而成，两个谐振器关于中轴对称，呈两个背靠背的E型结构。
上述采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，所述其中一条馈电线由第一微带线1、第二微带线2、第三微带线3、第十九微带线19组成，第一微带线1一端开路，另一端与第二微带线2一端相连，第二微带线2另一端与第三微带线3一端相连，第三微带线3另一端开路，第十九微带线19一端开路，另一端垂直搭接在第二微带线2的中心；另一条馈电线由第十微带线10、第十一微带线11、第十二微带线12、第二十微带线20组成，第十微带线10一端开路，另一端与第十一微带线11一端相连，第十一微带线11另一端与第十二微带线12一端相连，第十二微带线12另一端开路，第二十微带线20一端开路，另一端垂直搭接在第十一微带线11上的中心；接在输入端口之后的馈电线分成两路，其中一路包括第一微带1线和第二微带线2的一半；另一路包括第三微带线2和第二微带线2的另一半。作为举例，其中第一微带线1与半波长主传输微带线的第八微带线8之间有0.1±0.05 mm的间隙来实现平行耦合；第三微带线3与半波长主传输微带线的第五微带线5之间有0.1±0.05 mm的间隙来实现平行耦合；第二微带线2和第四微带线4以及第九微带线9之间有0.1±0.05 mm的间隙来实现平行耦合。
所述接在输出端口之前的馈电线分成两路，一路包括第十微带线10和第十一微带线11的一半；另一路包括第十二微带线12与第十一微带线11的另一半。
作为举例，所述滤波器的通带固定在30GHz，在很宽一段频带范围内都有很好的抑制水平；第一微带线1的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm,第二微带线2的长度为4.2±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm, 第三微带线3的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第十九微带线19接输入端口，其特性阻抗为50Ω，长度为1.3±0.02mm，宽度为0.8±0.03mm,第四微带线4的长度为1.2±0.04mm，宽度为0.2±0.02mm，第五微带线5的长度为0.8±0.01mm，宽度为0.2±0.02mm，第六微带线6的长度为3.6±0.01mm，宽度为0.2±0.02mm，第七微带线7的长度为0.6±0.05mm，宽度为0.2±0.02mm，第八微带线8的长度为0.8±0.01mm，宽度为0.2±0.02mm，第九微带线9的长度为1.2±0.04mm，宽度为0.2±0.02mm，第十微带线10的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第十一微带线11的长度为4.2±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第十二微带线12的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第二十微带线20接输出端口，其特性阻抗为50Ω，长度为1.3±0.02mm，宽度为0.8±0.03mm，第一微带线1和第八微带线8的间距为0.1+0.05mm第三微带线3和第五微带线5的间距为0.1±0.05mm，；第二微带线2和第四微带线4以及第九微带线9之间的间距为0.1±0.05 mm。
实施例
一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器的结构如图1所示，有关尺寸规格如下图3所示；介质基板的厚度为0.254mm，相对介电常数为2.2，损耗角正切为0.0009；谐振器采用E形结构可以方便实现选择性耦合馈电结构的设计；滤波器的各微带线尺寸参数如下：L 1=1.06±0.01mm, L 2=0.6±0.01mm, L 3=1.16±0.01mm, L 4=L5=1.515±0.01mm, L 6=1.385 ±0.01mm, L 7=0.65±0.01mm, g 1=0.15±0.01mm, g 2=0.1±0.01mm, W 1=0.2±0.01mm, W 2=0.77±0.01mm, W 3=0.2±0.01mm, W 4=0.2±0.01mm，选择这些微带线各自的长度和宽度，以获得所需的输入/输出阻抗特性、频带内传输特性和频带外衰减特性。
图4是在其他参数不变的条件下，馈电端口不对称的仿真结果图；虚线代表插入损耗S21的仿真结果，实线代表回波损耗S11的仿真结果；从图中可以看出，当馈电端口不对称时，基波谐振通带没有得到抑制，当馈电端口对称时，基波谐振通带被很好地抑制了，呈现良好带外抑制特性；图5和图6分别是按照上述参数设计出来的大尺寸的抑制基波的毫米波带通滤波器S21（插入损耗）和S11（回波损耗）的仿真结果；输特性曲线图中的横轴表示频率，纵轴表示传输特性 、的dB值；虚线为仿真结果，实线为测试结果；图5的测试结果显示通带中心频率为30.2 GHz，插入损耗2.5dB，和仿真的插入损耗1.1dB有差别是因为包含了50传输线的损耗和端口上SMA头的损耗，在通带的两侧都有传输零点，极大地改善了滤波器的选择性；由于基波谐振频率得到了抑制，获得了很好的带外抑制特性，在频率低于29GHz和33GHz至50GHz频率范围内，回波损耗低于-20dB；为了更加清楚地展示通带特性及带外抑制的效果，图7截取了图5中的局部的图形，其测试插入损耗为-2.5dB，其仿真插入损耗为-1.1dB ，-3dB相对带宽为4.6%；图6为传输特性的仿真曲线，从图中可以看出，仿真通带回波损耗优于-23dB；为了更加清楚地看通带回波损耗S11的效果，图8截取了图6中通带局部的图形,测试结果通带回波损耗优于-11dB，测试结果与仿真结果基本一致，仿真和测试分别是使用全波电磁仿真软件IE3D和E5071C网络分析仪来完成的。
实施例的仿真和实测结果表明，基波谐振频率可以通过上述设计得到良好的抑制，而且没有引入附加电路，在谐振频率上具有相对较大的电路尺寸，具有在30G频段容易加工制造，通带选择型好的特点。
以上所述仅为本实用新型的较佳实例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，包括上层微带结构、中间层介质基板和下层接地金属板；上层微带结构附着在中间层介质基板上表面，下层接地金属板附着在中间层介质基板下表面；其特征在于：上层微带结构包括两条馈电线和两个谐振器；两个谐振器呈中轴对称，并且结构相同，谐振器工作在低通带时等效为半波长谐振器，工作在高通带时也等效为半波长谐振器，谐振器在高通带和低通带工作时的谐振路径是不同的；所述滤波器的其中一条馈电线在输入端口处分成两路，分别对称地沿着中心加载谐振器的外边缘进行耦合馈电；另外一条馈电线在输出端口处分成两路，分别对称地沿着另一个中心加载谐振器进行耦合馈电。
2.根据权利要求1所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在于所述谐振器包括一个半波长主传输微带线和一个加载在该谐振器中心的开路枝节线，其中半波长主传输微带线部分由第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线依次连接而成，第四微带线的一端和第九微带线的一端都开路，另一端分别与微带线的两端相连；加载在第六微带线中心的开路枝节线是第七微带线，它一端连接在半波长主传输微带线的中间，另一端开路。
3.根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在于谐振器工作在低通带的时候谐振路径是第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线、第九微带线所组成的对应低通带的半波长路径，工作在高通带的时候谐振路径是第四微带线、第五微带线、第六微带线的一半和第七微带线所组成的对应高频率的半波长路径。
4.根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在于每个谐振器的半波长主传输微带线的长度L的电长度基波谐振频率f 1对应的波长的一半； L/2+L 1为双带通滤波器的高谐振频率f 2对应的波长λ的一半，L 1为第七微带线的长度；半波长主传输微带线长度L为第四微带线、第五微带线、第六微带线、第八微带线和第九微带线的长度之和。
5.根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在所述两个谐振器关于中轴对称，呈两个背靠背的E形结构。
6.根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在于所述其中一条馈电线由第一微带线、第二微带线、第三微带线、第十九微带线组成，第一微带线一端开路，另一端与第二微带线一端相连，第二微带线另一端与第三微带线一端相连，第三微带线另一端开路，第十九微带线一端开路，另一端垂直搭接在第二微带线的中心；另一条馈电线由第十微带线、第十一微带线、第十二微带线、第二十微带线组成，第十微带线一端开路，另一端与第十一微带线一端相连，第十一微带线另一端与第十二微带线一端相连，第十二微带线另一端开路，第二十微带线一端开路，另一端垂直搭接在第十一微带线上的中心；接在输入端口之后的馈电线分成两路，其中一路包括第一微带线和第二微带线的一半；另一路包括第三微带线和第二微带线的另一半；其中第一微带线与半波长主传输微带线的第八微带线之间有0.1±0.05 mm的间隙来实现平行耦合；第三微带线与半波长主传输微带线的第五微带线之间有0.1±0.05 mm的间隙来实现平行耦合；第二微带线和第四微带线以及第九微带线之间有0.1±0.05 mm的间隙来实现平行耦合。
7.根据权利要求2所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在于所述接在输出端口之前的馈电线分成两路，一路包括第十微带线和第十一微带线的一半；另一路包括第十二微带线与第十一微带线的另一半。
8.根据权利要求7所述的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器，其特征在于，所述滤波器的通带固定在30GHz，第一微带线的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm,第二微带线的长度为4.2±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm, 第三微带线的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第十九微带线接输入端口，其特性阻抗为50Ω，长度为1.3±0.02mm，宽度为0.8±0.03mm,第四微带线的长度为1.2±0.04mm，宽度为0.2±0.02mm，第五微带线的长度为0.8±0.01mm，宽度为0.2±0.02mm，第六微带线的长度为3.6±0.01mm，宽度为0.2±0.02mm，第七微带线的长度为0.6±0.05mm，宽度为0.2±0.02mm，第八微带线的长度为0.8±0.01mm，宽度为0.2±0.02mm，第九微带线的长度为1.2±0.04mm，宽度为0.2±0.02mm，第十微带线的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第十一微带线的长度为4.2±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第十二微带线的长度为1.1±0.02mm，宽度为0.2±0.02mm，第二十微带线接输出端口，其特性阻抗为50Ω，长度为1.3±0.02mm，宽度为0.8±0.03mm,第一微带线和第八微带线的间距为0.1+0.05mm第三微带线和第五微带线的间距为0.1±0.05mm，第二微带线和第四微带线以及第九微带线之间的间距为0.1±0.05 mm。
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