CN203984408U - 振荡型晶振式变码发射电路 - Google Patents

Abstract

振荡型晶振式变码发射电路，属于电子技术领域，是以2262为代表的编码集成电路为辅助，用振荡控制编码集成电路，形成的一种变码发射电路，由可控硅型振荡电路、编码集成电路、发射电路、指示电路、控制开关共同组成，控制开关连接了电池电源，控制开关接通后，各电路立即带电，可控硅型振荡电路的输出连接编码集成电路的变码端，编码集成电路的输出连接射频电路，当控制开关接通后，可控硅型振荡电路立即振荡，不仅使编码集成电路的变码端形成1与0的循环，而且编码集成电路的其中一个位线也形成了0与1的循环，发射不再是单一的码位，具备了变换性，如果与滚动码线路的配合，密级更高，提升了遥控类产品的性能。

Description

振荡型晶振式变码发射电路

技术领域

属于电子技术领域。 

背景技术

汽车的上锁与解锁，都是用遥控控制，这种上锁解锁方式，即简单又方便，只需要轻轻按一下遥控器就成，但这种遥控上锁方式却未能运用到防盗安全门上，虽然有防盗安全门的问题存在，但其中也有遥控上锁还不能运用到防盗安全门上的问题，如遥控的准确度不如机械钥匙，也或是遥控密级度不够，这是因为编码集成电路的编码简单，容易被人破获，因而保密程度不够，还因为现在的遥控技术受天气与周围环境的影响颇大，导致信号传递不够准确，正是因为这些问题还未能得到妥善的解决，才导致了遥控类产品的运用受到阻碍，要解决这些问题，还需要进一步的研究发明，需要创新的科技与之配合，因此现在市场上还未能广泛普及这类产品。 

发明内容

本实用新型的主要目的是提出一种新措施，它是以2262为代表的编码集成电路为辅助，用振荡控制编码集成电路，形成一种变码发射电路，实施后，使发射信号传递准确，能增加密级度，而与其它高级编码集成电路组合后，密级更高，防破解能力越强。 

本专利提出的措施是： 

1、振荡型晶振式变码发射电路由可控硅型振荡电路、编码集成电路、发射电路、指示电路、控制开关共同组成。

其中：控制开关的一端连接电池电源，控制开关的另一端是可控硅型振荡电路、编码集成电路、射频电路、指示电路的电源。 

指示电路由保护电阻与指示灯组成。 

保护电阻的一端连接到控制开关的另一端，保护电阻的另一端连接指示灯后接地。

发射电路由铜箔天线与射频电路组成。 

铜箔天线是特定的英文大写英文字母U的倒立状，铜箔天线的尺寸是铜箔的宽度为2mm，左右两条垂直铜箔的长度为30mm，两条垂直铜箔的间距为20mm，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5mm。 

发射电路：铜箔天线的一端为输入端，即电源火线端，编码集成电路的火线接在电源火线端上。 

编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻的另一端接调制管的基极，调制三极管的发射极接地，调制三极管集电极分为三路，第一路连接高频发射管的发射极，第二路连接晶振三个端头中的一个端头，第三路连接一个旁路电容的一端，此电容另一端接铜箔天线的输入端上。 

晶振另两个端头，一个端头接火线输入端，另一个端头接高频发射管的基极。 

高频发射管的基极接一个电阻，电阻另一端头接在铜箔天线输入端上。 

铜箔天线的输入端还接了一个可调电容，可调电容的另一端连接铜箔天线的输出端，即高频发射管的集电极。 

可调电容还并联了一只电容。 

可控硅型振荡电路：可控硅的阳极电阻接到电源上，可控硅的阴极接地，积分电阻的一端接电源，另一端与积分电容的正极相接，积分电容的负极接地，积分电容的正极连接一个放电二极管到可控硅的阳极，积分电容的正极还连接一个稳压管到可控硅的控制极，可控硅控制极接一个电阻到地，可控硅的阳极成为可控硅型振荡电路的第一输出，可控硅阳极接一个反相器的输入，反相器的输出成为可控硅型振荡电路的第二输出。 

编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻的另一端连接调制三极管的基极。 

编码集成电路的变码端连接可控硅型振荡电路的第一输出，编码集成电路的固定码接地线。 

编码集成电路的其中一个位线连接可控硅型振荡电路的第二输出。 

2、编码集成电路的固定码接电源。 

3、编码集成电路的其余位线接可接电源，可接地线。 

4、反相器是三极管构成，三极管的基极电阻为反相器的输入端连接可控硅阳极，三极管的发射极接地，三极管的集电极为反相器的输出，即可控硅型振荡电路的第二输出，三极管的集电极与电源之间接一个电阻。 

对本措施进一步解释如下： 

当发射接通电源，即控制开关闭合后，可控硅型振荡电路迅速启动，因为编码集成电路的变码端接在了可控硅型振荡电路的输出上，因此，能发出变换的码。

1、根据措施1所述，设者专为此线路设计了一种由集成电路组成的一种改进型振荡电路，形成的原理是：开通电源后，电源通过积分电阻（图1中的201）向积分电容（图1中的202）充电，当所充电压值超过阀值电压值后可控硅（图1中203）的导通，成饱和状，成为振荡的前半周期。这时积分电容放电将通过放电二极管（图1中的207）向可控硅的阳极放电，当放电后的电压值低于阀值后，不会再产生触发电流，又由于可控硅的负载电阻R3.5的阻值较大，不能提供可控硅自保持所需要的维持电流，这时可控硅会退出饱和状而重新成截止，同时有一段时间段，因而成为振荡的后半周期。这时积分电阻（图1中的201）重新向积分电容（图1中的202）充电，成为振荡的第二周期，三周期，等等，在电路中稳压管（图1中的206）起了阀值作用。 

该电路的优点是容易损坏的有源件只有一个，而另一个三极管，它的耐压为100V，所以不易损坏，所以该线路可靠，易起振，是一个符合整体线路要求的优秀电路。 

2、 在措施1中，可控硅型振荡电路与编码集成电路形成了这样连接关系，编码集成电路的编码部分被分成了两部分，一部分是预先已连接的固定码，此固定码可以接地，也可以接电源，灵活多变，另一部分是与可控硅型振荡电路连接的变化码。在人为操作发射时，可控硅型振荡电路振荡，编码集成电路的变码端就变成了0与1两种状态，这时编码集成电路就由原只能一种单码发射变为了双码两种输出。通过对调制管的激励，达到了双码调制发射的目的。 

3、而可控硅型振荡电路的第二输出连接的位线，也形成了1与0的变换，反相器（图1中的209）是用的三极管，当可控硅的阳极为低位时，反相器的输出为高位，因为三极管的集电极与电源之间接了一个电阻（图1中的210），而当可控硅的阳极为高位时，三极管的集电极为低位，因为基极电阻（图1中的208）将三极管触发，使三极管导通，因此三极管的截止与导通就成为了位线1与0的变换状态，而三极管的截止与导通随可控硅阳极的变换而变换，由于可控硅型振荡电路的频率灵活可调，在生产时完全可以调成这样的理想情况，在操作按键所需要的时间内，（如0.5秒），完成了两次变化码的必要条件。因为只用一块编码集成电路而不用两块，编码集成电路选片端接地，线路可靠。所以位线也必定能完成两次转换，简单明了。 

4、发射的远近即灵敏度与天气有很大影响，而高端的遥控产品对灵敏度的要求很高，如果用传统的设计方法，很难保证满足本发明的设计要求，其原因是，一般的发射可以临时改变发射的位置及距离，只要当时能满足接收能收到信号便可。而本发明的发射与接收位置已确定，在使用过程不能因天气的不同而临时更改，（那样会影响正常生活习习惯），一旦在恶劣天气时，就很难保证产品的性能，所以必需增加必要的措施。而本发射却可以很大程度提高灵敏度，这是因为特定了一种铜箔天线是特定的英文大写英文字母U的倒立状，两条垂直平行的铜箔上方用弧形铜箔相吻接，铜箔天线的尺寸是铜箔的宽度为2mm，左右两条垂直铜箔的长度为30mm，两条垂直铜箔的间距为20mm，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5mm。严格制定，让发射与接收有了更好的匹配，实验证明，这样的发射在很大程度上减少了天气与周围环境对发射信号的影响。 

   5、在射频中，本专利采用晶振式，其好处是频率稳定可靠，其天线采用印刷板中铜铂敷成一定开关，整个体积小，可以装在较小的发射盒内。 

     实施后或在设计者所配套的接收器的配合下，本发明有以下突出的优点为： 

1、实现了低价格的编码集成电路的变码形式，提升了编码集成电路的性质，发射发出的不再是易被破解的单码，而是有了变换性，具有很高的防破解能力。

2、编码集成电路的位线也形成了变换形式，对提升密级度很有好处。 

3、如果与滚动码线路的配合，其破译难度是超强的，因为滚动码是一类性质的编码，而本措施中双码发射又是一类性质的编码，两种不同性质的编码组合，比一种性质的编码破解难度更大。 

4、本措施的双码发射可靠，其原因是发射双码产生的变码时，不会紊乱，只会重复，两种变码状态明显，分辨清楚，与发明者设计的接收部分十分匹配。 

5、线路可靠，一是线路精简，二是易坏件三极管只有一个，三是调感线圈封灌后，电感值不易变化。四、是天线由印刷板敷成，不产生形状上的变化，不影响射频，采用了通用设计的精华。 

6、可控硅型振荡电路线路可靠，易起振，是一个符合整体线路要求的优秀电路。 

7、射频电路采用晶振式，频率稳定可靠，线路简单，调试方便。 

8、生产容易，一是不用贵重的设备与仪表，二是技术简单，三是线路精简且所用元件要求低，所以可以产生很高的直通率，十分适合微型企业生产。 

附图说明

图1是振荡型晶振式变码发射电路的总措施图。 

其中：1—1、电源线；1、控制开关； 2、保护电阻；3、指示灯；4、晶振；5、高频发射管基极电阻；6、旁路电容；7、可调电容；8、与可调电容并联的电容；9、高频发射管；10、编码集成电路；11、编码集成电路的输出端；12、调制电阻；13、调制三极管；15、编码集成电路的固定码；16、可控硅型振荡电路；17、可控硅型振荡电路的第一输出，即编码集成电路的变码端；20、可控硅型振荡电路的第二输出，即编码集成电路的其中一个位线；22、编码集成电路的其余位线；23、铜箔天线。 

图2是可控硅型振荡电路图。 

图中：1—1、电源线；17、可控硅型振荡电路的第一输出，即编码集成电路的变码端；20、可控硅型振荡电路的第二输出，即编码集成电路的其中一个位线；201、积分电阻；202、积分电容；203、可控硅；204、可控硅阳极电阻；205、可控硅控制极电阻；206、稳压管；207、放电二极管；208、基极电阻；209、反相器；210、集电极电阻。  

具体实施实例

图1、图2共同描述了具体实施的一种方式。

可控硅型振荡电路按图2所示的焊接，振荡型晶振式变码发射电路按图1所示实施焊接。 

1、挑选元件：其中编码集成电路选用2262，发射管选用高频管，也可选择8050三极管。 

2、调整振荡单元有关参数： 

（1）、调整振荡工作状态：用示波器的红条笔接在振荡电路的输出端上，黑表笔接地，振荡后示波会出现正常的反应。

如果不起振荡，将可控硅控制极对地的电阻值减少。或将可控硅控阳极电阻的阻值增大。 

（2）、调整振荡的频率：用示波器的红条笔接在振荡电路的输出端上，黑表笔接地，观察振荡频率，如果前半周过短则可以增大积分电阻的阻值，后半周期过短可以增加可控硅控制极对地电阻的阻值。 

（3）、如果可控硅阳极升高，而反相器的输出不低，调整基极电阻或是集电极电阻，将基极电阻减小，或是将集电极电阻增大，即：在基极无电压时，集电极的电压变相当于电源电压，否则应将集电极电阻减小。而当基极有了电压，集电极电压不能高于1V，否则应将基极电阻减小。 

3、调整射频与调制工作状态： 

如果用示波器作接收器，与发射器不直接相连，这时在按发射器时，示波器会有反应，表示射频与调制工作正常。否则应调整调感线圈的感值，或编码集成电路输出端的电阻值，直到灵敏度符合要求。

4、铜箔天线应严格按照要求制定。 

5、用普通单码接收器作接收器，此时接收部分不能收到信号。如果用发明者设计的特定双码信号接收器，则双码接收器会收到信号。 

Claims (4)

1.振荡型晶振式变码发射电路，其特征是：由可控硅型振荡电路、编码集成电路、发射电路、指示电路、控制开关共同组成：

其中：控制开关的一端连接电池电源，控制开关的另一端是可控硅型振荡电路、编码集成电路、射频电路、指示电路的电源；

指示电路由保护电阻与指示灯组成：

保护电阻的一端连接到控制开关的另一端，保护电阻的另一端连接指示灯后接地；

发射电路由铜箔天线与射频电路组成：

铜箔天线是特定的英文大写英文字母U的倒立状，铜箔天线的尺寸是铜箔的宽度为2mm，左右两条垂直铜箔的长度为30mm，两条垂直铜箔的间距为20mm，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5mm；

发射电路：铜箔天线的一端为输入端，即电源火线端，编码集成电路的火线接在电源火线端上；

编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻的另一端接调制管的基极，调制三极管的发射极接地，调制三极管集电极分为三路，第一路连接高频发射管的发射极，第二路连接晶振三个端头中的一个端头，第三路连接一个旁路电容的一端，此电容另一端接铜箔天线的输入端上；

晶振另两个端头，一个端头接火线输入端，另一个端头接高频发射管的基极；

高频发射管的基极接一个电阻，电阻另一端头接在铜箔天线输入端上；

铜箔天线的输入端还接了一个可调电容，可调电容的另一端连接铜箔天线的输出端，即高频发射管的集电极；

可调电容还并联了一只电容；

可控硅型振荡电路：可控硅的阳极电阻接到电源上，可控硅的阴极接地，积分电阻的一端接电源，另一端与积分电容的正极相接，积分电容的负极接地，积分电容的正极连接一个放电二极管到可控硅的阳极，积分电容的正极还连接一个稳压管到可控硅的控制极，可控硅控制极接一个电阻到地，可控硅的阳极成为可控硅型振荡电路的第一输出，可控硅阳极接一个反相器的输入，反相器的输出成为可控硅型振荡电路的第二输出；

编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻的另一端连接调制三极管的基极；

编码集成电路的变码端连接可控硅型振荡电路的第一输出，编码集成电路的固定码接地线；

编码集成电路的其中一个位线连接可控硅型振荡电路的第二输出。

2.根据权利要求1所述的振荡型晶振式变码发射电路，其特征是：编码集成电路的固定码接电源。

3.根据权利要求1所述的振荡型晶振式变码发射电路，其特征是：编码集成电路的其余位线接可接电源，可接地线。

4.根据权利要求1所述的振荡型晶振式变码发射电路，其特征是：反相器是三极管构成，三极管的基极电阻为反相器的输入端连接可控硅阳极，三极管的发射极接地，三极管的集电极为反相器的输出，即可控硅型振荡电路的第二输出，三极管的集电极与电源之间接一个电阻。