CN204119249U - 超声波录音屏蔽器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种超声波录音屏蔽器，涉及监测或监控电通信的装置技术领域。包括电源单元、控制单元、载波生成单元、波形放大单元、阻抗匹配单元以及高频发射单元。所述电源单元为其它需要供电的单元提供电源，所述控制单元的输出端与载波生成单元的输入端连接，载波生成单元的输出端与波形放大单元的输入端连接，波形放大单元的输出端与阻抗匹配单元的输入端连接，阻抗匹配单元的输出端与高频发射单元的输入端连接；所述屏蔽器可以对录音设备进行有效的干扰，使其不能正常的实现录音，同时受到干扰的录音也不能够从其中有效的分离出来，具有轻小、灵便，便于隐藏的特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及监测或监控电通信的装置技术领域，尤其涉及一种超声波录音屏蔽器。
背景技术
当前随着科学技术的飞速发展，电子产品的普及，以及电子产品的小型化，个人以及公共的信息安全受到的威胁也越来越大。某些不法分子通过手机、录音笔或者其它专业性比较强的微型窃听设备，非法窃取个人隐私、商业秘密甚至于国家机密，从而使个人、企业蒙受经济损失，更甚至者使得国家的安全受到威胁。
现在大多数的录音设备都是通过声电传感器来采集语音信号的，声音的传播是一种机械波，是靠振动在空气中传播的。声电传感器通过感应这种振动来采集信号的；如果在录音设备工作过程中，通过某种装置使声电传感器的振动片感应到一种无规律的类似白噪声的振动，而且又不被人耳听到，使得录音设备只能录到一种噪音，而人说话的声音已经被彻底干扰也不能被分离出来；从而有效的达到录音干扰的效果。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种超声波录音屏蔽器，所述屏蔽器可以对录音设备进行有效的干扰，使其不能正常的实现录音，同时受到干扰的录音也不能够从其中有效的分离出来，具有轻小、灵便，便于隐藏的特点。
为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种超声波录音屏蔽器，其特征在于：包括电源单元、控制单元、载波生成单元、波形放大单元、阻抗匹配单元以及高频发射单元，所述电源单元为其它需要供电的单元提供电源，所述控制单元的输出端与载波生成单元的输入端连接，载波生成单元的输出端与波形放大单元的输入端连接，波形放大单元的输出端与阻抗匹配单元的输入端连接，阻抗匹配单元的输出端与高频发射单元的输入端连接；所述控制单元用于控制载波生成单元产生屏蔽信号需要的波形，同时随机在波形中加入类似白噪声的无规律的波形；波形放大单元用于接收载波生成单元输出的波形，并将该波形进行放大处理；阻抗匹配单元用于接收波形放大单元输出的波形，并使得整体电路与高频发射单元实现阻抗匹配，以实现高频发射电路最大效率的工作；高频发射单元，用于接收阻抗匹配单元输出的波形并通过超声波换能器将波形进行发送。
进一步的技术方案在于：所述控制单元中的微处理器使用PIC系列8位或16位单片机。
进一步的技术方案在于：所述电源单元包括电压转换单元及稳压单元。
进一步的技术方案在于：所述波形放大单元、阻抗匹配单元以及高频发射单元连接后包括电阻R1-R9，三极管Q1-Q4、MOS管M1、发射匹配变压器T1和超声波换能器U1，波形放大单元的输入端分为两路，第一路经电阻R1接地，第二路与电阻R2的一端连接；电阻R2的另一端分为两路，第一路经电阻R3接地，第二路接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地；三极管Q1的集电极分为两路，第一路经电阻R4接电源Vcc，第二路经电阻R5接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极接电源Vcc，三极管Q2的集电极分为两路，第一路经电阻R6接地，第二路与电阻R7的一端连接，电阻R7的另一端分别与三极管Q3和三极管Q4的基极连接；三极管Q3的集电极分为两路，第一路接电源Vcc，第二路依次经电阻R8、电阻R9与发射匹配变压器T1原边的一端连接，三极管Q3和三极管Q4的发射极与MOS管M1的栅极连接，三极管Q4的集电极接地，MOS管M1的源级接地，MOS管M1的漏极接发射匹配变压器T1原边的另一端，发射匹配变压器T1的次边接超声波换能器U1。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述屏蔽器内的控制单元控制载波生成单元生成的载波中加有随机序列的信号，无规律波形通过超声波换能器发射出去，使声电传感器的振动片感应到一种无规律的类似白噪声的振动，而且又不被人耳听到，使得录音设备只能录到一种噪音，实现了对录音设备有效的干扰，使其不能正常的实现录音，同时受到干扰的录音也不能够从其中有效的分离出来，所述屏蔽器具有轻小、灵便，便于隐藏的特点。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型的原理框图；
图2是电源单元的电路原理图；
图3是控制单元的电路原理图；
图4是载波生成单元的电路原理图；
图5是波形放大单元、阻抗匹配单元以及高频发射单元的电路原理图。
具体实施方式
下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
如图1所示，本实用新型公开了一种超声波录音屏蔽器，包括电源单元、控制单元、载波生成单元、波形放大单元、阻抗匹配单元以及高频发射单元。如图2所示，所述电源单元为其它需要供电的单元提供电源，所述电源单元包括电压转换单元及稳压单元，所述控制单元的输出端与载波生成单元的输入端连接，载波生成单元的输出端与波形放大单元的输入端连接，波形放大单元的输出端与阻抗匹配单元的输入端连接，阻抗匹配单元的输出端与高频发射单元的输入端连接。
如图3所示，所述控制单元包括微处理器、基准时钟电路和控制缓冲电路芯片，所述控制单元中的微处理器可以使用PIC系列8位或16位单片机，当然还可以使用其它型号的微处理器；所述控制单元用于控制载波生成单元产生屏蔽信号需要的波形，同时随机在波形中加入类似白噪声的无规律的波形，如图4所示为载波生成单元的原理图；波形放大单元用于接收载波生成单元输出的波形，并将该波形进行放大处理；阻抗匹配单元用于接收波形放大单元输出的波形，并使得整体电路与高频发射单元实现阻抗匹配，以实现高频发射电路最大效率的工作；高频发射单元，用于接收阻抗匹配单元输出的波形并通过超声波换能器将波形进行发送。
如图5所示，所述波形放大单元、阻抗匹配单元以及高频发射单元连接后包括电阻R1-R9，三极管Q1-Q4、MOS管M1、发射匹配变压器T1和超声波换能器U1，波形放大单元的输入端分为两路，第一路经电阻R1接地，第二路与电阻R2的一端连接；电阻R2的另一端分为两路，第一路经电阻R3接地，第二路接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地；三极管Q1的集电极分为两路，第一路经电阻R4接电源Vcc，第二路经电阻R5接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极接电源Vcc，三极管Q2的集电极分为两路，第一路经电阻R6接地，第二路与电阻R7的一端连接，电阻R7的另一端分别与三极管Q3和三极管Q4的基极连接；三极管Q3的集电极分为两路，第一路接电源Vcc，第二路依次经电阻R8、电阻R9与发射匹配变压器T1原边的一端连接，三极管Q3和三极管Q4的发射极与MOS管M1的栅极连接，三极管Q4的集电极接地，MOS管M1的源级接地，MOS管M1的漏极接发射匹配变压器T1原边的另一端，发射匹配变压器T1的次边接超声波换能器U1。
所述屏蔽器内的控制单元控制载波生成单元生成的载波中加有随机序列的信号，无规律波形通过超声波换能器发射出去，使声电传感器的振动片感应到一种无规律的类似白噪声的振动，而且又不被人耳听到，使得录音设备只能录到一种噪音，实现了对录音设备有效的干扰，使其不能正常的实现录音，同时受到干扰的录音也不能够从其中有效的分离出来，所述屏蔽器具有轻小、灵便，便于隐藏的特点。
Claims (4)
1.一种超声波录音屏蔽器，其特征在于：包括电源单元、控制单元、载波生成单元、波形放大单元、阻抗匹配单元以及高频发射单元，所述电源单元为其它需要供电的单元提供电源，所述控制单元的输出端与载波生成单元的输入端连接，载波生成单元的输出端与波形放大单元的输入端连接，波形放大单元的输出端与阻抗匹配单元的输入端连接，阻抗匹配单元的输出端与高频发射单元的输入端连接；所述控制单元用于控制载波生成单元产生屏蔽信号需要的波形，同时随机在波形中加入类似白噪声的无规律的波形；波形放大单元用于接收载波生成单元输出的波形，并将该波形进行放大处理；阻抗匹配单元用于接收波形放大单元输出的波形，并使得整体电路与高频发射单元实现阻抗匹配，以实现高频发射电路最大效率的工作；高频发射单元，用于接收阻抗匹配单元输出的波形并通过超声波换能器将波形进行发送。
2.根据权利要求1所述的超声波录音屏蔽器，其特征在于：所述控制单元中的微处理器使用PIC系列8位或16位单片机。
3.根据权利要求1所述的超声波录音屏蔽器，其特征在于：所述电源单元包括电压转换单元及稳压单元。
4.根据权利要求1所述的超声波录音屏蔽器，其特征在于：所述波形放大单元、阻抗匹配单元以及高频发射单元连接后包括电阻R1-R9，三极管Q1-Q4、MOS管M1、发射匹配变压器T1和超声波换能器U1，波形放大单元的输入端分为两路，第一路经电阻R1接地，第二路与电阻R2的一端连接；电阻R2的另一端分为两路，第一路经电阻R3接地，第二路接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地；三极管Q1的集电极分为两路，第一路经电阻R4接电源Vcc，第二路经电阻R5接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极接电源Vcc，三极管Q2的集电极分为两路，第一路经电阻R6接地，第二路与电阻R7的一端连接，电阻R7的另一端分别与三极管Q3和三极管Q4的基极连接；三极管Q3的集电极分为两路，第一路接电源Vcc，第二路依次经电阻R8、电阻R9与发射匹配变压器T1原边的一端连接，三极管Q3和三极管Q4的发射极与MOS管M1的栅极连接，三极管Q4的集电极接地，MOS管M1的源级接地，MOS管M1的漏极接发射匹配变压器T1原边的另一端，发射匹配变压器T1的次边接超声波换能器U1。
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2014
- 2014-09-22 CN CN201420549148.6U patent/CN204119249U/zh active Active
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