CN203942666U - 一种带功率修正的场效应晶体管降压式led驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种带功率修正的场效应晶体管降压式LED驱动电路,由全桥整流电路(1)、电压检测电路(2)、输出控制电路(3)组成。本驱动电路通过电压基准芯片进行输出电流控制,通过检测输入电压修正输出电流,自动修正输入功率,有效解决非开关式LED驱动电路随输入电压变化功率变化的问题。
Description
技术领域
本实用新型总体涉及LED照明电路领域,特别涉及非开关式LED驱动电路。
背景技术
目前非开关式LED驱动电路一般有电容降压式、电阻降压式、恒流二极管降压式、场效应晶体管降压式等。这些方式都存在输入电压变化时,输入功率跟随变化的问题。由于LED的非线性,输入电压变化引起功率的变化比较大,对LED的使用寿命造成影响。
实用新型内容
本实用新型提供了一种带功率修正的场效应晶体管降压式LED驱动电路,其包括全桥整流电路1、电压检测电路2以及输出控制电路3,其中所述全桥整流电路1将输入电压转换为全部正半周输出,并且将整流后的输入电压提供到所述输出控制电路3和所述电压检测电路2,其中所述电压检测电路2检测所述整流后的输入电压的变化量,并且将该变化量提供到所述输出控制电路3,以及其中所述输出控制电路3检测输出反馈电流,并且根据所述输出反馈电流和从所述电压检测电路2接收的所述变化量调整输出电流,以保持输入功率的恒定。
其中所述输出控制电路3包括电压基准芯片U1和场效应晶体管Q1,所述场效应晶体管Q1检测所述输出反馈电流,所述输出反馈电流经由采样电阻转换为电压值,该电压值与检测到的所述变化量相加后被提供到所述电压基准芯片U1的基准脚,所述电压基准芯片U1根据基准脚的电压变化调整所述场效应晶体管Q1的驱动电压,从而控制所述场效应晶体管Q1的导通电阻,继而控制流过所述场效应晶体管Q1的电流。
其中所述输出控制电路3还包括第三电阻器R3、第四电阻器R4、第 五电阻器R5、第六电阻器R6、第一电容器C1和第二电容器C2,其中所述第三电阻器R3的一端与所述第一电容器C1的正极相连并且连接到所述全桥整流电路1的正输出,作为LED负载的正输入端,所述第三电阻器R3的另一端与所述场效应晶体管Q1的栅极、所述电压基准芯片U1的阴极、所述第四电阻器R4的一端以及所述第二电容器C2的一端相连,所述第四电阻器R4的另一端与所述场效应晶体管Q1的漏极以及所述第一电容器C1的负极相连,作为LED负载的负输入端,所述第二电容器C2的另一端与所述电压基准芯片U1的基准脚以及所述第五电阻器R5的一端相连,作为功率修正输入端与所述电压检测电路2的输出端相连,所述第五电阻器R5的另一端与所述场效应晶体管Q1的源极以及所述第六电阻器R6的一端相连,所述第六电阻器R6的另一端连接到所述全桥整流电路1的负输出。
其中所述电压检测电路2包括第一电阻器R1、第二电阻器R2以及齐纳二极管ZD1,所述第一电阻器R1的一端连接到所述全桥整流电路1的正输出,所述第一电阻器R1的另一端与所述齐纳二极管ZD1的阴极以及所述第二电阻器R2的一端相连,所述第二电阻器R2的另一端连接到所述全桥整流电路1的负输出,所述齐纳二极管ZD1的阳极作为电压检测电路2的输出并且连接到所述输出控制电路3的功率修正输入端。
其中所述全桥整流电路1包括熔断器F1以及桥式整流器BD1,所述熔断器F1的一端连接到输入交流电的火线,所述熔断器F1的另一端与所述桥式整流器BD1的一个输入端相连,所述桥式整流器BD1的另一个输入端连接到输入交流电的零线,所述桥式整流器BD1的正端作为所述全桥整流电路1的正输出,所述桥式整流器BD1的负端作为所述全桥整流电路1的负输出。
这种LED驱动电路实现输入功率自动修正,有效解决输入电压变化引起功率变化的问题,令LED的工作更稳定,保证LED使用寿命。
附图说明
图1是根据本实用新型的一个示例实施例的电路原理框图。
图2是根据本实用新型的一个示例实施例的更详细的电路原理图。
具体实施方式
图1是根据本实用新型的一个示例实施例的电路原理框图。如图1所示,在一个示例实施例中,LED驱动电路包括3部分:全桥整流电路1、电压检测电路2以及输出控制电路3。全桥整流电路1连接到输入交流电,将输入交流电整流为全部正半周,并且供给电压检测电路2和输出控制电路3。电压检测电路2检测整流后的输入电压,将其产生的变化量传给输出控制电路3。输出控制电路3检测输出反馈电流并且接收来自电压检测电路2的输入电压变化量,自动控制调整输出电流,实现输入功率的恒定。
图2是根据本实用新型的一个示例实施例的更详细的电路原理图。在一个示例实施例中,全桥整流电路1包括熔断器F1以及桥式整流器(bridge diode)BD1。熔断器F1的一端连接到输入交流电的火线,熔断器F1的另一端与桥式整流器BD1的一个输入端相连,桥式整流器BD1的另一个输入端连接到输入交流电的零线,桥式整流器BD1的正端作为全桥整流电路1的正输出,桥式整流器BD1的负端作为全桥整流电路1的负输出。
在一个示例实施例中,电压检测电路2包括电阻器R1、电阻器R2以及齐纳二极管ZD1。电阻器R1的一端连接到全桥整流电路1的正输出,电阻器R1的另一端与齐纳二极管ZD1的阴极以及电阻器R2的一端相连,电阻器R2的另一端连接到全桥整流电路1的负输出。齐纳二极管ZD1的阳极作为电压检测电路2的输出,并且连接到输出控制电路3的功率修正输入端。电阻器R1与电阻器R2对整流后的输入电压进行分压。当输入电压增大,使得电阻器R1与电阻器R2的分压值大于齐纳二极管ZD1的稳压值时,就有电流流过齐纳二极管ZD1传输到输出控制电路3。分压值大于齐纳二极管ZD1的稳压值越多,流过齐纳二极管ZD1的电流就越大,传输到输出控制电路3的修正量越大。
在一个示例实施例中,输出控制电路3包括电压基准芯片U1(例如,电压基准芯片431或432等)、场效应晶体管Q1、电阻器R3、R4、R5、R6以及电容器C1、C2。电阻器R3的一端与电容器C1的正极相连并且 连接到全桥整流电路1的正输出,作为LED负载的正输入端。电阻器R3的另一端与场效应晶体管Q1的栅极、电压基准芯片U1的阴极、电阻器R4的一端以及电容器C2的一端相连。电阻器R4的另一端与场效应晶体管Q1的漏极、电容器C1的负极相连,作为LED负载的负输入端。电容器C2的另一端与电压基准芯片U1的基准脚以及电阻器R5的一端相连,作为功率修正输入端与电压检测电路2的输出端相连。电阻器R5的另一端与场效应晶体管Q1的源极、电阻器R6的一端相连。电阻器R6的另一端连接到全桥整流电路1的负输出。电阻器R3、R4组成供电回路,给场效应晶体管Q1提供驱动电压。电阻器R5将电压检测电路2传输过来的电流信号转为电压信号。输出电流经过电阻器R6采样变为电压信号,与来自电压检测电路2的检测信号一起加到电压基准芯片U1的基准脚。电压基准芯片U1通过基准脚的信号变化控制场效应晶体管Q1的驱动电压,从而控制场效应晶体管的导通电阻,达到控制流过场效应晶体管的电流,完成输出电流的控制和输入功率的自动修正。电容器C1作为输出滤波电容,用来平滑输出电流,减少电流纹波。电容器C2作负反馈,让电压基准芯片U1的工作更稳定。
虽然针对特定实施例描述了本实用新型,但是本领域技术人员应当理解,在不偏离本实用新型的保护范围的情况下,可以对这些示出的实施例进行修改和改变。
Claims (5)
1.一种带功率修正的场效应晶体管降压式LED驱动电路,其特征在于,包含全桥整流电路(1)、电压检测电路(2)以及输出控制电路(3),
其中所述全桥整流电路(1)将输入电压转换为全部正半周输出,并且将整流后的输入电压提供到所述输出控制电路(3)和所述电压检测电路(2),
其中所述电压检测电路(2)检测所述整流后的输入电压的变化量,并且将该变化量提供到所述输出控制电路(3),以及
其中所述输出控制电路(3)检测输出反馈电流,并且根据所述输出反馈电流和从所述电压检测电路(2)接收的所述变化量调整输出电流,以保持输入功率的恒定。
2.根据权利要求1所述的带功率修正的场效应晶体管降压式LED驱动电路,其特征在于,其中所述输出控制电路(3)包括电压基准芯片(U1)和场效应晶体管(Q1),所述场效应晶体管(Q1)检测所述输出反馈电流,所述输出反馈电流经由采样电阻转换为电压值,该电压值与检测到的所述变化量相加后被提供到所述电压基准芯片(U1)的基准脚,所述电压基准芯片(U1)根据其基准脚的电压变化调整所述场效应晶体管的驱动电压,从而控制所述场效应晶体管的导通电阻,继而控制流过所述场效应晶体管的电流。
3.根据权利要求2所述的带功率修正的场效应晶体管降压式LED驱动电路,其特征在于,所述输出控制电路(3)还包括第三电阻器(R3)、第四电阻器(R4)、第五电阻器(R5)、第六电阻器(R6)、第一电容器(C1)和第二电容器(C2),
其中所述第三电阻器(R3)的一端与所述第一电容器(C1)的正极相连并且连接到所述全桥整流电路(1)的正输出,作为LED负载的正输入端,所述第三电阻器(R3)的另一端与所述场效应晶体管(Q1)的栅极、所述电压基准芯片(U1)的阴极、所述第四电阻器(R4)的一端以及所述第二电容器(C2)的一端相连,所述第四电阻器(R4)的另一端与所述场效应晶体管(Q1)的漏极以及所述第一电容器(C1)的负极相连,作为LED负载的负输入端,所述第二电容器(C2)的另一端与所述电压基准芯片(U1)的基准脚以及所述第五电阻器(R5)的一端相连,作为功率修正输入端与所述电压检测电路(2)的输出端相连,所述第五电阻器(R5)的另一端与所述场效应晶体管(Q1)的源极以及所述第六电阻器(R6)的一端相连,所述第六电阻器(R6)的另一端连接到所述全桥整流电路(1)的负输出。
4.根据权利要求1所述的带功率修正的场效应晶体管降压式LED驱动电路,其特征在于,所述电压检测电路(2)包括第一电阻器(R1)、第二电阻器(R2)以及齐纳二极管(ZD1),所述第一电阻器(R1)的一端连接到所述全桥整流电路(1)的正输出,所述第一电阻器(R1)的另一端与所述齐纳二极管(ZD1)的阴极以及所述第二电阻器(R2)的一端相连,所述第二电阻器(R2)的另一端连接到所述全桥整流电路(1)的负输出,所述齐纳二极管(ZD1)的阳极作为电压检测电路(2)的输出并且连接到所述输出控制电路(3)的功率修正输入端。
5.根据权利要求1所述的带功率修正的场效应晶体管降压式LED驱动电路,其特征在于,所述全桥整流电路(1)包括熔断器(F1)以及桥式整流器(BD1),所述熔断器(F1)的一端连接到输入交流电的火线,所述熔断器(F1)的另一端与所述桥式整流器(BD1)的一个输入端相连,所述桥式整流器(BD1)的另一个输入端连接到输入交流电的零线,所述桥式整流器(BD1)的正端作为所述全桥整流电路(1)的正输出,所述桥式整流器(BD1)的负端作为所述全桥整流电路(1)的负输出。
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