CN203989476U - 神经刺激装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种神经刺激装置，包括：电源和电压产生电路，电压产生电路的输入端连接到电源，电压产生电路的输出端通过直流滤波器分别连接到第一发射电极和第二发射电极。本实用新型的神经刺激装置，通过电压对患处神经进行有效的刺激，操作过程简单方便，为行动不便的患者提供了便利。
Description
技术领域
本实用新型涉及医疗器械领域，特别涉及一种神经刺激装置。
背景技术
很多骨伤患者在养伤期间，由于肌肉无法得到锻炼会出现肌肉萎缩的并发症，严重时甚至出现神经麻木、神经坏死的情况。
现有的治疗方法主要靠按摩和针灸对肌肉进行刺激，防止神经坏死，但按摩和针灸需要专门的医生，对于卧床患者非常艰难。
因此，如何提供一种对运动神经进行刺激的仪器，防止神经坏死，是目前亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型提出一种神经刺激装置，解决了现有技术中需要按摩和针灸对伤处肌肉进行刺激的问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种神经刺激装置，包括：电源和电压产生电路，电压产生电路的输入端连接到电源，电压产生电路的输出端通过直流滤波器分别连接到第一发射电极和第二发射电极；
所述电压产生电路包括：
变压器，包括原边绕组和副边绕组，原边绕组包括第一端和第二端，副边绕组包括第一端和第二端，原边绕组第一端连接到所述电源，副边绕组第二端连接到副边地电位，原边绕组第一端和副边绕组第二端为同名端；
开关管，其源极连接到变压器原边绕组第二端，其漏极连接到原边地电位，其栅极连接到开关驱动器；
开关驱动器，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管为NPN晶体管，第二晶体管为PNP晶体管，第一晶体管和第二晶体管的基极连接在一起作为控制端，第一晶体管和第二晶体管的发射极连接在一起作为输出端，第一晶体管的集电极连接到电源，第二晶体管的集电极连接到原边地电位；
频率发生电路，包括锁相环，其连接至晶振；低通滤波器，连接至锁相环的输出端；压控振荡器，连接至低通滤波器输出端，其输出端一路通过M倍频器反馈至锁相环，另一路输出至放大器，放大器的输出端连接到所述开关驱动器的控制端；
二极管，其阳极连接到变压器副边绕组第一端，其阴极连接到直流滤波器；
所述直流滤波器包括电感器和电容器，电感器的一端连接到所述二极管的阴极，电感器与电容器的公共端连接至第一发射电极，电容器的另一端连接至第二发射电极和副边地电位；
所述第一发射电极为铜片；
所述第二发射电极为铜片，连接到所述副边地电位。
可选地，所述开关管为MOSFET晶体管。
可选地，所述晶振振荡频率为200MHz。
可选地，所述M倍频器为3倍频器。
本实用新型的有益效果是：
通过电压对患处神经进行有效的刺激，操作过程简单方便，为行动不便的患者提供了便利。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一种神经刺激装置的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，本实用新型的一种神经刺激装置，包括：电源1、电压产生电路10，电压产生电路10的输入端连接到电源1，电压产生电路10的输出端通过直流滤波器17分别连接到第一发射电极80和第二发射电极90；所述第一发射电极80为铜片；所述第二发射电极90为铜片。
通过电压产生电路10向第一发射电极80和第二发射电极90施加人体承受范围之内且无害的直流电压，将第一发射电极80和第二发射电极90通过夹子或者束带等固定在人体刺激区，两个发射电极的间距控制在20厘米以内，通过直流电压对神经进行刺激，保持神经敏感性。
具体地，所述电压产生电路10包括：变压器11，包括原边绕组和副边绕组，原边绕组包括第一端和第二端，副边绕组包括第一端和第二端，原边绕组第一端连接到所述电源1，副边绕组第二端连接到副边地电位，原边绕组第一端和副边绕组第二端为同名端；开关管12，其源极连接到变压器原边绕组第二端，其漏极连接到原边地电位，其栅极连接到开关驱动器13；开关驱动器13，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管为NPN晶体管，第二晶体管为PNP晶体管，第一晶体管和第二晶体管的基极连接在一起作为控制端，第一晶体管和第二晶体管的发射极连接在一起作为输出端，第一晶体管的集电极连接到电源1，第二晶体管的集电极连接到原边地电位；频率发生电路30，包括锁相环31，其连接至晶振100；低通滤波器32，连接至锁相环31的输出端；压控振荡器33，连接至低通滤波器32输出端，其输出端一路通过M倍频器34反馈至锁相环31，另一路输出至放大器35，放大器35的输出端输出频率信号f1且连接到所述开关驱动器13的控制端。
频率发生电路30产生脉冲信号，控制开关管12的开通和关断，进而控制电压产生电路10输出电压的大小，保证电压等级在人体承受范围之内。
二极管14，其阳极连接到变压器副边绕组第一端，其阴极连接到直流滤波器17。所述直流滤波器17包括电感器15和电容器16，电感器15的一端连接到所述二极管14的阴极，电感器15与电容器16的公共端连接至第一发射电极80，电容器16的另一端连接至第二发射电极90和副边地电位。
本实用新型中变压器的变比为1:1，实现原副边电气隔离。
优选地，所述开关管12为MOSFET晶体管。
优选地，所述晶振100的振荡频率为200MHz。相应地，所述M倍频器34为3倍频器。
本实用新型的神经刺激装置，通过电压对患处神经进行有效的刺激，操作过程简单方便，为行动不便的患者提供了便利。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种神经刺激装置，其特征在于，包括：电源和电压产生电路，电压产生电路的输入端连接到电源，电压产生电路的输出端通过直流滤波器分别连接到第一发射电极和第二发射电极；
所述电压产生电路包括：
变压器，包括原边绕组和副边绕组，原边绕组包括第一端和第二端，副边绕组包括第一端和第二端，原边绕组第一端连接到所述电源，副边绕组第二端连接到副边地电位，原边绕组第一端和副边绕组第二端为同名端；
开关管，其源极连接到变压器原边绕组第二端，其漏极连接到原边地电位，其栅极连接到开关驱动器；
开关驱动器，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管为NPN晶体管，第二晶体管为PNP晶体管，第一晶体管和第二晶体管的基极连接在一起作为控制端，第一晶体管和第二晶体管的发射极连接在一起作为输出端，第一晶体管的集电极连接到电源，第二晶体管的集电极连接到原边地电位；
频率发生电路，包括锁相环，其连接至晶振；低通滤波器，连接至锁相环的输出端；压控振荡器，连接至低通滤波器输出端，其输出端一路通过M倍频器反馈至锁相环，另一路输出至放大器，放大器的输出端连接到所述开关驱动器的控制端；
二极管，其阳极连接到变压器副边绕组第一端，其阴极连接到直流滤波器；
所述直流滤波器包括电感器和电容器，电感器的一端连接到所述二极管的阴极，电感器与电容器的公共端连接至第一发射电极，电容器的另一端连接至第二发射电极和副边地电位；
所述第一发射电极为铜片；
所述第二发射电极为铜片，连接到所述副边地电位。
2.如权利要求1所述的神经刺激装置，其特征在于，所述开关管为MOSFET晶体管。
3.如权利要求1所述的神经刺激装置，其特征在于，所述晶振振荡频率为200MHz。
4.如权利要求3所述的神经刺激装置，其特征在于，所述M倍频器为3倍频器。
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2014
- 2014-04-18 CN CN201420191941.3U patent/CN203989476U/zh not_active Expired - Fee Related
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