CN203909743U - 触控装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种触控装置，包含一感测电极层、一跨接导体以及一介电层。感测电极层包含多个感测导体。跨接导体经配置以电性连接该多个感测导体。介电层具有一图案化表面与该跨接导体相接触，且该跨接导体之一部分嵌入该图案化表面中。在生产过程中，即使跨接导体的上表面被刮伤，嵌入图案化表面中的部份跨接导体仍可提供电性连接，可降低因跨接导体表面遭刮伤所导致线路开路或线阻偏大而使触控装置功能受损之风险。
Description
技术领域
本实用新型涉及触控技术，特别涉及触控装置。
背景技术
触控面板(touch panel)或触控屏幕(touch screen)逐渐普遍应用于电子装置中，特别是可携式或手持式电子装置，例如个人数字助理(PDA)或移动电话。目前的触控面板中，有些面板的感测电极结构包含岛状绝缘层。在触控面板的生产过程中，有一导体层形成于岛状绝缘层上。然而因岛状绝缘层具有一定的厚度，且导体层厚度相对于岛状绝缘层而言较薄，所以在生产过程中，该导体层需要跨越岛状绝缘层的高度，在岛状绝缘层上形成时有一局部凸起，该局部凸起使得导体层容易遭刮伤而导致线路开路或线阻偏大，从而有使触控装置之功能受损的风险。
实用新型内容
鉴于上述，本实用新型的实施例提供一种触控装置，包含一感测电极层、一跨接导体以及一介电层。感测电极层包含多个感测导体。跨接导体经配置以电性连接该多个感测导体。介电层具有一图案化表面与该跨接导体相接触，且该跨接导体之一部分嵌入该图案化表面中。
本实用新型的实施例中，图案化表面包含一波浪形表面。
本实用新型的实施例中，跨接导体具有一波浪形表面。
本实用新型的实施例中，图案化表面包含一波峰与一波谷，且跨接导体在波峰处之厚度与跨接导体在波谷处之厚度相同。
本实用新型的实施例中，图案化表面包含一波峰与一波谷，且跨接导体在波峰处之厚度小于跨接导体在波谷处之厚度。
本实用新型的实施例中，图案化表面包含一沟槽，且跨接导体嵌入沟槽中。
本实用新型的实施例中，感测电极层包含沿第一方向排列且相互电性连接之第一感测导体，以及沿第二方向排列且相互电性连接之第二感测导体，且跨接导体包含一跨接导体和另一跨接导体，跨接导体在第一方向上电性连接第一感测导体，另一跨接导体在第二方向上电性连接第二感测导体，介电层位于跨接导体与另一跨接导体之间。
本实用新型的实施例中，波浪形表面之延伸方向与第二方向一致。
本实用新型的实施例中，波浪形表面之延伸方向与第二方向相交。
本实用新型的实施例另提供一种触控装置，包含一基板，位于基板上、沿第一方向排列之第一感测导体，位于基板上、沿第二方向排列之第二感测导体，一第一跨接导体，一第二跨接导体，以及一介电层。第一跨接导体位于基板上，且在第一方向上电性连接该等第一感测导体。第二跨接导体在第二方向上电性连接该等第二感测导体。介电层位于基板上，位于第一跨接导体与第二跨接导体之间，且具有一图案化表面，其中第二跨接导体与图案化表面相接触，且第二跨接导体之一部分嵌入图案化表面中。
本实用新型的实施例中，图案化表面包含一波浪形表面。
本实用新型的实施例中，波浪形表面之延伸方向与第二方向一致。
本实用新型的实施例中，波浪形表面之延伸方向与第二方向相交。
本实用新型的实施例中，图案化表面包含一波峰与一波谷，且该第二跨接导体在该波峰处之厚度与该第二跨接导体在该波谷处之厚度相同。
本实用新型的实施例中，图案化表面包含一波峰与一波谷，且第二跨接导体在波峰处之厚度小于第二跨接导体在波谷处之厚度。
本实用新型的实施例中，图案化表面包含一沟槽，且第二跨接导体嵌入沟槽中。
本实用新型的实施例中，第一跨接导体系与第一感测导体一体成型。
在本实用新型之实施例中，介电层之图案化表面与一导体相接触且该导体之一部分嵌入该图案化表面中，使得位于介电层上之导体嵌入图案化表面中的部份不易被刮伤。在生产过程中，即使导体的上表面被刮伤，嵌入图案化表面中的部份导体仍可提供电性连接，可降低因导体表面遭刮伤所导致线路开路或线阻偏大而使触控装置功能受损之风险。
本实用新型之技术内容及技术特点已揭示如上，然而本实用新型所属技术领域中具有通常知识者应了解，在不背离后附申请专利范围所界定之本揭露精神和范围内，本实用新型之教示及揭示可作种种之替换及修饰。例如，上文揭示之许多组件可以不同之结构实施或以其它相同功能的结构予以取代，或者采用其组合。
此外，本案之权利范围并不局限于上文揭示之特定实施例的装置、组件或结构。本实用新型所属技术领域中具有通常知识者应了解，基于本实用新型教示及揭示装置、组件或结构，无论现在已存在或日后开发者，其与本案实施例揭示者系以实质相同的方式执行实质相同的功能，而达到实质相同的结果，亦可使用于本揭露。因此，以下之申请专利范围系用以涵盖此类装置、组件或结构。
附图说明
当并同各随附图式而阅览时，即可更佳了解本实用新型之前揭摘要以及上文详细说明。为达本实用新型之说明目的，各图式里图绘有现属较佳之各具体实施例。然应了解本实用新型并不限于所绘之精确排置方式及设备装置。
图1A所示为根据本实用新型之一实施例，触控装置的俯视示意图；
图1B所示为根据本实用新型之一实施例，图1A之触控装置沿AA'方向的剖面图；
图2A所示为根据本实用新型之一实施例，触控装置的俯视示意图；
图2B所示为根据本实用新型之一实施例，图2A之触控装置沿BB'方向的剖面图；
图3A所示为根据本实用新型之另一实施例，触控装置的俯视示意图；
图3B所示为根据本实用新型之一实施例，图3A之触控装置沿AA'方向的剖面图；
图4A所示为根据本实用新型之另一实施例，触控装置的俯视示意图；
图4B所示为根据本实用新型之一实施例，图4A之触控装置沿BB'方向的剖面图；
图5所示为根据本实用新型之一实施例，图1A触控装置之制造方法流程图；以及
图6所示为根据本实用新型之一实施例，图3A触控装置之制造方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
图1A所示为根据本实用新型之一实施例，触控装置10的俯视示意图。请参照图1A，触控装置10包含一感测电极层16、一第一跨接导体141、一介电层15、以及一第二跨接导体142。
感测电极层16位于一基板(未绘示于图中)上，且经配置以感测施加于基板之触控信号，并将所感测到的触控信号传输至一处理器(未绘示于图中)。在本实施例中，感测电极层16包含复数个沿第一方向排列之第一感测导体161以及复数个沿第二方向(AA'方向)排列之第二感测导体162，第一感测导体161与第二感测导体162之间相互电性绝缘。该等第一感测导体161与该等第二感测导体162系用以感测所施加之触控信号，而第一跨接导体141与第二跨接导体142则用以传输所感测到的触控信号。又，第一跨接导体141位于基板上，并且在该第一方向上电连接该等第一感测导体161，而第二跨接导体142则位于介电层15上，并且在该第二方向上电连接该等第二感测导体162。在本实用新型之一实施例中，该等第一感测导体161与该等第二感测导体162配置成一感测数组，其中第一感测导体161沿第一方向例如沿X轴方向配置成列，而第二感测导体162则沿第二方向例如沿Y轴方向配置成行。该第一方向不同于该第二方向，例如相互交错，较佳为相互垂直。
在本实用新型之一实施例中，第一感测导体161、第二感测导体162、第一跨接导体141与第二跨接导体142的材料可包括各种透明导电材料，例如，氧化铟锡(indium tin oxide；ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide；IZO)、氧化镉锡(cadmium tin oxide；CTO)、氧化铝锌(aluminum zinc oxide；AZO)、氧化铟锌锡(indium tin zinc oxide；ITZO)、氧化锌(zinc oxide)、氧化镉(cadmium oxide)、氧化铪(hafnium oxide；HfO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide；InGaZnO)、氧化铟镓锌镁(indium gallium zinc magnesium oxide；InGaZnMgO)、氧化铟镓镁(indium gallium magnesium oxide；InGaMgO)或氧化铟镓铝(indium galliumaluminum oxide；InGaAlO)。
在本实用新型之另一实施例中，第一感测导体161、第二感测导体162、第一跨接导体141与第二跨接导体142的材料亦可包括奈米金属材料、金属网格(metal mesh)等，奈米金属材料例如纳米银线、奈米铜线、奈米碳管等。此外，第一跨接导体141与第二跨接导体142的材料还可包含不透明导电材料例如为金属。
介电层15位于第一跨接导体141上，且暴露出部分第一跨接导体141以俾第一跨接导体141在该第一方向上电连接该等第一感测导体161。又，介电层15还位于第一跨接导体141与第二跨接导体142之间，使得第一跨接导体141与第二跨接导体142之间相互电性绝缘，进而使得透过第一跨接导体141在第一方向上电性连接的第一感测导体161与透过第二跨接导体142在第二方向上电性连接的第二感测导体162之间相互电性绝缘。此外，介电层15具有一图案化表面150与第二跨接导体142相接触，且第二跨接导体142之一部分嵌入图案化表面150中。经此配置，位于介电层15之上第二跨接导体142嵌入图案化表面150中的部份便不易被刮伤。即便在生产过程中，第二跨接导体142的上表面不慎遭刮伤，嵌入图案化表面150中的部份第二跨接导体142仍可提供电性连接，因此可降低因第二跨接导体142表面遭刮伤所导致线路开路或线阻偏大而使触控装置10功能受损之风险。
在本实用新型之一实施例中，介电层15的材料可选自二氧化硅(SiO2)、四氮化三硅(Si3N4)以及光阻材料，光阻材料包括正光阻材料与负光阻材料，例如是聚酰亚胺(polyimide；PI)，但本实用新型并不以此为限。又，在本实施例中，图案化表面150系包括一波浪形表面，在第二方向(波之传播方向)上延伸，其波谷处即适合嵌入第二跨接导体142。另，在本实用新型之其他实施例中，图案化表面150可包括一锯齿波表面或不规则表面。此外，图案化表面150亦可包括一沟槽，使第二跨接导体142嵌入之深度增加而进一步确保电性连接。以上之其他实施方式将分述于下文之实施例中。
图1B所示为根据本实用新型之一实施例，图1A之触控装置10沿AA'方向的剖面图。请参照图1B，感测电极层16(图1B未显示，请参照图1A)、介电层15与第一跨接导体141位于一基板12上。基板12具有透光之性质，且系用以支撑感测电极层16与介电层15于同一表面上。在本实用新型之一实施例中，基板12的材料可选自玻璃、压克力(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)等透明材料。
介电层15之图案化表面150为一波浪形表面，具有波峰151与波谷152。当第二跨接导体142形成于图案化表面150上时，部分第二跨接导体142即嵌入于波谷152之中。在本实施例中，第二跨接导体142亦具有一波浪形上表面，使得第二跨接导体142在介电层15上具有大致上均匀之厚度，即第二跨接导体142在图案化表面150之波峰151处的厚度与第二跨接导体142在图案化表面150之波谷152处的厚度相同。于其他未绘示的实施例中，第二跨接导体142在图案化表面150之波峰151处与波谷152处的厚度也可以不同，本实用新型并不以此为限。此外，在本实用新型之其他实施例中，第二跨接导体142之上表面可为其他形状或不规则形。
又，在本实施例中，亦请参照图1A，第二跨接导体142系于第二方向(AA'方向)上电性连接第二感测导体162。当部分第二跨接导体142表面于第二方向上遭刮伤时，其他未遭刮伤之第二跨接导体142仍可确保第二感测导体162之电性连接。惟，图案化表面150之波浪形表面于第二方向(波之传播方向，即AA'方向)上延伸，与第二感测导体162之延伸方向一致，故当第二跨接导体142表面于第一方向上遭刮伤时，仍有遭横向切断而使第二感测导体162有断接之虞。图2A、2B之触控装置可有效解决此一问题。
图2A所示为根据本实用新型之一实施例，触控装置20的俯视示意图。请参照图2A，触控装置20之功能与结构类同于图1A所示之触控装置10，惟触控装置20具有一介电层25，有别于触控装置10之介电层15。
介电层25位于第一跨接导体141上，且暴露出部分第一跨接导体141以俾第一跨接导体141在该第一方向上电连接该等第一感测导体161。又，介电层25位于第一跨接导体141与第二跨接导体142之间，使得第一跨接导体141与第二跨接导体142之间相互电性绝缘，进而使得透过第一跨接导体141在第一方向(BB'方向)上电性连接的第一感测导体161与透过第二跨接导体142在第二方向上电性连接的第二感测导体162之间相互电性绝缘。此外，介电层25具有一图案化表面250与第二跨接导体142相接触，且第二跨接导体142之一部分嵌入图案化表面250中。经此配置，位于介电层25之上第二跨接导体142嵌入图案化表面250中的部份便不易被刮伤。即便在生产过程中，第二跨接导体142的上表面不慎遭刮伤，嵌入图案化表面250中的部份第二跨接导体142仍可提供电性连接，因此可降低因第二跨接导体142表面遭刮伤所导致线路开路或线阻偏大而使触控装置20功能受损之风险。
图2B所示为根据本实用新型之一实施例，图2A之触控装置20沿BB'方向的剖面图。请结合参照图2A和图2B，在本实施例中，介电层25之图案化表面250为一锯齿波表面，具有波峰251与波谷252。当第二跨接导体142形成于图案化表面250上时，部分第二跨接导体142即嵌入于波谷252之中。图案化表面250之锯齿波大致上在第一方向上(波之传播方向，即BB'方向)延伸，与第二感测导体162之延伸方向(沿第二方向)相交。
在本实施例中，当部分第二跨接导体142表面于第二方向上遭刮伤时，其他未遭刮伤之第二跨接导体142仍可确保第二感测导体162之电性连接。当第二跨接导体142表面于第一方向(BB'方向)上遭刮伤时，嵌入于波谷252之第二跨接导体142仍足以确保第二感测导体162之电性连接。因此有助于当第二跨接导体142表面无论从哪个方向不慎遭刮伤时，嵌入于波谷252之第二跨接导体142仍足以确保第二感测导体162之电性连接，以此降低触控装置20功能受损之风险。
在本实用新型之一实施例中，第二跨接导体142具有一大致上平坦之表面，使得第二跨接导体142在图案化表面250之波峰251处的厚度小于第二跨接导体142在图案化表面250之波谷252处的厚度，即第二跨接导体142在介电层25上厚度并非均匀。于其他未绘示的实施例中，第二跨接导体142在图案化表面250之波峰251处的厚度与波谷252处的厚度可以相同，但本实用新型并不以此为限。其中在一实施例中，介电层25之图案化表面250之该等连续波谷252其相邻两波谷252间之间距约为5微米。又，每一波谷252在该第一方向上的宽度亦约为5微米。此外，在本实用新型之一实施例中，图案化表面250使得介电层25与第二感测导体162之接触面积，与不具图案化表面250时之接触面积相比，增加约为一倍。藉此也有助于降低第二跨接导体142不慎遭刮伤的风险，确保第二感测导体162之电性连接。
图2B之触控装置20另包含一保护层18。保护层18系一整层地覆盖于基板12、介电层25及感测电极层16。保护层18可为单层结构，也可为多层结构。在本实用新型之一实施例中，保护层18为透明材料制成且为单层结构。保护层18之材料可包括无机材料，例如，氮化硅(silicon nitride)、氧化硅(silicon oxide)与氮氧化硅(silicon oxynitride)，也可为有机材料，例如，丙烯酸类树脂(acrylicresin)等其它适合的材料，也可为上述材料之组合，但本实用新型并不以此为限。
图3A所示为根据本实用新型之另一实施例，触控装置30的俯视示意图。请参照图3A，有别于图1A所示之触控装置10中第一跨接导体141位于基板12上、而介电层15的图案化表面150与第二感测导体162相接触之结构，在图3A所示之触控装置30中，沿第一方向排列之第一感测导体161与沿第二方向排列(AA'方向)之第二感测导体162系位于基板12上，而介电层35的图案化表面350与第二跨接导体342相接触。该等第一感测导体161与该等第二感测导体162配置成一感测数组。在该感测数组中，同一列之第一感测导体161系以第一跨接导体341电性连接，而同一行之第二感测导体162则以第二跨接导体342电性连接，其中第一跨接导体341与第二跨接导体342彼此之间以介电层35电性绝缘。且，第一跨接导体341与第一感测导体161一体成型。
图3B所示为根据本实用新型之一实施例，图3A之触控装置30沿BB'方向的剖面图。请参照图3B，第二跨接导体342之一部分嵌入图案化表面350中。经此配置，有助于使位于介电层35上之第二跨接导体342嵌入图案化表面350中的部份不易被刮伤。在生产过程中，即使第二跨接导体342的上表面被刮伤，嵌入图案化表面350中的部份第二跨接导体342仍可提供电性连接，可降低因第二跨接导体342表面遭刮伤所导致线路开路或线阻偏大而使触控装置30功能受损之风险。
在本实用新型之一实施例中，第一跨接导体341及第二跨接导体342具有与图1A所示之第一跨接导体141及第二跨接导体142相同或类似之材质。另外，在本实施例中，图案化表面350系包括一锯齿波表面，其波谷处即适合嵌入第二跨接导体342。又，图案化表面350之锯齿波大致上系于第二方向上(波之传播方向，即AA'方向)延伸，与第二感测导体162之延伸方向(第二方向，AA'方向)一致。此外，图案化表面350可包括但不限定为一波浪形表面或不规则表面。
又，在本实施例中，亦请参照图3A，第二跨接导体342系于第二方向(AA'方向)上电性连接第二感测导体162。当部分第二跨接导体342表面于第二方向上遭刮伤时，其他未遭刮伤之第二跨接导体342仍可确保第二感测导体162之电性连接。惟，由于图案化表面350之锯齿波之延伸方向与第二感测导体162之延伸方向一致，即均在第二方向上(波之传播方向)延伸，故当第二跨接导体342表面于第一方向上遭刮伤时，仍有遭横向切断而使第二感测导体162有断接之虞。图4A、4B之触控装置可有效解决此一问题。
图4A所示为根据本实用新型之另一实施例，触控装置40的俯视示意图。请参照图4A，触控装置40之功能与结构类同于图3A所示之触控装置30，惟触控装置40具有一介电层45，有别于触控装置30之介电层35。另，图4A是以介电层45之图案化表面仅具有一沟槽450为例，当具有多个沟槽450时，即构成一波浪或锯齿表面。于该实施例中，介电层45之图案化表面系于第一方向上(波之传播方向，即BB'方向)延伸，与第二感测导体162(沿第二方向)之延伸方向系相交。而嵌入沟槽450之第二跨接导体342于第二方向上延伸以电性连接第二感测导体162。该等第一感测导体161与该等第二感测导体162配置成一感测数组。在该感测数组中，同一列之第一感测导体161系以第一跨接导体341电性连接，而同一行之第二感测导体162则以第二跨接导体342电性连接，其中第一跨接导体341与第二跨接导体342彼此之间以介电层45电性绝缘。且，第一跨接导体341与第一感测导体161一体成型。
图4B所示为根据本实用新型之一实施例，图4A之触控装置40沿AA'方向的剖面图。请参照图4B，第二跨接导体342大致上，但不限定于，全体嵌入沟槽450中。经此配置，有助于使位于介电层45上嵌入沟槽450中的第二跨接导体342不易被刮伤。在生产过程中，即使第二跨接导体342的上表面被刮伤，嵌入沟槽450中的部份第二跨接导体342仍可提供电性连接，可降低因第二跨接导体342表面遭刮伤所导致线路开路或线阻偏大而使触控装置40功能受损之风险。
在本实施例中，当部分第二跨接导体342表面于第二方向上遭刮伤时，其他未遭刮伤之第二跨接导体342仍可确保第二感测导体162之电性连接。当第二跨接导体342表面于第一方向(BB'方向)上遭刮伤时，嵌入于图案化表面内之第二跨接导体342仍足以确保第二感测导体162之电性连接。即有助于当第二跨接导体342表面无论从哪个方向不慎遭刮伤时，嵌入于图案化表面内之第二跨接导体342仍足以确保第二感测导体162之电性连接，以此降低触控装置40功能受损之风险。
图5所示为根据本实用新型之一实施例，图1A触控装置10之制造方法流程图。请参照图5，同时可参照图1A，于步骤51提供一基板，包括例如清洗、强化并烘干等作业。在本实用新型之一实施例中，该基板的材料可选自透明材料，例如但不限定于玻璃、压克力(PMMA)等。
于步骤52，形成一第一图案化导体层于该基板上。在本实用新型之一实施例中，系将一第一导体溅镀于该基板上，以形成一第一导体层。然后蚀刻该第一导体层以形成该第一图案化导体层。该第一导体的材料可包括各种透明导电材料和纳米金属材料以及不透明导电材料，如上文已经有描述，在此不再赘述。该第一图案化导体层做为第一跨接导体，用以在一第一方向上电性连接将在后续步骤中所形成的第一感测导体。
于步骤53，形成一介电层于该第一图案化导体层上。在本实用新型之一实施例中，系将一介电材料涂布于该第一图案化导体层上，并经由软烤之程序形成该介电层。该介电材料可选自二氧化硅(SiO2)、四氮化三硅(Si3N4)以及光阻剂，包括正光阻材料与负光阻材料，例如是聚酰亚胺(polyimide；PI)。
于步骤54，形成一图案化表面于该介电层。在本实用新型之一实施例中，系蚀刻该介电层以形成一图案化之表面，之后去除部分该介电层以形成一具有该图案化表面之图案化介电层。该图案化介电层暴露部分该第一图案化导体层，以俾该第一图案化导体层与后续步骤中所形成的第一感测导体电连接。在本实用新型之一实施例中，该图案化表面可包括一波浪形表面、锯齿形表面或一沟槽，但并不以此为限。
于步骤55，形成一第二图案化导体层于该图案化介电层与该第一图案化导体层之暴露部分上。在本实用新型之一实施例中，系将一第二导体溅镀于该基板、该图案化介电层与该第一图案化导体层之暴露部分上，以形成一第二导体层。然后蚀刻该第二导体层以形成该第二图案化导体层。该第二导体的材料可包括各种透明导电材料和纳米金属材料以及不透明导电材料，如上文已经有描述，在此不再赘述。又，该第二图案化导体层包含沿第一方向排列之第一感测导体、沿第二方向排列之第二感测导体以及在第二方向上电性连接第二感测导体的第二跨接导体。此外，该图案化介电层之图案化表面与第二跨接导体相接触，且第二跨接导体之一部分嵌入该图案化表面中。
于步骤56，形成一保护层以罩覆该第二图案化导体层与该图案化介电层。在本实用新型之一实施例中，系将一透明、绝缘之材料溅镀于基板、第二图案化导体层与该图案化介电层上形成该保护层。该保护层的材料例如可选自氮化硅(silicon nitride)、氧化硅(silicon oxide)与氮氧化硅(silicon oxynitride)。
图5所示之方法可制成如图1B具有「下跨接导体」(bottom bridge)结构之触控装置10，其中第一跨接导体141位介电层15下方，而介电层15则位于第一跨接导体141与第二跨接导体142之间。又，介电层15之图案化表面150与第二跨接测导体142相接触。
图6所示为根据本实用新型之一实施例，图3A触控装置30之制造方法流程图。请参照图6，同时可参照图3A，于步骤61提供一基板，包括例如清洗、强化并烘干等作业。在本实用新型之一实施例中，该基板的材料可选自透明材料，例如但不限定于玻璃、压克力(PMMA)等。
于步骤62，形成一第一图案化导体层于该基板上。在本实用新型之一实施例中，系将一第一导体溅镀于该基板上，以形成一第一导体层。然后蚀刻该第一导体层以形成该第一图案化导体层。该第一导体的材料可包括各种透明导电材料和纳米金属材料以及不透明导电材料，如上文已经有描述，在此不再赘述。又，该第一图案化导体层包含沿第一方向排列之第一感测导体以及在第一方向上电性连接第一感测导体的第一跨接导体、沿第二方向排列之第二感测导体。
于步骤63，形成一介电层于该第一图案化导体层上。在本实用新型之一实施例中，系将一介电材料涂布于该第一图案化导体层上，并经由软烤之程序形成该介电层。该介电材料可选自二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)以及光阻剂，包括正光阻材料与负光阻材料，例如是聚酰亚胺(polyimide；PI)。
于步骤64，形成一图案化表面于该介电层。在本实用新型之一实施例中，系蚀刻该介电层以形成一图案化之表面，之后去除部分该介电层以形成一具有该图案化表面之图案化介电层。该图案化介电层暴露部分该第一图案化导体层，以俾该第一图案化导体层与后续步骤中所形成的跨接导体电连接。在本实用新型之一实施例中，该图案化表面可包括一波浪形表面、锯齿形表面或一沟槽。
于步骤65，形成一第二图案化导体层于该图案化介电层与部分该第一图案化导体层之暴露部分上。在本实用新型之一实施例中，系将一第二导体溅镀于该基板、该图案化介电层与该第一图案化导体层之暴露部分上，以形成一第二导体层。然后蚀刻该第二导体层以形成该第二图案化导体层。该第二导体的材料可包括各种透明导电材料和纳米金属材料以及不透明导电材料，如上文已经有描述，在此不再赘述,又，该第二图案化导体层做为第二跨接导体，用以在该第二方向上电性连接步骤62中所形成的第二感测导体。此外，该图案化介电层之图案化表面与该第二图案化导体层相接触，且该第二图案化导体层之一部分嵌入该图案化表面中。
于步骤66，形成一保护层以罩覆该第一图案化导体层、该第二图案化导体层与该图案化介电层。在本实用新型之一实施例中，系将一透明、绝缘之材料溅镀于基板、该第一图案化导体层、该第二图案化导体层与该图案化介电层上形成该保护层。该保护层的材料例如可选自氮化硅(silicon nitride)、氧化硅(siliconoxide)与氮氧化硅(silicon oxynitride)。
图6所示之方法可制成如图3B具有「上跨接导体」(top bridge)结构之触控装置30，其中第二跨接导体342位于介电层35上方，而介电层35则位于第一跨接导体341与第二跨接导体342之间。又，介电层35之图案化表面350与第二跨接导体342相接触。
在本实用新型之实施例中，介电层15之图案化表面150与一导体相接触且该导体之一部分嵌入该图案化表面150中。例如在图1A具有「下跨接导体」(bottom bridge)结构之触控装置10中，介电层15之图案化表面150与第二跨接导体142相接触，且第二跨接导体142之一部分嵌入该图案化表面150中。又例如在图3A具有「上跨接导体」(top bridge)结构之触控装置30中，介电层35之图案化表面350与第二跨接导体342相接触，且第二跨接导体342之一部分嵌入该图案化表面350中。本实用新型之实施例因此亦可应用于介电层与其他导体相接触之触控装置结构中，并使位于介电层上之导体嵌入图案化表面中的部份不易被刮伤。在生产过程中，即使导体的上表面被刮伤，嵌入图案化表面中的部份导体仍可提供电性连接，可降低因导体表面遭刮伤所导致线路开路或线阻偏大而使触控装置功能受损之风险。
本揭露之技术内容及技术特点已揭示如上，然而本揭露所属技术领域中具有通常知识者应了解，在不背离后附申请专利范围所界定之本揭露精神和范围内，本揭露之教示及揭示可作种种之替换及修饰。例如，上文揭示之许多组件可以不同之结构实施或以其它相同功能的结构予以取代，或者采用上述二种方式之组合。
此外，本案之权利范围并不局限于上文揭示之特定实施例的装置、组件或结构。本揭露所属技术领域中具有通常知识者应了解，基于本揭露教示及揭示装置、组件或结构，无论现在已存在或日后开发者，其与本案实施例揭示者系以实质相同的方式执行实质相同的功能，而达到实质相同的结果，亦可使用于本揭露。因此，以下之申请专利范围系用以涵盖此类装置、组件或结构。
Claims (17)
1.一种触控装置，其特征在于，包含：
一感测电极层，包含多个感测导体；
一跨接导体，经配置以电性连接该多个感测导体；以及
一介电层，具有一图案化表面与该跨接导体相接触，且该跨接导体之一部分嵌入该图案化表面中。
2.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，该图案化表面包含一波浪形表面。
3.根据权利要求2所述的触控装置，其特征在于，该跨接导体具有一波浪形表面。
4.根据权利要求2所述的触控装置，其特征在于，该图案化表面包含一波峰与一波谷，且该跨接导体在该波峰处之厚度与该跨接导体在该波谷处之厚度相同。
5.根据权利要求2所述的触控装置，其特征在于，该图案化表面包含一波峰与一波谷，且该跨接导体在该波峰处之厚度小于该跨接导体在该波谷处之厚度。
6.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，该图案化表面包含一沟槽，且该跨接导体嵌入该沟槽中。
7.根据权利要求2所述的触控装置，其特征在于，该感测电极层包含沿第一方向排列且相互电性连接之第一感测导体，以及沿第二方向排列且相互电性连接之第二感测导体，且该跨接导体包含一跨接导体和另一跨接导体，该跨接导体在该第一方向上电性连接该等第一感测导体，该另一跨接导体在该第二方向上电性连接该等第二感测导体，该介电层位于该跨接导体与该另一跨接导体之间。
8.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于，该波浪形表面之延伸方向与该第二方向一致。
9.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于，该波浪形表面之延伸方向与该第二方向相交。
10.一种触控装置，其特征在于，包含：
一基板；
位于该基板上、沿第一方向排列之第一感测导体；
位于该基板上、沿第二方向排列之第二感测导体；
一第一跨接导体，位于该基板上，且在该第一方向上电性连接该等第一感测导体；
一第二跨接导体，在该第二方向上电性连接该等第二感测导体；以及
一介电层，位于该第一跨接导体与该第二跨接导体之间，且具有一图案化表面，其中该第二跨接导体与该图案化表面相接触，且该第二跨接导体之一部分嵌入该图案化表面中。
11.根据权利要求10所述的触控装置，其特征在于，该图案化表面包含一波浪形表面。
12.根据权利要求11所述的触控装置，其特征在于，该波浪形表面之延伸方向与该第二方向一致。
13.根据权利要求11所述的触控装置，其特征在于，该波浪形表面之延伸方向与该第二方向相交。
14.根据权利要求11所述的触控装置，其特征在于，该图案化表面包含一波峰与一波谷，且该第二跨接导体在该波峰处之厚度与该第二跨接导体在该波谷处之厚度相同。
15.根据权利要求11所述的触控装置，其特征在于，该图案化表面包含一波峰与一波谷，且该第二跨接导体在该波峰处之厚度小于该第二跨接导体在该波谷处之厚度。
16.根据权利要求10所述的触控装置，其特征在于，该图案化表面包含一沟槽，且该第二跨接导体嵌入该沟槽中。
17.根据权利要求16所述的触控装置，其特征在于，该第一跨接导体与该等第
一感测导体一体成型。
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|---|---|---|---|---|
| CN105094395A (zh) * | 2014-05-04 | 2015-11-25 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控装置 |
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2014
- 2014-05-04 CN CN201420223132.6U patent/CN203909743U/zh not_active Expired - Lifetime
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