CN204089847U - 一种iad装置 - Google Patents

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金勇�
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Abstract

本实用新型公开了一种IAD装置,包括MCU芯片、SDRAM随机存储器、FLASH存储器、CPLD芯片、多个打点装置和CANTOSPI芯片。本实用新型的IAD装置,采用了数据转换效率更高的新的CANTOSPI芯片,使得IAD装置接入及转换效率更高。本实用新型的电路通过增加CPLD电路,可以有效的降低MCU的工作负担、提高响应时间,大大提高了控制的可靠性。

Description

一种IAD装置
技术领域
 本实用新型属于矿山安全管理领域,涉及一种IAD装置。
背景技术
综合接入设备(IAD)是一种接入设备,能同时交付传统的 PSTN 语音服务、数据包语音服务以及单个 WAN 链路上的数据服务(通过 LAN 端口)等。IAD 将跨越单个共享访问链路的多个语音和数据信道集中到载波或服务供应商 POP 上。其中访问链路可能指 T1 线路、DSL 连接、有线电视网络(CATV)、宽带无线链路或 Metro-Ethernet 连接。通常 IAD 的安装以客户端为前提。但有时客户端也选择由服务供应商安装的 IAD。这种情况下,服务供应商在使用过程中能控制接入链路特性并能管理操作程序。IAD 正逐步由简单设备(支持线速度为 T1 和 E1 的访问)发展到高端口计数、特性密集度及高层设备等,诸如 ATM 边缘集中器和通用复用器。随着信息即时存取命令的增加,带宽命令也同步增加,并且灵活性服务也不断变化。如今 IAD 观念也随着那些命令的增加而提升,以满足终端客户和服务供应商对综合 WAN 接入的需求。IAD 设备具有三种基本类型: 传统的时分复用器及路由选择性能:除为路由器提供 V.35 接口以外,还具有以太网端口和 PBX 链路。 帧中继接入设备(FRAD),具有语音性能。 基于 ATM 的 IAD:结合语音、视频和数据于一体。在某些情况下不包括 PBX 和路由器。
因此,需要一种IAD装置以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型是针对现有技术中IAD装置的缺点,提供一种新的数据交换效率更高的IAD装置。
为实现上述实用新型目的,本实用新型IAD装置可采用如下技术方案:
一种IAD装置,包括MCU芯片、SDRAM随机存储器、FLASH存储器、CPLD芯片、多个打点装置和CAN TO SPI芯片,所述SDRAM随机存储器、FLASH存储器和CPLD芯片均连接所述MCU芯片,所述打点装置和CAN TO SPI芯片均连接所述CPLD芯片, 所述CAN TO SPI芯片包括SPI接口控制器、CAN收发器芯片、第一SIP14-2.54接插件、第二SIP14-2.54接插件、SIP6-2.54接插件和两个SIP2-2.54接插件,所述SPI接口控制器为MCP2515-I/SO芯片,所述CAN收发器为CTM8251A;
所述CTM8251A芯片包括VIN端、GND端、TXD端、RXD端、CAN_H端、CAN_L端、CAN_G端,所述TXD端和RXD端分别连接所述CAN_TX端和CAN_RX端,所述GND端接地,所述VIN端连接3V电压;
所述SIP6-2.54接插件的三个端子分别连接所述CAN_H端、CAN_L端和CAN_G端;
所述SIP2-2.54接插件的两个端子分别连接所述CAN_H端和CAN_L端;
所述MCP2515-I/SO芯片包括TXCAN端、RXCAN端、TX0RTS端、TX1RTS端、OSC1端、OSC2端、CS端、SO端、SI端、SCK端、INT端、RX0BF端、RX1BF端、VSS端、VDD端和RESET端,所述VSS端接地,所述OSC1端和OSC2端分别连接晶振XT1的两端,所述晶振XT1的两端分别连接电容C6和电容C7的一端,所述电容C6和电容C7的另一端接地;所述VDD端连接3V电压并通过电容C2接地;所述RESET端通过电容C4接地,所述VDD端和RESET端之间设置有电阻R2;
第一SIP14-2.54插接件包括TX0RTS连接端、RX0BF连接端、SCK连接端、MISO连接端、CS连接端、第一Vin连接端;所述TX0RTS连接端、RX0BF连接端、SCK连接端、MISO连接端和CS连接端分别连接所述TX0RTS端、RX0BF端、SCK端、SO端和CS端;第二SIP14-2.54接插件包括TX1RTS连接端、RX1BF连接端、INT连接端、MOSI连接端、RESET连接端、第二Vin连接端;所述TX1RTS连接端、RX1BF连接端、INT连接端、MOSI连接端和RESET连接端分别连接所述TX1RTS端、INT端、SI端和RESET端;
稳压二极管D1的负极、钽电容C1的负极、电容C3的一端和发光二极管D2的正极均接地,所述稳压二极管D1的负极、钽电容C1的正极、电容C3的另一端和发光二极管D2的负极均接3V电压并通过电阻R1连接第一Vin连接端和第二Vin连接端。
其中,C1为钽电容、C3为陶瓷电容,两电容配合进行滤波;D1为稳压二极管,起到稳定电压、防反接、过压保护的功能;D2为发光二极管;电阻R1为滤波电阻;JP2为CAN转SPI模块的接口;模块化设计,用于3.3V电压下的所有的CAN转SPI转换,可扩展性较强;R4为120Ω的CANbus匹配电阻,通过JP1的跳接,来选择是否并入CANbus系统里面。
更进一步的,所述CPLD芯片的型号为5M160ZT100C5N。
更进一步的,所述打点装置包括光继电器AQY211EHAZ和PNP型三极管,所述光继电器AQY211EHAZ包括A端、K端、IN端和OUT端,所述A端连接所述PNP型三极管的集电极,所述PNP型三极管的发射极连接3V电压,所述PNP型三极管的基极连接I01端,所述K端接地,所述IN端连接IN_1端,所述OUT端连接OUT_1端。
有益效果:本实用新型的IAD装置,采用了数据转换效率更高的新的CAN TO SPI芯片,使得IAD装置接入及转换效率更高。本实用新型的电路通过增加CPLD电路,可以有效的降低MCU的工作负担、提高响应时间,大大提高了控制的可靠性。
附图说明
图1 为本实用新型的IAD装置的结构示意图;
图2 为CPLD的结构示意图;
图3为CAN TO SPI芯片的具体结构图。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐明本实用新型,应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围,在阅读了本实用新型之后,本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
请参阅图1、图2和图3所示,本实用新型的IAD装置,包括MCU芯片、SDRAM随机存储器、FLASH存储器、CPLD芯片、多个打点装置和CAN TO SPI芯片。其中,优选的,CPLD芯片的型号为5M160ZT100C5N。 [0013] SDRAM随机存储器、FLASH存储器和CPLD芯片均连接MCU芯片,打点装置和CAN TO SPI芯片均连接CPLD芯片, CAN TO SPI芯片包括SPI接口控制器、CAN收发器芯片、第一SIP14-2.54接插件、第二SIP14-2.54接插件、SIP6-2.54接插件和两个SIP2-2.54接插件,SPI接口控制器为MCP2515-I/SO芯片,CAN收发器为CTM8251A;
CTM8251A芯片包括VIN端、GND端、TXD端、RXD端、CAN_H端、CAN_L端、CAN_G端,TXD端和RXD端分别连接CAN_TX端和CAN_RX端,GND端接地,VIN端连接3V电压。其中,CTM8251A是一款带隔离的通用CAN收发器芯片,芯片的主要功能室将CAN控制器的逻辑电平转换为CAN总线的差分电平并且具有DC 2500V的隔离功能。
SIP6-2.54接插件的三个端子分别连接CAN_H端、CAN_L端和CAN_G端,SIP2-2.54接插件的两个端子分别连接CAN_H端和CAN_L端。
MCP2515-I/SO芯片包括TXCAN端、RXCAN端、TX0RTS端、TX1RTS端、OSC1端、OSC2端、CS端、SO端、SI端、SCK端、INT端、RX0BF端、RX1BF端、VSS端、VDD端和RESET端,VSS端接地,OSC1端和OSC2端分别连接晶振XT1的两端,晶振XT1的两端分别连接电容C6和电容C7的一端,电容C6和电容C7的另一端接地,VDD端连接3V电压并通过电容C2接地,RESET端通过电容C4接地,VDD端和RESET端之间设置有电阻R2。
第一SIP14-2.54插接件包括TX0RTS连接端、RX0BF连接端、SCK连接端、MISO连接端、CS连接端、第一Vin连接端;TX0RTS连接端、RX0BF连接端、SCK连接端、MISO连接端和CS连接端分别连接TX0RTS端、RX0BF端、SCK端、SO端和CS端。
第二SIP14-2.54接插件包括TX1RTS连接端、RX1BF连接端、INT连接端、MOSI连接端、RESET连接端、第二Vin连接端;TX1RTS连接端、RX1BF连接端、INT连接端、MOSI连接端和RESET连接端分别连接TX1RTS端、INT端、SI端和RESET端;
稳压二极管D1的负极、钽电容C1的负极、电容C3的一端和发光二极管D2的正极均接地,所述稳压二极管D1的负极、钽电容C1的正极、电容C3的另一端和发光二极管D2的负极均接3V电压并通过电阻R1连接第一Vin连接端和第二Vin连接端。
其中,C1为钽电容、C3为陶瓷电容,两电容配合进行滤波;D1为稳压二极管,起到稳定电压、防反接、过压保护的功能;D2为发光二极管;电阻R1为滤波电阻;JP2为CAN转SPI模块的接口;模块化设计,用于3.3V电压下的所有的CAN转SPI转换,可扩展性较强;R4为120Ω的CANbus匹配电阻,通过JP1的跳接,来选择是否并入CANbus系统里面。
打点装置包括光继电器AQY211EHAZ和PNP型三极管,光继电器AQY211EHAZ包括A端、K端、IN端和OUT端,A端连接PNP型三极管的集电极,PNP型三极管的发射极连接3V电压,PNP型三极管的基极连接I01端,K端接地,IN端连接IN_1端,OUT端连接OUT_1端。
本实用新型的IAD装置,采用了数据转换效率更高的新的CAN TO SPI芯片,使得IAD装置接入及转换效率更高。本实用新型的电路通过增加CPLD电路,用于更加有效快捷的控制IO和CANbus控制信号的输出,同时可以有效的降低MCU的工作负担、提高响应时间。本实用新型电路通过IO和CANbus的双控制输出,大大提高了控制的可靠。

Claims (4)

1.一种IAD装置,其特征在于:包括MCU芯片、SDRAM随机存储器、FLASH存储器、CPLD芯片、多个打点装置和CAN TO SPI芯片,所述SDRAM随机存储器、FLASH存储器和CPLD芯片均连接所述MCU芯片,所述打点装置和CAN TO SPI芯片均连接所述CPLD芯片, 所述CAN TO SPI芯片包括SPI接口控制器、CAN收发器芯片、第一SIP14-2.54接插件、第二SIP14-2.54接插件、SIP6-2.54接插件和两个SIP2-2.54接插件,所述SPI接口控制器为MCP2515-I/SO芯片,所述CAN收发器为CTM8251A;
所述CTM8251A芯片包括VIN端、GND端、TXD端、RXD端、CAN_H端、CAN_L端、CAN_G端,所述TXD端和RXD端分别连接所述CAN_TX端和CAN_RX端,
所述GND端接地,所述VIN端连接3V电压;
所述SIP6-2.54接插件的三个端子分别连接所述CAN_H端、CAN_L端和CAN_G端;
所述SIP2-2.54接插件的两个端子分别连接所述CAN_H端和CAN_L端。
2.所述MCP2515-I/SO芯片包括TXCAN端、RXCAN端、TX0RTS端、TX1RTS端、OSC1端、OSC2端、CS端、SO端、SI端、SCK端、INT端、RX0BF端、RX1BF端、VSS端、VDD端和RESET端,
所述VSS端接地,所述OSC1端和OSC2端分别连接晶振XT1的两端,
所述晶振XT1的两端分别连接电容C6和电容C7的一端,所述电容C6和电容C7的另一端接地;
所述VDD端连接3V电压并通过电容C2接地;
所述RESET端通过电容C4接地,所述VDD端和RESET端之间设置有电阻R2;
第一SIP14-2.54插接件包括TX0RTS连接端、RX0BF连接端、SCK连接端、MISO连接端、CS连接端、第一Vin连接端;所述TX0RTS连接端、RX0BF连接端、SCK连接端、MISO连接端和CS连接端分别连接所述TX0RTS端、RX0BF端、SCK端、SO端和CS端;
第二SIP14-2.54接插件包括TX1RTS连接端、RX1BF连接端、INT连接端、MOSI连接端、RESET连接端、第二Vin连接端;
所述TX1RTS连接端、RX1BF连接端、INT连接端、MOSI连接端和RESET连接端分别连接所述TX1RTS端、INT端、SI端和RESET端;
稳压二极管D1的负极、钽电容C1的负极、电容C3的一端和发光二极管D2的正极均接地,所述稳压二极管D1的负极、钽电容C1的正极、电容C3的另一端和发光二极管D2的负极均接3V电压并通过电阻R1连接第一Vin连接端和第二Vin连接端。
3.如权利要求1所述的IAD装置,其特征在于,所述CPLD芯片的型号为5M160ZT100C5N。
4.如权利要求1所述IAD装置,其特征在于,所述打点装置包括光继电器AQY211EHAZ和PNP型三极管,所述光继电器AQY211EHAZ包括A端、K端、IN端和OUT端,所述A端连接所述PNP型三极管的集电极,所述PNP型三极管的发射极连接3V电压,所述PNP型三极管的基极连接I01端,所述K端接地,所述IN端连接IN_1端,所述OUT端连接OUT_1端。
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