CN203896891U - 一种主动利用地热的日光温室 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种主动利用地热的日光温室，包括后墙、山墙、栽培床、前底脚斜坡、棚架及棚膜；栽培床低于地平面，栽培床埋设若干根管状传导件；管状传导件在栽培垄的正下方竖直埋设，栽培垄最南端埋设1根管状传导件，依次向北每隔2m埋设1根管状传导件。本实用新型有利于提高地温，改善冬春低温季节日光温室低温环境。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种日光温室，具体地说，涉及一种主动利用地热的日光温室，属于蔬菜栽培技术领域。
背景技术
日光温室是一种利用太阳能进行自然热量蓄积与释放的农业设施。在冬春低温季节，地温低是传统日光温室普遍存在的缺陷，如何提高地温是目前人们共同关注的技术课题。目前，有些地区采用太阳能或锅炉加热水温，在耕作层铺设管道以提高温度的方法，但这些方法都存在一定缺陷：太阳能加热水温必须天气晴朗下有效，在阴雨雪天气没有效果，而阴雨雪天气正是急需提高地温的关键时候；锅炉加热水温必须消耗大量的煤碳或电能源，不利于环境保护。太阳能或锅炉加热水温，都必须有水泵等循环系统，也需要消耗电能源。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是针对以上不足，提供一种主动利用地热的日光温室，有利于提高地温，改善冬春低温季节日光温室低温环境，促进蔬菜作物生长发育，提高产量。
为解决以上技术问题，本实用新型采用以下技术方案：一种主动利用地热的日光温室，包括栽培床，其特征在于，所述日光温室提供：
若干根管状传导件，该管状传导件埋设在栽培床的底部，用来将深层地温传导至土壤耕作层。
一种优化方案，所述栽培床内具有栽培垄；
进一步地，所述管状传导件竖直埋设在栽培垄的正下方。
进一步地，所述管状传导件的上端距离栽培床表面10-15cm。
进一步地，所述管状传导件从栽培垄的一个端部开始埋设，每隔2m埋设1根。
进一步地，所述管状传导件为采用常温热管（0-250℃）散热技术设计而成的真空封装的金属圆柱管，内含有沸点低，易挥发的液体，一端为蒸发端，另一端为冷凝端，埋入地下后蒸发端远离地面。
进一步地，所述管状传导件长6.5m，粗10cm。
进一步地，所述栽培床位于地平面以下0.5-1m。
进一步地，所述日光温室还包括后墙、山墙、前底脚斜坡、棚架及棚膜。
进一步地，所述管状传导件内液体为丙酮。
本实用新型采用以上技术方案后，与现有技术相比，具有以下优点：
（1）本实用新型日光温室栽培床埋设管状传导件，管状传导件能够快速传递地热，引导6m以下地温快速上升至地面，有效地提高土壤耕作层温度。
（2）本实用新型日光温室利用地热提高土壤耕作层温度，不受天气变化影响，不管晴天还是阴雨雪天增温效果都非常明显。
（3）本实用新型日光温室低碳、环保，有利于节约能源。
（4）本实用新型日光温室有利于促进蔬菜作物生长发育，提高产量。经试验，蔬菜产量较普通日光温室增产30%以上。
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细说明。
附图说明
附图1是本实用新型实施例中日光温室纵截面的结构示意图；
附图2是本实用新型实施例中日光温室横截面的结构示意图；
图中，
1-栽培床，2-栽培垄，3-管状传导件。
具体实施方式
本实施例是为了便于理解本发明，而不以任何方式限制本发明的权利要求和核心内容。
实施例，如图1和图2所示，一种主动利用地热的日光温室，包括后墙、山墙、栽培床1、前底脚斜坡、棚架及棚膜，栽培床1位于地平面以下0.5-1m；栽培床1的底部埋设有若干根用来将深层地温传导至土壤耕作层的管状传导件3，管状传导件3为真空封装的金属圆柱管，长6.5m，粗10cm，内含有沸点低，易挥发的液体，管状传导件3一端为蒸发端，另一端为冷凝端；管状传导件3在栽培垄2的正下方竖直埋设，管状传导件3的蒸发端远离地面，冷凝端距离栽培床1面10-15cm，距离地面的高度也可以根据栽培的不同作物特性，做适当调整，在栽培垄2最南端埋设1根管状传导件3，依次向北每隔2m埋设1根管状传导件3。
本实用新型中管状传导件3是采用常温热管（0-250℃）散热技术设计而成的一种大型热管，由管壳、吸液芯和端盖组成，内部是被抽成1.3×10-1-1.3×10-4Pa的负压状态，充入适当的液体，这种液体沸点低，容易挥发。管壁有吸液芯，其由毛细多孔材料构成。热管一端为蒸发端，另外一端为冷凝端，当热管一端受热时，毛细管中的液体迅速蒸发，蒸气在微小的压力差下流向另外一端，并且释放出热量，重新凝结成液体，液体再沿多孔材料靠毛细力的作用流回蒸发端，如此循环不止，热量由热管一端传至另外一端。这种循环是快速进行的，热量可以被源源不断地传导开来。本实用新型的创新点不在于热管结构本身，只要是能够实现所述功能的传导件即可。
试验，山东省寿光市，将五个种植黄瓜的普通日光温室一半改造成本实用新型结构，另一半结构不变，在冬季连续阴雨雪天超过5天时，进行记录温度，本实用新型日光温室栽培床10cm耕作层的平均最低地温为13.2℃，而同结构的另一半的平均最低地温为9.5℃，平均提高了3.7℃，完全能够满足黄瓜作物最低地温不小于12℃的要求。经试验，本实用新型667m2黄瓜平均产量25471kg，普通对照部分667m2黄瓜平均产量19185kg，前者比后者增产32.8%。
需要说明的是：每条栽培垄下埋设管状传导件的数量与温室的内跨有关，本实施例为内跨为9m的温室，每条栽培垄下埋设5根管状传导件；栽培垄的设置与栽培作物品种有关，相邻栽培垄的间距60-80m；管状传导件中沸点低、易挥发的液体多为有机化学品，本实施例为丙酮，每根管状传导件的用量为150ml。
以上所述为本发明最佳实施方式的举例，其中未详细述及的部分均为本领域普通技术人员的公知常识。本发明的保护范围以权利要求的内容为准，任何基于本发明的技术启示而进行的等效变换，也在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种主动利用地热的日光温室，包括栽培床（1），其特征在于，所述日光温室提供：
若干根管状传导件（3），该管状传导件（3）埋设在栽培床（1）的底部，用来将深层地温传导至土壤耕作层。
2.如权利要求1所述的主动利用地热的日光温室，其特征在于：所述栽培床（1）内具有栽培垄（2）；
所述管状传导件（3）竖直埋设在栽培垄（2）的正下方。
3.如权利要求2所述的主动利用地热的日光温室，其特征在于：所述管状传导件（3）的上端距离栽培床（1）表面10-15cm。
4.如权利要求2所述的主动利用地热的日光温室，其特征在于：所述管状传导件（3）从栽培垄（2）的一个端部开始埋设，每隔2m埋设1根。
5.如权利要求1-4其中之一所述的主动利用地热的日光温室，其特征在于：所述管状传导件（3）为真空封装的金属圆柱管，内含有沸点低，易挥发的液体，一端为蒸发端，另一端为冷凝端，埋入地下后蒸发端远离地面。
6.如权利要求5所述的主动利用地热的日光温室，其特征在于：所述管状传导件（3）内液体为丙酮。
7.如权利要求1所述的主动利用地热的日光温室，其特征在于：所述管状传导件（3）长6.5m，粗10cm。
8.如权利要求1所述的主动利用地热的日光温室，其特征在于：所述栽培床（1）位于地平面以下0.5-1m。
9.如权利要求1所述的主动利用地热的日光温室，其特征在于：所述日光温室还包括后墙、山墙、前底脚斜坡、棚架及棚膜。
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