CN203968363U - 一种分频网络及相应的喇叭结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种分频网络及相应的喇叭结构，该分频网络用于驱动相应的喇叭结构，该喇叭结构包括主动中低音扬声器以及主动高音扬声器。其中分频网络包括使高音音圈产生高频振动的高音电路以及使中低音音圈产生中低频振动的中低音电路，其中高音电路与中低音电路并联。本实用新型还提供一种喇叭结构。本实用新型的分频网络及相应的喇叭结构通过设置高音电路以及中低音电路实现了对高中低全频段音频信号的驱动；解决了现有的喇叭结构的部分频段的音质较差的技术问题。

Description

一种分频网络及相应的喇叭结构

技术领域

本实用新型涉及扬声器制作领域，更具体地说，涉及一种分频网络及相应的喇叭结构。

背景技术

在传统的扬声器设计生产中，扬声器本身设计具有一定的低频特性.但为了将扬声器装入音箱后具有更好的低音效果，一般会在扬声器上设计相应的低音辐射盘。

如图1所示，图1为现有技术的被动辐射器的结构示意图。该被动辐射器通过主动扬声器和被动辐射器的一体化设计，节省了被动辐射器的占用空间，进而提高音箱的外观美感，该被动辐射器的具体工作原理可参见申请号为201220363220.7的实用新型专利。

上述嵌入主动扬声器的被动辐射器以及音箱使用时，主动扬声器的中高频段以及被动辐射器的低频段的频宽较窄，并不能很好的满足人们对中高低全频段的要求，有时会出现高音部分的音质较差(不能完美的覆盖高频段)，有时会出现中音部分的音质较差(不能完美的覆盖中频段)。

故，有必要提供一种分频网络及相应的喇叭结构，以解决现有技术所存在的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种制作成本低，同时又可完美的覆盖高中低全频段的分频网络及相应的喇叭结构；以解决现有的喇叭结构的部分频段的音质较差的技术问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

本实用新型提供一种分频网络，用于驱动相应的喇叭结构，所述喇叭结构包括：

主动中低音扬声器，用于发出中低音；以及

主动高音扬声器，用于发出高音；其中所述分频网络包括：

高音电路，与所述主动高音扬声器的高音音圈连接，用于使所述高音音圈产生高频振动，所述高频振动的频率范围为2000Hz至20000Hz；以及

中低音电路，与所述主动中低音扬声器的中低音音圈连接，用于使所述中低音音圈产生中低频振动，所述中低频振动的频率范围为200Hz至2000Hz；

其中所述高音电路与所述中低音电路并联。

在本实用新型所述的分频网络中，所述高音电路包括高通电容C2、高通电容C3、压敏电阻R2以及低通电感L3；

其中所述高通电容C2的一端与音频信号源连接，所述高通电容C2的另一端与所述压敏电阻R2的一端连接，所述压敏电阻R2的另一端分别与所述低通电感L3的一端以及所述高通电容C3的一端连接，所述低通电感L3的另一端接地，所述高通电容C3的另一端通过所述高音音圈接地。

在本实用新型所述的分频网络中，所述中低音电路包括高通电容C1、低通电感L2以及用于消除音频信号中波谷的谷点消除电路；

其中所述谷点消除电路的一端与音频信号源连接，所述谷点消除电路的另一端分别与所述低通电感L2的一端以及所述高通电容C1的一端连接，所述高通电容C1的另一端接地，所述低通电感L2的另一端通过所述中低音音圈接地。

在本实用新型所述的分频网络中，所述谷点消除电路包括电阻R1、电感L1以及电容C4，所述电容C4和所述电感L1串联，所述电容C4和所述电感L1分别与所述电阻R1并联。

本实用新型还提供一种分频网络喇叭结构，其包括：

主动中低音扬声器，用于发出中低音；

主动高音扬声器，用于发出高音；以及

分频网络，包括：

高音电路，与所述主动高音扬声器的高音音圈连接，用于使所述高音音圈产生高频振动，所述高频振动的频率范围为2000Hz至20000Hz；以及

中低音电路，与所述主动中低音扬声器的中低音音圈连接，用于使所述中低音音圈产生中低频振动，所述中低频振动的频率范围为200Hz至2000Hz；

其中所述高音电路与所述中低音电路并联。

在本实用新型所述的喇叭结构中，所述高音电路包括高通电容C2、高通电容C3、压敏电阻R2以及低通电感L3；

其中所述高通电容C2的一端与音频信号源连接，所述高通电容C2的另一端与所述压敏电阻R2的一端连接，所述压敏电阻R2的另一端分别与所述低通电感L3的一端以及所述高通电容C3的一端连接，所述低通电感L3的另一端接地，所述高通电容C3的另一端通过所述高音音圈接地；

所述中低音电路包括高通电容C1、低通电感L2以及用于消除音频信号中波谷的谷点消除电路；

其中所述谷点消除电路的一端与音频信号源连接，所述谷点消除电路的另一端分别与所述低通电感L2的一端以及所述高通电容C1的一端连接，所述高通电容C1的另一端接地，所述低通电感L2的另一端通过所述中低音音圈接地。

在本实用新型所述的喇叭结构中，所述主动高音扬声器设置在所述主动中低音扬声器的顶端中部，

所述主动高音扬声器包括设置在所述主动高音扬声器的四周，用于发出中低音的中低音振膜；

其中所述喇叭结构还包括：

中低音扬声器固定件，设置在所述主动中低音扬声器的顶端外侧；以及

被动辐射器弹性连接件，用于弹性连接所述主动中低音扬声器以及相应的音箱。

在本实用新型所述的喇叭结构中，所述中低音振膜与所述被动辐射器弹性连接件一体化设计，所述中低音振膜以及所述被动辐射器弹性连接件的一端粘结在所述中低音扬声器固定件上。

在本实用新型所述的喇叭结构中，所述主动中低音扬声器还包括：

中低音磁铁，用于产生中低音磁力线，以在中低音磁气隙中产生恒稳磁场；

中低音音圈，设置在所述中低音磁铁上，用于通过切割所述中低音磁气隙中的中低音磁力线，将音频电流变化转换为上下振动，与所述中低音振膜连接；

中低音弹波，用于弹性固定所述中低音音圈的位置，以避免与其他部件碰撞；

中低音约克，用于形成磁极的同时，将所述中低音磁铁的中低音磁力线导向所述中低音磁气隙中；

中低音支架，用于连接所述中低音约克与所述中低音扬声器固定件；以及

中低音导磁板，用于形成磁极的同时，将所述中低音磁铁的中低音磁力线导向所述中低音磁气隙中。

在本实用新型所述的喇叭结构中，所述主动高音扬声器包括：

高音振膜，设置在所述主动高音扬声器的顶端，用于发出高音信号；

高音磁铁，设置在所述高音导磁板上，用于产生高音磁力线，以在高音磁气隙中产生恒稳磁场；

高音音圈，设置在所述高音磁铁上，用于通过切割所述高音磁气隙中的高音磁力线，将音频电流变化转换为上下振动，与所述高音振膜连接；以及

高音导磁板，用于形成磁极的同时，将所述高音磁铁的高音磁力线导向所述高音磁气隙中；

其中所述高音振膜通过高音固定件与所述中低音音圈连接。

本实用新型的分频网络及相应的喇叭结构，通过设置高音电路以及中低音电路实现了对高中低全频段音频信号的驱动；解决了现有的喇叭结构的部分频段的音质较差的技术问题。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1为现有技术的被动辐射器的结构示意图；

图2为本实用新型的喇叭结构的优选实施例的结构示意图；

图3为本实用新型的分频网络的优选实施例的结构示意图；

图4为本实用新型的喇叭结构的分频示意图；

其中，附图标记说明如下：

20、喇叭结构；

21、主动中低音扬声器；

211、中低音振膜；

212、中低音磁铁；

213、中低音音圈；

214、中低音弹波；

215、中低音约克；

216、中低音支架；

217、中低音导磁板；

22、中低音扬声器固定件；

23、被动辐射器弹性连接件；

24、主动高音扬声器；

241、高音振膜；

242、高音磁铁；

243、高音音圈；

244、高音导磁板；

245、高音固定件；

25、被动辐射器固定件；

26、分频网络；

261、高音电路；

262、中低音电路。

具体实施方式

下面结合图示，对本实用新型的优选实施例作详细介绍。

请参照图2，图2为本实用新型的主动扬声器与被动辐射器一体化的喇叭结构的优选实施例的结构示意图。该喇叭结构20包括主动中低音扬声器21、中低音扬声器固定件22以及被动辐射器弹性连接件23。其中主动中低音扬声器21的顶端中部设置有主动高音扬声器24，主动中低音扬声器21的四周设置有中低音振膜211。中低音扬声器固定件22设置在主动中低音扬声器21的顶端外侧，被动辐射器弹性连接件23用于弹性连接主动中低音扬声器21以及相应的音箱。这样主动中低音扬声器21和中低音扬声器固定件22构成的被动辐射器可用于生成低音信号，主动中低音扬声器21可用于生成中低音信号(或中音信号)，主动高音扬声器24可用于生成高音信号。

其中主动中低音扬声器21还包括中低音磁铁212、中低音音圈213、中低音弹波214、中低音约克215、中低音支架216以及中低音导磁板217。中低音磁铁212用于产生中低音磁力线，以在中低音磁气隙中产生恒稳磁场；中低音音圈213设置在中低音磁铁212上，用于通过切割中低音磁气隙中的中低音磁力线，将音频电流变化转换为上下振动，与中低音振膜211连接；中低音弹波214用于弹性固定中低音音圈213的位置，以避免与其他部件碰撞；中低音约克215用于形成磁极的同时，将中低音磁铁212的中低音磁力线导向中低音磁气隙中；中低音支架216用于连接中低音约克215与中低音扬声器固定件22；中低音导磁板217用于形成磁极的同时，将中低音磁铁212的中低音磁力线导向中低音磁气隙中。

其中主动高音扬声器24包括高音振膜241、高音磁铁242、高音音圈243以及高音导磁板244。高音振膜241设置在主动高音扬声器24的顶端，用于发出高音；高音磁铁242设置在所述高音导磁板217上，用于产生高音磁力线，以在高音磁气隙中产生恒稳磁场；高音音圈243设置高音磁铁242上，用于通过切割高音磁气隙中的高音磁力线，将音频电流变化转换为上下振动；与高音振膜241连接；高音导磁板244用于形成磁极的同时，将高音磁铁242的高音磁力线导向高音磁气隙中。高音振膜241通过高音固定件245与中低音音圈213连接。

在本实用新型的主动扬声器与被动辐射器一体化的喇叭结构20中，主动中低音扬声器21主要通过电声转换发出中低频的声音，其形状基本为一圆形，该圆形的直径为30毫米至50毫米，当然该主动中低音扬声器21的截面形状还可为正方形、长方形或椭圆形。中低音扬声器固定件22通过螺接等连接方式固定在主动中低音扬声器21的顶端外侧，该中低音扬声器固定件22一般为金属固定件或塑胶固定件，厚度也较厚，一般为2毫米至6毫米，这样具有一定重量的主动中低音扬声器21和中低音扬声器固定件22构成的被动辐射器形成低频振动时的配重，并可通过调整中低音扬声器固定件22的重量对该配重进行调整，该中低音扬声器固定件22的轮廓与上述的主动中低音扬声器21一样可为正方形、长方形、圆形或椭圆形(这里的轮廓是指中低音扬声器固定件22最外围的线条所组成的闭合图形的形状，该形状一般与主动中低音扬声器21的截面形状相一致)。

同时要实现被动辐射器的振动，还要通过被动辐射器弹性连接件23将中低音扬声器固定件22和音箱弹性连接起来，该被动辐射器弹性连接件23可为橡胶弹性连接件、泡沫塑料弹性连接件或塑胶弹性连接件，该被动辐射器弹性连接件23的厚度应较薄，一般为0.3毫米至0.6毫米，并可通过改变被动辐射器弹性连接件23的材料以及尺寸调整被动辐射器的振幅以及频率，该被动辐射器弹性连接件23的轮廓与上述的主动中低音扬声器21一样可为正方形、长方形、圆形或椭圆形。

为了实现被动辐射器的稳定振动，本实用新型的喇叭结构20还包括设置在音箱上的被动辐射器固定件25，被动辐射器固定件25用于保证被动辐射器弹性连接件23的一端可靠的固定在音箱上，该被动辐射器固定件25的轮廓与上述的主动中低音扬声器21一样可为正方形、长方形、圆形或椭圆形。当然这里也可以不设置被动辐射器固定件25，而是被动辐射器弹性连接件23直接与音箱连接。

由于被动辐射器整体进行低频振动时的振幅可能较大，因此中低音振膜211需与中低音扬声器固定件22紧密贴合连接。该中低音振膜211可为弹性橡胶、弹性泡沫塑料或弹性塑胶，该中低音振膜211的厚度应较薄，一般为0.3毫米至0.6毫米，该中低音振膜211的轮廓与上述的主动中低音扬声器21一样可为正方形、长方形、圆形或椭圆形。

主动高音扬声器24主要通过电声转换发出高频的声音，其形状基本为一圆形(基本与主动中低音扬声器相同)，该圆形的直径为10毫米至15毫米，当然该主动高音扬声器24的截面形状还可为正方形、长方形或椭圆形。主动高音扬声器24的高音振膜241与高音固定件245紧密贴合连接，即通过高音固定件245隔离开高音振膜241和中低音振膜211，避免了高音和中低音的相互影响。该高音固定件245的轮廓与上述的主动高音扬声器24一样可为正方形、长方形、圆形或椭圆形(这里的轮廓是指高音固定件245最外围的线条所组成的闭合图形的形状，该形状一般与主动高音扬声器24的截面形状相一致)。

该高音振膜241可为弹性橡胶、弹性泡沫塑料或弹性塑胶，该高音振膜241的厚度应较薄，一般为0.3毫米至0.6毫米，该高音振膜241的轮廓与上述的主动高音扬声器24一样可为正方形、长方形、圆形或椭圆形。

优选的，中低音振膜211与被动辐射器弹性连接件23一体化设计，然后将一体化设计的中低音振膜211与被动辐射器弹性连接件23粘结在中低音扬声器固定件22上，即在制作喇叭结构20时将中低音振膜211和被动辐射器弹性连接件23进行一体化制作，这样可以保证中低音振膜211和被动辐射器弹性连接件23的兼容性，提升音箱的低音效果，同时由于中低音振膜211与被动辐射器弹性连接件23一体成型，可节约音箱的制作成本。

优选的，本实用新型的喇叭结构20还包括分频网络26，该分频网络26包括高音电路261以及中低音电路262。该高音电路261与高音音圈243连接，用于使高音音圈243产生高频振动，该高频振动的频率范围为2000Hz至20000Hz；该中低音电路262与中低音音圈213连接，用于使中低音音圈213产生中低频振动，该中低频振动的频率范围为200Hz至2000Hz。同时主动中低音扬声器21以及中低音扬声器固定件22构成的被动辐射器振动的频率范围为80Hz至200Hz。因此本实用新型的喇叭结构20可以较好的覆盖80Hz至20000Hz的高中低全频段声音。

请参照图3，图3为本实用新型的主动扬声器与被动辐射器一体化的喇叭结构的分频网络的结构示意图。其中高音电路261包括高通电容C2、高通电容C3、压敏电阻R2以及低通电感L3。其中高通电容C2的一端与音频信号源连接，高通电容C2的另一端与压敏电阻R2的一端连接，压敏电阻R2的另一端分别与低通电感L3的一端以及高通电容C3的一端连接，低通电感L3的另一端接地，高通电容C3的另一端通过高音音圈接地。

高通电容C2和高通电容C3可以很好的将高频信号输入至高音音圈243，同时低通电感L3可以很好的将低频信号进行过滤，压敏电阻R2根据高频信号的电压大小对高音电路261进行保护。

中低音电路262包括高通电容C1、低通电感L3以及谷点消除电路。其中谷点消除电路的一端与音频信号源连接，谷点消除电路的另一端分别与低通电感L2的一端以及高通电容C1的一端连接，高通电容C1的另一端接地，低通电感L2的另一端通过中低音音圈接地。

高通电容C1可以很好的将高频信号进行过滤，低通电感L3可以很好的将中低频信号输入至中低音音圈213。谷点消除电路包括电阻R1，电感L1以及电容C4，其中电容C4和电感L1串联，电容C4和电感L1，同时与电阻R1并联，该谷点消除电路可有效的消除中低频信号中的波谷，对中低频信号可以起到很好的抬谷整形作用，使得主动中低音扬声器21发出的声音更加稳定。

请参照图4，图4为本实用新型的主动扬声器与被动辐射器一体化的喇叭结构的分频电路图。图中的横坐标为喇叭发声频率(Hz)，纵坐标为声压分贝(dBSPL)。其中线条A为被动辐射器的发声频率曲线，线条B为主动中低音扬声器21的发声频率曲线，线条C为主动高音扬声器24的发声频率曲线，线条D为该喇叭结构20的发声频率曲线(即将线条A、线条B以及线条C进行合成)。从图中可见本实用新型的喇叭结构20可以较好的覆盖80Hz至20000Hz的高中低全频段声音。

本实用新型的分频网络及相应的喇叭结构，通过设置高音电路以及中低音电路实现了对高中低全频段音频信号的驱动；解决了现有的喇叭结构的部分频段的音质较差的技术问题。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (10)

1.一种分频网络，用于驱动相应的喇叭结构，所述喇叭结构包括：

主动中低音扬声器，用于发出中低音；以及

主动高音扬声器，用于发出高音；其特征在于，所述分频网络包括：

高音电路，与所述主动高音扬声器的高音音圈连接，用于使所述高音音圈产生高频振动，所述高频振动的频率范围为2000Hz至20000Hz；以及

中低音电路，与所述主动中低音扬声器的中低音音圈连接，用于使所述中低音音圈产生中低频振动，所述中低频振动的频率范围为200Hz至2000Hz；

其中所述高音电路与所述中低音电路并联。

2.根据权利要求1所述的分频网络，其特征在于，所述高音电路包括高通电容C2、高通电容C3、压敏电阻R2以及低通电感L3；

其中所述高通电容C2的一端与音频信号源连接，所述高通电容C2的另一端与所述压敏电阻R2的一端连接，所述压敏电阻R2的另一端分别与所述低通电感L3的一端以及所述高通电容C3的一端连接，所述低通电感L3的另一端接地，所述高通电容C3的另一端通过所述高音音圈接地。

3.根据权利要求1所述的分频网络，其特征在于，所述中低音电路包括高通电容C1、低通电感L2以及用于消除音频信号中波谷的谷点消除电路；

其中所述谷点消除电路的一端与音频信号源连接，所述谷点消除电路的另一端分别与所述低通电感L2的一端以及所述高通电容C1的一端连接，所述高通电容C1的另一端接地，所述低通电感L2的另一端通过所述中低音音圈接地。

4.根据权利要求3所述的分频网络，其特征在于，所述谷点消除电路包括电阻R1、电感L1以及电容C4，所述电容C4和所述电感L1串联，所述电容C4和所述电感L1分别与所述电阻R1并联。

5.一种喇叭结构，其特征在于，包括：

主动中低音扬声器，用于发出中低音；

主动高音扬声器，用于发出高音；以及

分频网络，包括：

高音电路，与所述主动高音扬声器的高音音圈连接，用于使所述高音音圈产生高频振动，所述高频振动的频率范围为2000Hz至20000Hz；以及

中低音电路，与所述主动中低音扬声器的中低音音圈连接，用于使所述中低音音圈产生中低频振动，所述中低频振动的频率范围为200Hz至2000Hz；

其中所述高音电路与所述中低音电路并联。

6.根据权利要求5所述的喇叭结构，其特征在于，所述高音电路包括高通电容C2、高通电容C3、压敏电阻R2以及低通电感L3；

其中所述高通电容C2的一端与音频信号源连接，所述高通电容C2的另一端与所述压敏电阻R2的一端连接，所述压敏电阻R2的另一端分别与所述低通电感L3的一端以及所述高通电容C3的一端连接，所述低通电感L3的另一端接地，所述高通电容C3的另一端通过所述高音音圈接地；

所述中低音电路包括高通电容C1、低通电感L2以及用于消除音频信号中波谷的谷点消除电路；

其中所述谷点消除电路的一端与音频信号源连接，所述谷点消除电路的另一端分别与所述低通电感L2的一端以及所述高通电容C1的一端连接，所述高通电容C1的另一端接地，所述低通电感L2的另一端通过所述中低音音圈接地。

7.根据权利要求5所述的喇叭结构，其特征在于，所述主动高音扬声器设置在所述主动中低音扬声器的顶端中部，

所述主动高音扬声器包括设置在所述主动高音扬声器的四周，用于发出中低音的中低音振膜；

其中所述喇叭结构还包括：

中低音扬声器固定件，设置在所述主动中低音扬声器的顶端外侧；以及

被动辐射器弹性连接件，用于弹性连接所述主动中低音扬声器以及相应的音箱。

8.根据权利要求7所述的喇叭结构，其特征在于，所述中低音振膜与所述被动辐射器弹性连接件一体化设计，所述中低音振膜以及所述被动辐射器弹性连接件的一端粘结在所述中低音扬声器固定件上。

9.根据权利要求7所述的喇叭结构，其特征在于，所述主动中低音扬声器还包括：

中低音磁铁，用于产生中低音磁力线，以在中低音磁气隙中产生恒稳磁场；

中低音音圈，设置在所述中低音磁铁上，用于通过切割所述中低音磁气隙中的中低音磁力线，将音频电流变化转换为上下振动，与所述中低音振膜连接；

中低音弹波，用于弹性固定所述中低音音圈的位置，以避免与其他部件碰撞；

中低音约克，用于形成磁极的同时，将所述中低音磁铁的中低音磁力线导向所述中低音磁气隙中；

中低音支架，用于连接所述中低音约克与所述中低音扬声器固定件；以及

中低音导磁板，用于形成磁极的同时，将所述中低音磁铁的中低音磁力线导向所述中低音磁气隙中。

10.根据权利要求7所述的喇叭结构，其特征在于，所述主动高音扬声器包括：

高音振膜，设置在所述主动高音扬声器的顶端，用于发出高音信号；

高音磁铁，设置在所述高音导磁板上，用于产生高音磁力线，以在高音磁气隙中产生恒稳磁场；

高音音圈，设置在所述高音磁铁上，用于通过切割所述高音磁气隙中的高音磁力线，将音频电流变化转换为上下振动，与所述高音振膜连接；以及

高音导磁板，用于形成磁极的同时，将所述高音磁铁的高音磁力线导向所述高音磁气隙中；

其中所述高音振膜通过高音固定件与所述中低音音圈连接。