CN204131378U - 用于驱动变压器的pwm死区吸收电路 - Google Patents

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唐春光
杜香元
曹学良
郝敏强
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Abstract

本实用新型提供了一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，包括变压器T1，与变压器T1输入端连接的功率MOSFET管M1、M2和二极管D1、D2，二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC，或非门U1输出端连接电容C1，电容C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连，电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极；功率MOSFET管M1、M2的输入端分别连接PWMA和PWMB管。本实用新型解决了驱动变压器在PWM死区时间能量释放不充分，驱动方波下降时间不够短，造成被驱动开关器件关断不彻底、震荡甚至误导通以至损坏的问题。

Description

用于驱动变压器的PWM死区吸收电路
技术领域
本实用新型属于电力电子领域，具体涉及一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路。 
背景技术
驱动变压器在开关电源中被要求用来控制电路之间的同步动作，这些器件用来为开关电源半导件元器件如高压功率ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ提供电脉冲，这种变压器也用作电压隔离和阻抗匹配。 
驱动变压器是用来驱动电子开关器件门电路的基本脉冲变压器，设计这类变压器时，是假定其脉冲的上升、下降都是最佳的值，由于变压器所储能量不能瞬间变化，因此不加处理就会使脉冲的上升、下降时间延长，或者发生震荡，影响开关器件的性能，甚至使开关器件同时导通，发生短路事故。 
实用新型内容
为了克服驱动变压器在PWM死区时间能量释放不彻底缺点，本实用新型提供了一种主动释放能量的用于驱动变压器的PWM死区吸收电路。 
为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，包括变压器T1，与变压器T1输入端连接的功率MOSFET 管M1、M2和二极管D1、D2，二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC，或非门 U1输出端连接电容C1，电容C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连，电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极；功率MOSFET 管M1、M2的输入端分别连接PWM A和PWM B管。 
进一步的，所述二极管D1、D2为快速恢复二极管，组成吸收能量的单项通道。 
本实用新型的有益效果是：或非门U1与电容C1、电阻R1、二极管D3、可控硅SCR组成吸收能量的控制电路，驱动变压器中的能量有效释放，驱动波形迅速下降，主动释放能量。 
附图说明
下面结合附图对本实用新型做进一步的描述。 
图1 为本实用新型电路原理图； 
图2 为本实用新型驱动变压器输出波形。
具体实施方式
如图1所示，一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，包括变压器T1，与变压器T1输入端连接的功率MOSFET 管M1、M2和二极管D1、D2，二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC，或非门 U1输出端连接电容C1，电容C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连，电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极；功率MOSFET 管M1、M2的输入端分别连接PWM A和PWM B管。 
所述二极管D1、D2为快速恢复二极管，组成吸收能量的单项通道。 
所述二极管D3、电容C1、电阻R1组成自举驱动电路。 
PWM A和PWM B是相位互补的两路方波。当PWM A和PWM B都是低电平，即死区时间，存储在驱动变压器中的能量不能有效的释放，使驱动波形不能迅速下降或产生震荡。此时，或非门U1输出高电平，使电容C1与电阻R1之间电位高于VCC，可控硅SCR导通，驱动变压器中的能量有效释放，驱动波形迅速下降。 
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。 

Claims (2)

1.一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，其特征在于：包括变压器T1，与变压器T1输入端连接的功率MOSFET 管M1、M2和二极管D1、D2，二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC，或非门 U1输出端连接电容C1，电容C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连，电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极；功率MOSFET 管M1、M2的输入端分别连接PWM A和PWM B管。
2.根据权利要求1所述的用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，其特征在于：所述二极管D1、D2为快速恢复二极管，组成吸收能量的单项通道。
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