CN204117737U - 一种磁化磁路结构 - Google Patents
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Abstract
一种磁化磁路结构,包含面对面成对设置的第一磁极和第二磁极、分别连接第一磁极和第二磁极的磁轭、以及套设在磁轭上的励磁线圈,第一磁极和第二磁极之间形成气隙,第一磁极和第二磁极的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小。当励磁线圈通入电流时,电流产生的磁场沿第一磁极、磁轭、气隙和第二磁极形成磁路,由于第一磁极和第二磁极的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小,磁场由磁轭到气隙逐渐集中,因而使气隙处的磁场增加,能在不增加励磁电流的情况下提高在磁极之间的气隙处的磁场强度,可防止磁极处磁场发散。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种磁化磁路结构。
背景技术
在磁分离、磁化等应用领域,利用导磁材料做成磁路和磁极,可以将磁场限定在一定范围内,实现局部范围内磁场的提高。但在目前,磁路都采用固定横截面结构,磁极横截面与磁路其它部分横截面相同,磁路中的磁场与磁极气隙处的磁场大小接近。为防止磁路饱和,磁极横截面与磁路其它部分横截面都很大,这样造成磁极处磁场发散严重,磁场强度难以提高。如果要提高磁极间气隙的磁场,就必须提高磁路中的磁场,因而需要提高励磁电流,增加损耗和电源功率。
实用新型内容
本实用新型提供一种磁化磁路结构,可防止磁极处磁场发散,提高磁极之间的磁场强度。
为了达到上述目的,本实用新型提供一种磁化磁路结构,该磁化磁路结构包含:
面对面成对设置的第一磁极和第二磁极,该第一磁极和第二磁极组成磁极对;
磁轭,其分别连接第一磁极和第二磁极,该磁轭呈“匚”型,或“C”型;
励磁线圈,其套设在磁轭上,该励磁线圈连接外部电流源;
所述的第一磁极和第二磁极之间形成气隙,该气隙的位置用于放置待磁化材料。
当励磁线圈通入电流时,电流产生的磁场沿第一磁极、磁轭、气隙和第二磁极形成磁路;
在所述第一磁极和第二磁极组成的磁极对中,第一磁极和第二磁极中的任意一个是变截面结构,或者第一磁极和第二磁极都是变截面结构,所述变截面结构的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小。
所述变截面结构的横截面由磁轭处向气隙处按斜面逐渐减小。
所述斜面与水平方向的夹角大于0度,小于90度。
所述变截面结构的横截面由磁轭处向气隙处呈阶梯式逐渐减小。
所述阶梯的层数大于等于1层。
所述第一磁极和第二磁极组成的磁极对的数量大于等于一个。
所述第一磁极和第二磁极的横截面为任意形状。
所述第一磁极、第二磁极和磁轭采用整块高导磁材料加工而成,或者采用叠片形式的高导磁材料加工而成,或者采用粉末材料的高导磁材料压制加工而成。
所述的高导磁材料是硅钢片或非晶合金高导磁材料。
所述励磁线圈的数量大于等于一个。
本实用新型可防止磁极处磁场发散,提高磁极之间的磁场强度。
附图说明
图1是本实用新型的第一实施例的结构示意图。
图2是本实用新型的第二实施例的结构示意图。
图3是本实用新型的第三实施例的结构示意图。
图4是本实用新型的第四实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下根据图1~图4,具体说明本实用新型的较佳实施例。
如图1~图4所示,本实用新型提供一种磁化磁路结构,该磁化磁路结构包含:
面对面成对设置的第一磁极1和第二磁极2,该第一磁极1和第二磁极2组成磁极对;
磁轭4,其分别连接第一磁极1和第二磁极2,该磁轭呈“匚”型,或“C”型;
励磁线圈3,其套设在磁轭4上,该励磁线圈3连接外部电流源。
所述的第一磁极1和第二磁极2之间形成气隙5,该气隙5的位置用于放置待磁化材料。
当励磁线圈3通入电流时,电流产生的磁场沿第一磁极1、磁轭4、气隙5和第二磁极2形成闭合回路,称为磁路。
所述第一磁极1和第二磁极2组成的磁极对的数量大于等于一个,该磁极对可沿任意方向有序设置,或无向无序设置。
所述励磁线圈3的数量大于等于一个。
所述的第一磁极1和第二磁极2中的任意一个是变截面结构,或者第一磁极1和第二磁极2都是变截面结构,对于第一磁极1,该第一磁极1上与磁轭4相连一端的横截面大于靠近气隙一端的横截面,该第一磁极1的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小,同理,对于第二磁极2,该第二磁极2上与磁轭4相连一端的横截面大于靠近气隙一端的横截面,该第二磁极2的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小。
如图1和图3所示,所述第一磁极1和第二磁极2的横截面由磁轭处向气隙处按斜面6逐渐减小,所述斜面6与水平方向的夹角大于0度,小于90度。
如图2和图4所示,所述第一磁极1和第二磁极2的横截面由磁轭处向气隙处呈阶梯式逐渐减小,所述阶梯7的层数大于等于1层。
所述第一磁极1和第二磁极2的横截面为任意形状,例如:圆形、矩形、正方形或三角形等等。
所述第一磁极1、第二磁极2和磁轭4可以采用整块高导磁材料加工而成,也可以采用叠片形式的高导磁材料加工而成,也可以采用粉末材料的高导磁材料压制加工而成。
所述的高导磁材料是硅钢片或非晶合金高导磁材料。
实施例1
如图1所示,提供一种磁化磁路结构,面对面设置一对第一磁极1和第二磁极2,第一磁极1和第二磁极2的横截面由磁轭处向气隙处按斜面逐渐减小,所述斜面6与水平方向的夹角范围为0~30°,第一磁极1和第二磁极2和横截面为矩形。
磁轭4的横截面为宽600mm、长400mm的矩形,面积大,可以防止磁场饱和。第一磁极1和第二磁极2的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小,第一磁极1和第二磁极2在靠近气隙5处的横截面都为长400mm,宽100mm的矩形。当磁场进入第一磁极1和第二磁极2后,磁路面积减小,磁场逐步集中,最终在第一磁极1和第二磁极2之间的气隙5中形成12000高斯的磁场。
实施例2
如图2所示,提供一种磁化磁路结构,面对面设置一对第一磁极1和第二磁极2,第一磁极1和第二磁极2的横截面由磁轭处向气隙处呈阶梯式逐渐减小,所述阶梯7的层数为3层,第一磁极1和第二磁极2和横截面为矩形。
实施例3
如图3所示,提供一种磁化磁路结构,面对面设置两对第一磁极1和第二磁极2,所述的两对第一磁极1和第二磁极2沿图中的X方向平行设置(也可沿Y方向平行设置,还可以沿任意方向设置),第一磁极1和第二磁极2的横截面由磁轭处向气隙处按斜面逐渐减小,所述斜面6与水平方向的夹角范围为0~45°,第一磁极1和第二磁极2和横截面为矩形。
实施例4
如图4所示,提供一种磁化磁路结构,面对面设置两对第一磁极1和第二磁极2,所述的两对第一磁极1和第二磁极2沿图中的X方向平行设置(也可沿Y方向平行设置,还可以沿任意方向设置),第一磁极1和第二磁极2的横截面由磁轭处向气隙处呈阶梯式逐渐减小,所述阶梯7的层数为3层,第一磁极1和第二磁极2和横截面为矩形。
与现有技术相比,本实用新型将磁极与磁轭分开设计,并且磁极横截面小于磁轭横截面积,磁极的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小,磁场由磁轭到气隙逐渐集中,因而使气隙处的磁场增加,能在不增加励磁电流的情况下提高在磁极之间的气隙处的磁场强度。
尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍,但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后,对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此,本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种磁化磁路结构,其特征在于,该磁化磁路结构包含:
面对面成对设置的第一磁极(1)和第二磁极(2),该第一磁极(1)和第二磁极(2)组成磁极对;
磁轭(4),其分别连接第一磁极(1)和第二磁极(2),该磁轭呈“匚”型,或“C”型;
励磁线圈(3),其套设在磁轭(4)上,该励磁线圈(3)连接外部电流源;
所述的第一磁极(1)和第二磁极(2)之间形成气隙(5),该气隙(5)的位置用于放置待磁化材料;
当励磁线圈(3)通入电流时,电流产生的磁场沿第一磁极(1)、磁轭(4)、气隙(5)和第二磁极(2)形成磁路;
在所述第一磁极(1)和第二磁极(2)组成的磁极对中,第一磁极(1)和第二磁极(2)中的任意一个是变截面结构,或者第一磁极(1)和第二磁极(2)都是变截面结构,所述变截面结构的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小。
2.如权利要求1所述的磁化磁路结构,其特征在于,所述变截面结构的横截面由磁轭处向气隙处以斜面形式逐渐减小。
3.如权利要求2所述的磁化磁路结构,其特征在于,所述斜面与水平方向的夹角大于0度,小于90度。
4.如权利要求1所述的磁化磁路结构,其特征在于,所述变截面结构的横截面由磁轭处向气隙处以阶梯形式逐渐减小。
5.如权利要求4所述的磁化磁路结构,其特征在于,所述阶梯的层数大于等于1层。
6.如权利要求2-5中任意一个所述的磁化磁路结构,其特征在于,所述第一磁极(1)和第二磁极(2)组成的磁极对的数量大于等于一个。
7.如权利要求6所述的磁化磁路结构,其特征在于,所述第一磁极(1)和第二磁极(2)的横截面为任意形状。
8.如权利要求7所述的磁化磁路结构,其特征在于,所述第一磁极(1)、第二磁极(2)和磁轭(4)采用整块高导磁材料加工而成,或者采用叠片形式的高导磁材料加工而成,或者采用粉末材料的高导磁材料压制加工而成。
9.如权利要求8所述的磁化磁路结构,其特征在于,所述的高导磁材料是硅钢片或非晶合金高导磁材料。
10.如权利要求9所述的磁化磁路结构,其特征在于,所述励磁线圈(3)的数量大于等于一个。
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