CN203967254U - 双极化阵列天线单元及低剖面高隔离度mimo天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种双极化阵列天线单元，包括多个辐射单元、分别与所述多个辐射单元对应连接的第一极化馈电网络和第二极化馈电网络，所述第一极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第一馈电端口，所述第二极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第二馈电端口，其中，相邻的所述第一馈电端口之间采用等幅同相馈电的连接方式，相邻的所述第二馈电端口之间采用等幅反相馈电的连接方式。本实用新型实施例还公开了一种利用上述双极化阵列天线单元构成的低剖面高隔离度MIMO天线。使用本实用新型可以有效减小整体的外围尺寸，制造工艺简单，且有效改善交叉极化和隔离度。

Description

双极化阵列天线单元及低剖面高隔离度MIMO天线

技术领域

本实用新型涉及移动通信基站天线领域，尤其涉及一种双极化阵列天线单元及低剖面高隔离度MIMO天线。

背景技术

在移动通信领域中，为了提高抗多径干扰能力和提升通话质量，通常会采用双极化天线进行极化分集接收。而在无线接入领域通常采用的是垂直极化+水平极化的双极化天线构成MIMO多通道，在数据率和分级接收效果都有明显的优势，MIMO的核心概念为利用MIMO天线所提供的空间自由度来有效提升无线通信系统的频谱效率，以提升传输速率并改善通信品质。

WLAN天线由于频率较高且相对频率带宽较窄，底板较小，现在一般振子采用巴伦等形式工艺复杂，振子高度较高，而一般的双极化微带天线存在隔离度不理想问题。

例如，专利号为CN201220612873.4的中国专利公开了一种2.4G的四单元垂直水平双极化天线振子其采用的是L型探针耦合馈电微带天线振子，馈电网络使用双层覆铜板设计的微带线等幅同相网络。但所采用的方式存在隔离度差（只有26dB），组装复杂（步骤较多）等缺点：

隔离度：所诉天线采用的微带天线在不采取其它措施的情况下，隔离度一般只能达到25dB左右，交叉极化只有20dB左右而馈电网络为等幅同相网络，对隔离没有改善。

组装复杂、尺寸偏大：零部件多，馈电网络、L型探针、微带贴片、底板等，在组装过程中需要先装馈电网络在底板上、再将L型探针焊接到馈电网络上（4单元8次），安装微带贴片，组装步骤太多，且导致尺寸偏大。

同样的，专利号为CN201220489268.2的中国专利公开的一种双极化MIMO天线阵也是存在相同的问题。其振子采用巴伦结构，振子高度约为0.25波长，天线高度相对较高。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型的目的在于提供一种双极化阵列天线单元及低剖面高隔离度MIMO天线，以克服现有技术的WLAN MIMO天线中无法实现的小互耦、宽带宽、小尺寸、性能不稳定等问题，减少天线的尺寸，减少天线的零部件数量，提高天线的交叉极化比、隔离度指标，提升产品生产一致性。。

为实现上述目的，本实用新型提供一种双极化阵列天线单元，所述双极化阵列天线单元具有两种极化方式的馈电点，每个馈电点通过与外部接头连接馈电，该双极化阵列天线单元包括多个辐射单元、分别与所述多个辐射单元对应连接的第一极化馈电网络和第二极化馈电网络，所述第一极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第一馈电端口，所述第二极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第二馈电端口，其中，相邻的所述第一馈电端口之间采用等幅同相馈电的连接方式，相邻的所述第二馈电端口之间采用等幅反相馈电的连接方式。

进一步的，所述双极化阵列天线单元为1*N的线性阵列单元，所述多个辐射单元为N个，其中，所述N为大于等于2的偶数。

进一步的，所述N为2、4、6或8。

进一步的，当所述N等于2时，位于所述第二极化馈电网络的馈电点一侧的所述第二馈电端口与另一侧的所述第二馈电端口相位差为半个波长；当所述N大于2时，位于所述第二极化馈电网络的馈电点一侧的所述第二馈电端口与另一侧的所述第二馈电端口相位差为一个波长。

进一步的，所述双极化阵列天线单元为采用垂直+水平极化方式的天线单元，所述第一极化馈电网络为水平极化馈电网络，所述第二极化馈电网络为垂直极化馈电网络，所述第一馈电端口为水平馈电端口，所述第二馈电端口为垂直馈电端口。

进一步的，位于所述水平极化馈电网络的馈电点同一侧的所述水平馈电端口间采用等幅同相串馈的连接方式，位于所述水平极化馈电网络的馈电点一侧的所述水平馈电端口与另一侧的所述水平馈电端口之间采用等幅同相并馈的连接方式；位于所述垂直极化馈电网络的馈电点同一侧的所述垂直馈电端口间采用等幅反相并馈的连接方式，位于所述垂直极化馈电网络的馈电点一侧的所述垂直馈电端口与另一侧的所述垂直馈电端口之间采用等幅反相并馈的连接方式。

进一步的，所述双极化阵列天线单元为采用±45°极化方式的天线单元，所述第一极化馈电网络为+45°极化馈电网络，所述第二极化馈电网络为-45°极化馈电网络，所述第一馈电端口为+45°馈电端口，所述第二馈电端口为-45°馈电端口。

进一步的，位于所述+45°极化馈电网络的馈电点同一侧的所述+45°馈电端口间采用等幅同相串馈的连接方式，位于所述+45°极化馈电网络的馈电点一侧的所述+45°馈电端口与另一侧的所述+45°馈电端口之间采用等幅同相并馈的连接方式；位于所述-45°极化馈电网络的馈电点同一侧的所述-45°馈电端口间采用等幅反相并馈的连接方式，位于所述-45°极化馈电网络的馈电点一侧的所述-45°馈电端口与另一侧的所述-45°馈电端口之间采用等幅反相并馈的连接方式。

进一步的，所述双极化阵列天线单元为一体化天线单元，所述多个辐射单元、第一极化馈电网络和第二极化馈电网络通过铝合金冲压成一体。

进一步的，每一个所述辐射单元为正方形金属片，且边长为0.5个波长。

本实用新型还提供一种低剖面高隔离度MIMO天线，其特征在于，包括底板、射频连接器、多个寄生单元以及如权利要求1～10中任一项所述的双极化阵列天线单元，所述射频连接器设于所述底板的底面，所述双极化阵列天线单元设于所述底板的表面，所述多个寄生单元分别对应连接所述双极化阵列天线单元的多个辐射单元。

进一步的，所述多个寄生单元、双极化阵列天线单元和底板通过金属支撑柱实现连接及固定。

进一步的，所述双极化阵列天线单元与底板的距离为0.02～0.05波长，所述双极化阵列天线单元与所述多个寄生单元的距离为0.05～0.10波长。

进一步的，所述双极化阵列天线单元的第一极化馈电网络和第二极化馈电网络上的馈电点分别通过与所述底板上的接头焊接馈电。

进一步的，每一个所述寄生单元为铝合金圆片，采用铝合金冲压成型，且直径为0.4波长。

使用本实用新型具有以下有益效果：

1、本实用新型所诉双极化阵列天线单元以及天线采用馈电网络和辐射单元一体化、双极化设计方案，所涉产品具有零部件少、制造工艺简单、成本低廉等特点；

2、本实用新型所诉双极化阵列天线单元以及天线的两个极化的馈电网络中第一馈电端口间采用等幅同相馈电,第二馈电端口间则采用等幅反相馈电;因此,对任一天线单元而言均可找到相邻天线单元组合工作,使得激励的主极化辐射同向叠加,同时交叉极化辐射反向抵消,这样传输系数S21很低,改善了交叉极化和隔离度；

3、采用同相串馈+并馈技术方法与传统的并馈馈电技术方法在WLAN天线上主要的优势在于减少尺寸，同时减少了线路辐射对于天线的影响；

4、采用同相串馈+并馈技术方法的馈电网络与传统的并馈馈电技术方法的相比，馈电网络占用的面积可减少约一半。

采用本专利所涉及的错位倒相馈电技术方法与传统的等幅同相馈电技术相比可提升天线的隔离度以及交叉极化比。采用错位倒相馈电技术方法可以将WLAN天线的隔离度提升到35dB以上，轴向交叉极化比在30dB以上，±60°交叉极化比在20dB以上，远优于移动通信的要求。本专利主要适用于无线接入系统的频段（2.4G频段、5.8G频段），同时也适用于相对带宽不超过20%的双极化微带天线本专利所诉天线为垂直+水平的极化方式，也可用于±45°极化的双极化天线。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的双极化阵列天线单元的结构示意图；

图2为图1所示的双极化阵列天线单元的水平极化馈电网络的结构示意图；

图3为图1所示的双极化阵列天线单元的垂直极化馈电网络的结构示意图；

图4为图1所示的双极化阵列天线单元的单个辐射单元的结构示意图；

图5为本实用新型第二实施例的双极化阵列天线单元的结构示意图；

图6为本实用新型第三实施例的双极化阵列天线单元的结构示意图；

图7为本实用新型第四实施例的双极化阵列天线单元的结构示意图；

图8为本实用新型第五实施例的双极化阵列天线单元的结构示意图；

图9为本实用新型提供的一种低剖面高隔离度MIMO天线的结构示意图；

图10为图9所示的低剖面高隔离度MIMO天线的侧面结构示意图；

图11为图9所示的低剖面高隔离度MIMO天线的背面结构示意图

图12为图9所示的低剖面高隔离度MIMO天线的寄生单元的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。

本实用新型提供了一种双极化阵列天线单元以及带有该双极化阵列天线单元的低剖面高隔离度MIMO天线，该双极化阵列天线单元具有两种极化方式的馈电点，每个馈电点通过与外部接头连接馈电，该双极化阵列天线单元包括多个辐射单元、分别与所述多个辐射单元对应连接的第一极化馈电网络和第二极化馈电网络，所述第一极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第一馈电端口，所述第二极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第二馈电端口，其中，相邻的所述第一馈电端口之间采用等幅同相馈电的连接方式，相邻的所述第二馈电端口之间采用等幅反相馈电的连接方式。该双极化阵列天线单元为1*N的线性阵列单元，所述多个辐射单元为N个，其中，所述N为大于等于2的偶数，例如，所述N可为2、4、6或8。另外，所述双极化阵列天线单元为一体化天线单元，所述多个辐射单元、第一极化馈电网络和第二极化馈电网络通过铝合金冲压成一体。

现结合图1～10的多个实施例对本实用新型的双极化阵列天线单元以及低剖面高隔离度MIMO天线进行详细描述。

参考图1，为本实用新型第一实施例，公开了一种四单元的双极化阵列天线单元10，且本实施例的双极化阵列天线单元为采用垂直+水平极化方式的天线单元，该天线单元为1*4的线性阵列单元，其具有两种极化方式的馈电点，每个馈电点通过与外部接头连接馈电，该双极化阵列天线单元包括四个辐射单元11、分别与所述四个辐射单元11对应连接的水平极化馈电网络12和垂直极化馈电网络13，所述水平极化馈电网络12与所述四个辐射单元连接的四个馈电端口为水平馈电端口121，所述垂直极化馈电网络13与所述四个辐射单元连接的四个馈电端口为垂直馈电端口131。所述四个辐射单元11、水平极化馈电网络12和垂直极化馈电网络13通过铝合金冲压成型的一体化天线单元。每一个所述辐射单元11为正方形金属片，边长为0.5个波长，所述四个辐射单元11以边长正对边长的方式排列成线性阵列，如图4所示。

其中，相邻的所述水平馈电端口121之间采用等幅同相馈电的连接方式，相邻的所述垂直馈电端口131之间采用等幅反相馈电的连接方式。

具体的，结合1和图2所示，所述四个辐射单元11包括第一辐射单元11a、第二辐射单元11b、第三辐射单元11c以及第四辐射单元11d,在所述水平极化馈电网络12中，所述水平馈电端口121包括第一水平馈电端口121a、第二水平馈电端口121b、第三水平馈电端口121c以及第四水平馈电端口121d。所述水平极化馈电网络12分别通过所述第一水平馈电端口121a与所述第一辐射单元11a连接，通过第二水平馈电端口121b与第二辐射单元11b连接，通过第三水平馈电端口121c与第三辐射单元11c连接以及通过第四水平馈电端口121d与第四辐射单元11d连接。其中，所述第一水平馈电端口121a、第二水平馈电端口121b、第三水平馈电端口121c以及第四水平馈电端口121中任意相邻的两个为等幅同相馈电连接，例如，在本实施例中，若所述第一水平馈电端口121a的馈电相位为90°，那么，所述第二水平馈电端口121b、第三水平馈电端口121c以及第四水平馈电端口121d的馈电相位均为90°。

另外，所述第一水平馈电端口121a和第二水平馈电端口121b位于水平极化馈电网络12的馈电点122的一侧，第三水平馈电端口121c以及第四水平馈电端口121d位于馈电点122的另一侧，其中，所述第一水平馈电端口121a和第二水平馈电端口121b之间采用等幅同相串馈的连接方式，所述第三水平馈电端口121c以及第四水平馈电端口121d也采用等幅同相串馈的连接方式。而位于所述水平极化馈电网络12的馈电点122的一侧的所述第一水平馈电端口121a、第二水平馈电端口121b和位于所述水平极化馈电网络12的馈电点122的另一侧的所述第三水平馈电端口121c、第四水平馈电端口121d之间采用等幅同相并馈的连接方式。

结合1和图3所示，在所述垂直极化馈电网络13中，所述垂直馈电端口131包括第一垂直馈电端口131a、第二垂直馈电端口131b、第三垂直馈电端口131c以及第四垂直馈电端口131d。所述垂直极化馈电网络13分别通过所述第一垂直馈电端口131a与所述第一辐射单元11a连接，通过第二垂直馈电端口131b与第二辐射单元11b连接，通过第三垂直馈电端口131c与第三辐射单元11c连接以及通过第四垂直馈电端口131d与第四辐射单元11d连接。其中，所述第一垂直馈电端口131a、第二垂直馈电端口131b、第三垂直馈电端口131c以及第四垂直馈电端口131中任意相邻的两个为等幅反相馈电连接，例如，在本实施例中，若所述第一垂直馈电端口131a的馈电相位为0°，那么，所述第二垂直馈电端口131b的馈电相位为180，第三垂直馈电端口131c的馈电相位为360°（等效为0°）以及第四垂直馈电端口131d的馈电相位为540°（等效为180°）。

另外，所述第一垂直馈电端口131a和第二垂直馈电端口131b位于垂直极化馈电网络13的馈电点132的一侧，第三垂直馈电端口131c以及第四垂直馈电端口131d位于馈电点132的另一侧，其中，所述第一垂直馈电端口131a和第二垂直馈电端口131b之间采用等幅反相并馈的连接方式，所述第三垂直馈电端口131c以及第四垂直馈电端口131d也采用等幅反相并馈的连接方式。而位于所述垂直极化馈电网络13的馈电点132的一侧的所述第一垂直馈电端口131a、第二垂直馈电端口131b和位于所述垂直极化馈电网络13的馈电点132的另一侧的所述第三垂直馈电端口131c、第四垂直馈电端口131d之间则采用等幅反相并馈的连接方式。

在本实施例中，由于所述双极化阵列天线单元10的水平极化馈电网络12的水平端口121间采用等幅同相馈电,而垂直极化馈电网络13的垂直端口131间采用等幅反相馈电（即错位倒相馈电）。因此,对于任一辐射单元11而言均可找到相邻辐射单元组合工作,使得激励的主极化辐射同向叠加,同时交叉极化辐射反向抵消,这样传输系数S21很低,改善了交叉极化和隔离度。比如与垂直极化馈电网络连接中，辐射单元可以简化为电流矢量，可分为本极化分量以及异极化分量，由于辐射单元馈电位置相反的，因此造成本极化分量叠加，异极化分量反向相消，提升天线的极化纯度，减少两端口的互耦，从而达到改善交叉极化比提高隔离度的目的。

参考图5，为本实用新型第二实施例的双极化阵列天线单元的结构示意图。该实施例公开的双极化阵列天线单元20与图1所示的第一实施例的四单元的双极化阵列天线单元10结构相似，不同的是，本实施例的双极化阵列天线单元为八单元的双极化阵列天线单元，即天线单元为1*8的线性阵列单元，其包括八个辐射单元21、分别与所述八个辐射单元21对应连接的水平极化馈电网络22和垂直极化馈电网络23，所述水平极化馈电网络22与所述八个辐射单元连接的八个馈电端口为水平馈电端口221，所述垂直极化馈电网络23与所述八个辐射单元连接的八个馈电端口为垂直馈电端口231。所述八个辐射单元21、水平极化馈电网络22和垂直极化馈电网络23通过铝合金冲压成型的一体化天线单元。

其中，相邻的所述水平馈电端口221之间采用等幅同相馈电的连接方式，相邻的所述垂直馈电端口231之间采用等幅反相馈电的连接方式。

所述八个辐射单元21和水平极化馈电网络22、垂直极化馈电网络23的结构、连接关系以及所述水平馈电端口221、垂直馈电端口231的位置关系与图1所示的第一实施例的双极化阵列天线单元10基本一致，在此省略详细描述。

参考图6，为本实用新型第三实施例的双极化阵列天线单元的结构示意图。该实施例公开的双极化阵列天线单元30与图1所示的第一实施例的四单元的双极化阵列天线单元10结构相似，不同的是，本实施例的双极化阵列天线单元为二单元的双极化阵列天线单元，即天线单元为1*2的线性阵列单元，其包括两个辐射单元31、分别与所述两个辐射单元31对应连接的水平极化馈电网络32和垂直极化馈电网络33，所述水平极化馈电网络32与所述两个辐射单元连接的两个馈电端口为水平馈电端口321，所述垂直极化馈电网络33与所述两个辐射单元连接的两个馈电端口为垂直馈电端口331。所述两个辐射单元31、水平极化馈电网络32和垂直极化馈电网络33通过铝合金冲压成型的一体化天线单元。

其中，相邻的所述水平馈电端口321之间采用等幅同相馈电的连接方式，相邻的所述垂直馈电端口331之间采用等幅反相馈电的连接方式。

所述两个辐射单元31和水平极化馈电网络32、垂直极化馈电网络33的结构、连接关系以及所述水平馈电端口321、垂直馈电端口331的位置关系与图1所示的第一实施例的双极化阵列天线单元10基本一致，不同的是，位于所述垂直极化馈电网络33的馈电点332一侧的垂直馈电端口331a与另一侧的垂直馈电端口331b相位差为半个波长而非一个波长。

参考图7，为本实用新型第四实施例的双极化阵列天线单元的结构示意图。该实施例公开的双极化阵列天线单元40与图1所示的第一实施例的四单元的双极化阵列天线单元10结构相似，不同的是，实施例公开的双极化阵列天线单元40为采用±45°极化方式的天线单元，该天线单元也为1*4的线性阵列单元，其包括四个辐射单元41、分别与所述四个辐射单元41对应连接的+45°极化馈电网络42和-45°极化馈电网络43，所述+45°极化馈电网络42与所述四个辐射单元连接的四个馈电端口为+45°馈电端口421，所述-45°极化馈电网络43与所述四个辐射单元连接的四个馈电端口为-45°馈电端口431。所述四个辐射单元41、+45°极化馈电网络42和-45°极化馈电网络43通过铝合金冲压成型的一体化天线单元。

其中，相邻的所述+45°馈电端口421之间采用等幅同相馈电的连接方式，相邻的所述-45°馈电端口431之间采用等幅反相馈电的连接方式。

所述四个辐射单元41和+45°极化馈电网络42、-45°极化馈电网络43的结构、连接关系以及所述+45馈电端口421、-45°馈电端口431的位置关系与图1所示的第一实施例的双极化阵列天线单元10基本一致，在此省略详细描述。

参考图8，为本实用新型第五实施例的双极化阵列天线单元的结构示意图。该天线单元也为1*4的线性阵列单元，其包括四个辐射单元51、分别与所述四个辐射单元51对应连接的+45°极化馈电网络52和-45°极化馈电网络53，所述+45°极化馈电网络52与所述四个辐射单元连接的四个馈电端口为+45°馈电端口521，所述-45°极化馈电网络53与所述四个辐射单元连接的四个馈电端口为-45°馈电端口531。所述四个辐射单元51、+45°极化馈电网络52和-45°极化馈电网络53通过铝合金冲压成型的一体化天线单元。

本实施例公开的双极化阵列天线单元50与图7所示的第四实施例的四单元的双极化阵列天线单元40结构相似，不同的是，第四实施例的四单元的双极化阵列天线单元40的四个辐射单元41以边长正对边长的方式排列成线性阵列，而本实施例公开的双极化阵列天线单元50的四个辐射单元51以角正对角的方式排列成线性阵列。

其中，相邻的所述+45°馈电端口521之间采用等幅同相馈电的连接方式，相邻的所述-45°馈电端口531之间采用等幅反相馈电的连接方式。

所述四个辐射单元51和+45°极化馈电网络52、-45°极化馈电网络53的结构、连接关系以及所述+45馈电端口521、-45°馈电端口531的位置关系与图1所示的第一实施例的双极化阵列天线单元10基本一致，在此省略详细描述。

参考图9～12，为本实用新型一种实施例的低剖面高隔离度MIMO天线，包括底板1、射频连接器6、多个寄生单元3以及双极化阵列天线单元2，所述射频连接器6设于所述底板1的底面，所述双极化阵列天线单元2设于所述底板1的表面，所述多个寄生单元3分别对应连接所述双极化阵列天线单元2的多个辐射单元。所述双极化阵列天线单元2的两种极化方向的馈电网络的馈电点分别通过与所述底板1上的接头1a焊接馈电,如图11所示。

具体的，每一个所述寄生单元3为铝合金圆片，采用铝合金冲压成型，且直径为0.4波长，如图12所示。且每一个寄生单元3、双极化阵列天线单元2和底板1通过金属支撑柱4、5实现连接及固定，如图10所示。其中，所述双极化阵列天线单元2与底板1的距离为0.02～0.05波长，所述双极化阵列天线单元2与每一个寄生单元3的距离为0.05～0.10波长。因此，天线高度在不计算外罩的情况下只有0.1波长左右，远低于一般天线振子的0.25波长。

具体的，所述双极化阵列天线单元2可为上述任意实施例所描述的双极化阵列天线单元，例如，在本实施例的MIMO天线中，所述双极化阵列天线单元2采用了图1所示的第一实施例的四单元的双极化阵列天线单元10。但可以理解的，在本实施例的MIMO天线中，也可采用其他实施例的双极化阵列天线单元。

综上所述，使用本实用新型具有以下有益效果：

1、本实用新型所诉双极化阵列天线单元以及天线采用馈电网络和辐射单元一体化、双极化设计方案，所涉产品具有零部件少、制造工艺简单、成本低廉等特点；

2、本实用新型所诉双极化阵列天线单元以及天线的两个极化的馈电网络中第一馈电端口间采用等幅同相馈电,第二馈电端口间则采用等幅反相馈电;因此,对任一天线单元而言均可找到相邻天线单元组合工作,使得激励的主极化辐射同向叠加,同时交叉极化辐射反向抵消,这样传输系数S21很低,改善了交叉极化和隔离度；

3、采用同相串馈+并馈技术方法与传统的并馈馈电技术方法在WLAN天线上主要的优势在于减少尺寸，同时减少了线路辐射对于天线的影响；

4、采用同相串馈+并馈技术方法的馈电网络与传统的并馈馈电技术方法的相比，馈电网络占用的面积可减少约一半。

采用本专利所涉及的错位倒相馈电技术方法与传统的等幅同相馈电技术相比可提升天线的隔离度以及交叉极化比。采用错位倒相馈电技术方法可以将WLAN天线的隔离度提升到35dB以上，轴向交叉极化比在30dB以上，±60°交叉极化比在20dB以上，远优于移动通信的要求。本专利主要适用于无线接入系统的频段（2.4G频段、5.8G频段），同时也适用于相对带宽不超过20%的双极化微带天线本专利所诉天线为垂直+水平的极化方式，也可用于±45°极化的双极化天线。

以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。

Claims (15)

1.一种双极化阵列天线单元，其特征在于，所述双极化阵列天线单元具有两种极化方式的馈电点，每个馈电点通过与外部接头连接馈电，该双极化阵列天线单元包括多个辐射单元、分别与所述多个辐射单元对应连接的第一极化馈电网络和第二极化馈电网络，所述第一极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第一馈电端口，所述第二极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第二馈电端口，其中，相邻的所述第一馈电端口之间采用等幅同相馈电的连接方式，相邻的所述第二馈电端口之间采用等幅反相馈电的连接方式。 

2.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元，其特征在于，所述双极化阵列天线单元为1*N的线性阵列单元，所述多个辐射单元为N个，其中，所述N为大于等于2的偶数。 

3.如权利要求2所述的双极化阵列天线单元，其特征在于，所述N为2、4、6或8。 

4.如权利要求2所述的双极化阵列天线单元，其特征在于，当所述N等于2时，位于所述第二极化馈电网络的馈电点一侧的所述第二馈电端口与另一侧的所述第二馈电端口相位差为半个波长；当所述N大于2时，位于所述第二极化馈电网络的馈电点一侧的所述第二馈电端口与另一侧的所述第二馈电端口相位差为一个波长。 

5.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元，其特征在于，所述双极化阵列天线单元为采用垂直+水平极化方式的天线单元，所述第一极化馈电网络为水平极化馈电网络，所述第二极化馈电网络为垂直极化馈电网络，所述第一馈电端口为水平馈电端口，所述第二馈电端口为垂直馈电端口。 

6.如权利要求5所述的双极化阵列天线单元，其特征在于，位于所述水平极化馈电网络的馈电点同一侧的所述水平馈电端口间采用等幅同相串馈的连接方式，位于所述水平极化馈电网络的馈电点一侧的所述水平馈电端口与另一侧的所述水平馈电端口之间采用等幅同相并馈的连接方式；位于所述垂直极化馈电网络的馈电点同一侧的所述垂直馈电端口间采用等幅反相并馈的连接方式，位于所述垂直极化馈电网络的馈电点一侧的所述垂直馈电端口与另一侧的所述垂直馈电端口之间采用等幅反相并馈的连接方式。 

7.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元，其特征在于，所述双极化阵列天线单元为采用±45°极化方式的天线单元，所述第一极化馈电网络为+45°极化馈电网络，所述第二极化馈电网络为-45°极化馈电网络，所述第一馈电端口为+45°馈电端口，所述第二馈电端口为-45°馈电端口。 

8.如权利要求7所述的双极化阵列天线单元，其特征在于，位于所述+45°极化馈电网络的馈电点同一侧的所述+45°馈电端口间采用等幅同相串馈的连接方式，位于所述+45°极化馈电网络的馈电点一侧的所述+45°馈电端口与另一侧的所述+45°馈电端口之间采用等幅同相并馈的连接方式；位于所述-45°极化馈电网络的馈电点同一侧的所述-45°馈电端口间采用等幅反相并馈的连接方式，位于所述-45°极化馈电网络的馈电点一侧的所述-45°馈电端口与另一侧的所述-45°馈电端口之间采用等幅反相并馈的连接方式。 

9.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元，其特征在于，所述双极化阵列天线单元为一体化天线单元，所述多个辐射单元、第一极化馈电网络和第二极化馈电网络通过铝合金冲压成一体。 

10.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元，其特征在于，每一个所述辐射单元为正方形金属片，且边长为0.5个波长。 

11.一种低剖面高隔离度MIMO天线，其特征在于，包括底板、射频连接器、多个寄生单元以及如权利要求1～10中任一项所述的双极化阵列天线单元，所述射频连接器设于所述底板的底面，所述双极化阵列天线单元设于所述底板的表面，所述多个寄生单元分别对应连接所述双极化阵列天线单元的多个辐射单元。 

12.如权利要求11所述的低剖面高隔离度MIMO天线，其特征在于，所述多个寄生单元、双极化阵列天线单元和底板通过金属支撑柱实现连接及固定。 

13.如权利要求11或12所述的低剖面高隔离度MIMO天线，其特征在于，所述双极化阵列天线单元与底板的距离为0.02～0.05波长，所述双极化阵列天线单元与所述多个寄生单元的距离为0.05～0.10波长。 

14.如权利要求11所述的低剖面高隔离度MIMO天线，其特征在于，所述双极化阵列天线单元的第一极化馈电网络和第二极化馈电网络上的馈电点分别通过与所述底板上的接头焊接馈电。 

15.如权利要求11所述的低剖面高隔离度MIMO天线，其特征在于，每一个所述寄生单元为铝合金圆片，采用铝合金冲压成型，且直径为0.4波长。