CN204030707U - 一种主备电源之间自动切换开关电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型是一种主备电源之间自动切换开关电路,包括主电源输入端、备用电源输入端、主电源通道VIN1、备用电源通道VIN2,其特征在于,在所述主电源通道VIN1上设置有增强型nFET场效晶体管保压单元,在所述备用电源通道VIN2上设置有增强型pFET场效晶体管保压单元,所述nFET场效晶体管和pFET场效晶体管由电源序列发生器U1控制。采用本实用新型技术方案,主电源通道VIN1和备用电源通道NIN2上的压降大大降低,满足负载要求,电源转换时电流平缓,且备用电源使用寿命延长。

Description

一种主备电源之间自动切换开关电路
技术领域
本实用新型涉及电源适配领域,具体涉及一种主备电源之间自动切换开关电路。
背景技术
很多场合下,在电源供电电路中需要设置主电源电路和备用电源电路,例如电池供电的静态随机存取存储器(SRAM)电路(非易失性存储器模块)至少需要两个电源:SRAM存储器用高电流活动通道,以及一个供主电源缺失时保存存储器内容的低电流备用电源,就需要这种双电源切换电路,如图1所示,为一般的主备电源连接方式,主电源通路为VCC1,备用电源通路为VCC2,在VCC1和VCC2通路上分别接有二极管D4和二极管D5,但是通常的二极管连接会给两个通道都带来问题,在VCC1通道,二极管D4电压降会造成供电电源超出容限,即压降过大,影响负载正常工作,而在VCC2通道,对压降的要求更高,如果要最大限度延长备用电源(不管是电池、超级电容还是其他电压源)的使用寿命,必须降低压降,但是图1的电路显然无能为力。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的问题,提供一种主备电源之间自动切换开关电路。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型通过以下技术方案实现:
一种主备电源之间自动切换开关电路,包括主电源输入端、备用电源输入端、主电源通道VIN1、备用电源通道VIN2,其特征在于,在所述主电源通道VIN1上设置有增强型nFET场效晶体管保压单元,在所述备用电源通道VIN2上设置有增强型pFET场效晶体管保压单元,所述nFET场效晶体管和pFET场效晶体管由电源序列发生器U1控制,电源序列发生器U1检测主电源电压的损失,通过控制两个场效应管nFET和pFET,自动切换负载到备用电源的供应。
进一步的,所述nFET场效晶体管的源极S通过主电源通道VIN1连接主电源输入端,漏极D连接负载,在源极S与漏极D之间连接有寄生二极管D2;
所述pFET场效晶体管的漏极D通过备用电源通道VIN2连接备用电源输入端,源极S连接负载,在漏极D与源极S之间连接有寄生二极管D3;
所述nFET场效晶体管的栅极G与pFET场效晶体管的栅极G相连,并且通过电阻R3接地,nFET场效晶体管的漏极D与pFET场效晶体管的源极S相连。
进一步的,所述电源序列发生器U1使用MAX6820芯片,电源序列发生器U1的端口SETV通过电阻R1连接主电源输入端、且通过电阻R2接地,端口SETD通过电容C1接地,端口VCC1和端口VCC2相接后连接主电源输入端,端口GND接地,端口GATE连接nFET场效晶体管的栅极G或pFET场效晶体管的栅极G,且主电源输入端通过二极管D1连接端口GATE。
优选的,所述nFET场效晶体管使用FDC633N型,所述pFET场效晶体管使用FDN304P型。
本实用新型的有益效果是:
采用本实用新型技术方案,主电源通道VIN1和备用电源通道NIN2上的压降大大降低,满足负载要求,电源转换时电流平缓,且备用电源使用寿命延长。
附图说明
图1为一般的主备电源连接切换方式;
图2为本实用新型主备电源开关切换电路。
具体实施方式
下面将参考附图并结合实施例,来详细说明本实用新型。
参照图2所示,一种主备电源之间自动切换开关电路,包括主电源输入端、备用电源输入端、主电源通道VIN1、备用电源通道VIN2,其特征在于,在所述主电源通道VIN1上设置有增强型nFET场效晶体管保压单元,在所述备用电源通道VIN2上设置有增强型pFET场效晶体管保压单元,所述nFET场效晶体管和pFET场效晶体管由电源序列发生器U1控制,电源序列发生器U1检测主电源电压的损失,通过控制两个场效应管nFET和pFET,自动切换负载到备用电源的供应,nFET场效晶体管使用FDC633N型,pFET场效晶体管使用FDN304P型。
所述nFET场效晶体管的源极S通过主电源通道VIN1连接主电源输入端,漏极D连接负载,在源极S与漏极D之间连接有寄生二极管D2;所述pFET场效晶体管的漏极D通过备用电源通道VIN2连接备用电源输入端,源极S连接负载,在漏极D与源极S之间连接有寄生二极管D3;所述nFET场效晶体管的栅极G与pFET场效晶体管的栅极G相连,并且通过电阻R3接地,nFET场效晶体管的漏极D与pFET场效晶体管的源极S相连,本实施例中电阻R3=10MΩ。
所述电源序列发生器U1使用一可编程延迟(对典型固定的200ms延迟使用MAX6819),电源序列发生器U1的端口SETV通过电阻R1连接主电源输入端、且通过电阻R2接地,端口SETD通过电容C1接地,端口VCC1和端口VCC2相接后连接主电源输入端,端口GND接地,端口GATE连接nFET场效晶体管的栅极G或pFET场效晶体管的栅极G,且主电源输入端通过二极管D1连接端口GATE,电源序列发生器U1监控VIN1,确保电源稳定或高于U1断开电压后电池电源才关闭,本实施例中,电阻R1=4.7KΩ,电阻R2=1.2KΩ,电容C1=0.1μF。
本实用新型的原理:
以图1为例,图1中二极管D4、D5将正向压降降低到了0.3-0.5V,在一定程度上使情况有改善,但用图2中本实用新型的nFET和pFET代替二极管将压降降低到50mV以下。
nFET的选择要考虑其电流处理能力和低导通电阻,pFET的选择考虑其低栅极-源极电压和低导通电阻。
两个FET均反向安装以使其本身二极管反偏压,这可避免从一个电源切换到另一电源时的过电流,使转换平缓。
如果没有D1,VIN2通路可能在电源序列发生器U1超时延迟期间被VIN1(小于nFET本身二极管压降)反向驱动,为避免此问题,在主电源(VIN1通路)加电时D1使pFET关断。
电源序列发生器U1的内部电荷泵产生栅极输出,完全提高nFET并加偏压使pFET截止,该栅极输出约为VCC2+5.5V,加入R3以快速驱动栅极信号至低电平,当VIN1移除时加速pFET导通;R3应尽可能大,这是因为加载栅极输出会阻止负载电流的增加,降低栅极驱动能力。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种主备电源之间自动切换开关电路,包括主电源输入端、备用电源输入端、主电源通道VIN1、备用电源通道VIN2,其特征在于,在所述主电源通道VIN1上设置有增强型nFET场效晶体管保压单元,在所述备用电源通道VIN2上设置有增强型pFET场效晶体管保压单元,所述nFET场效晶体管和pFET场效晶体管由电源序列发生器U1控制。
2.根据权利要求1所述的主备电源之间自动切换开关电路,其特征在于,所述nFET场效晶体管的源极S通过主电源通道VIN1连接主电源输入端,漏极D连接负载,在源极S与漏极D之间连接有寄生二极管D2;
所述pFET场效晶体管的漏极D通过备用电源通道VIN2连接备用电源输入端,源极S连接负载,在漏极D与源极S之间连接有寄生二极管D3;
所述nFET场效晶体管的栅极G与pFET场效晶体管的栅极G相连,并且通过电阻R3接地,nFET场效晶体管的漏极D与pFET场效晶体管的源极S相连。
3.根据权利要求1所述的主备电源之间自动切换开关电路,其特征在于,所述电源序列发生器U1使用MAX6820芯片,电源序列发生器U1的端口SETV通过电阻R1连接主电源输入端、且通过电阻R2接地,端口SETD通过电容C1接地,端口VCC1和端口VCC2相接后连接主电源输入端,端口GND接地,端口GATE连接nFET场效晶体管的栅极G或pFET场效晶体管的栅极G,且主电源输入端通过二极管D1连接端口GATE。
4.根据权利要求2所述的主备电源之间自动切换开关电路,其特征在于,所述nFET场效晶体管使用FDC633N型,所述pFET场效晶体管使用FDN304P型。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106532913A (zh) * 2016-11-25 2017-03-22 湖南国科微电子股份有限公司 一种备用电源自动切换电路及半导体装置
CN108565961A (zh) * 2018-06-11 2018-09-21 瑞纳智能设备股份有限公司 一种具有防反灌供电自动切换无压损输出电路

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