CN203895598U - 高增益双频阵列天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种高增益双频阵列天线，主要在一基板的一表面上设有一馈入部，所述馈入部的两端分别延伸多条代表阻抗转换器的信号段，其中一端的信号段连接一第一辐射体，另一端的信号段分别连接一第二辐射体与一第三辐射体；所述基板的另一表面上在馈入部的相对位置设有一接地部，所述接地部的两端分别经延伸后，其中一端连接一第四辐射体并与所述第一辐射体相对，所述接地部的另一端分别连接一第五辐射体与一第六辐射体，并且与第二辐射体与一第三辐射体相对；第一至第六辐射体同时可形成一组双频路径。本高增益双频阵列天线具有提升辐射效能、缩小天线尺寸的效果。

Description

高增益双频阵列天线

技术领域

本实用新型涉及一种外接式阵列天线，尤其涉及一种小尺寸且具有较佳应用频宽与辐射效能的高增益双频阵列天线。

背景技术

目前因为科技发展相当迅速，为了增加移动电子设备使用的方便性，其尺寸也设计的越来越迷你，时下可应用的无线通信技术包括无线局域网(WLAN)、WiMAX、3G等通信技术，不同于有线局域网，有线局域网是依靠线缆来传送信息，对于现代科技而言已经不能满足需求，而无线通信技术中又以无线局域网技术的发展最为成熟，其应用的范围也相当的广泛，例如车站、便利商店、医院、网咖等等的公共场所都应用了无线局域网技术，其传输距离最远可以达到100米，且具有高速的传输速率，使用者能通过个人移动电子设备随时随地使用网路环境。

随着移动电子设备与无线局域网的普及，提供网络传输服务时赖以收发信号的天线设计是格外地重要，天线设计的好坏即影响收发信号的效能，而传统天线通常为单一频段，而且天线尺寸庞大不易设置，也不方便使用，同时成本昂贵又容易折损，若想要增加其使用的通信频段，可通过增加天线的数目、增加天线结构的复杂度或改变天线的几何形状，以达到增加频段或让天线操作在特定频带的需求，但也增加了制造成本，因此设计天线者皆以缩小尺寸、提高效能为目的以增加天线的使用价值。

然而，目前用于无线局域网的双频(如2G/5G)天线，其工作的中心频率通常约在2.45GHz与5.475GHz频段附近，在满足最大增益5dBi(Decibel Isotropic,dBi)的需求时，天线设计不易，并且为了让无线局域网可以接收中心频率分别为2.45GHz与5.475GHz频段的信号同时具有最大增益5dBi，则天线结构的设计复杂势必造成天线尺寸的增大，因此，若欲设计一种具有优异辐射效能并且尺寸较小的双频天线，以现有技术而言，确实有待提出更佳的解决方案。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型提供一种高增益双频阵列天线，其利用阵列结构的形式来充分使用空间，达到高增益、高效率的目的。

为达到上述目的所使用的主要技术手段在于：

高增益双频阵列天线包括：

一基板，其具有一第一表面、一第二表面；

一馈入部，其设在所述基板上的第一表面，所述馈入部的两端分别朝所述基板的二端延伸一第一信号段、一第二信号段与一第三信号段；

一第一辐射体，其设在所述基板第一表面的一端，所述第一辐射体与所述馈入部其中一端的第三信号段连接；

一第二辐射体，其设在所述基板第一表面的二端之间，所述第二辐射体与所述馈入部另一端的第三信号段连接；

一第三辐射体，其设在所述基板第一表面的另一端，所述第三辐射体与所述馈入部另一端的第三信号段连接；

一接地部，其设在所述基板上的第二表面，所述接地部具有两端并与所述馈入部位置相对；

一第四辐射体，其设在所述基板第二表面的一端，所述第四辐射体与所述接地部其中一端连接；

一第五辐射体，其设在所述基板第二表面的二端之间，所述第五辐射体与所述接地部另一端连接；

一第六辐射体，其设在所述基板第二表面的另一端，所述第六辐射体与所述接地部另一端连接。

根据本实用新型的一实施例，其中所述第一辐射体具有一第一连接部，所述第一连接部的一端与所述馈入部第一端的第三信号段电连接，所述第一连接部的另外两端分别延伸一第一低频辐射段以及一第一高频辐射段，所述第一低频辐射段、第一高频辐射段分别形成于所述第一表面上的两侧处。

根据本实用新型的一实施例，所述第二辐射体具有二第二连接部，所述第二连接部的一端与所述馈入部第二端的第三信号段电连接，各第二连接部的另一端分别延伸，并分别在所述第一表面上两侧处相对形成一第二低频辐射段以及一第二高频辐射段。

根据本实用新型的一实施例，所述第三辐射体具有二第三连接部，所述第三连接部的一端共同与所述馈入部第二端的第三信号段电连接，所述第三连接部的另一端分别延伸，并且分别在所述第一表面的两侧处形成一第三低频辐射段以及一第三高频辐射段。

根据本实用新型的一实施例，所述第四辐射体具有一第四连接部，所述第四连接部上端与所述接地部一端的第五信号段电连接，所述第四连接部的另外两端分别延伸一第四低频辐射段以及一第四高频辐射段，所述第四低频辐射段、第四高频辐射段分别形成于所述第二表面上的两侧处。

根据本实用新型的一实施例，所述第五辐射体具有二第五连接部，所述第五连接部的一端与所述接地部另一端的第五信号段电连接，所述第五连接部的另一端分别延伸，并分别在第二表面上的两侧处形成一第五低频辐射段以及一第五高频辐射段。

根据本实用新型的一实施例，所述第六辐射体具有二第六连接部，所述第六连接部的一端共同与所述接地部另一端的第五信号段电连接，所述第六连接部的另一端分别延伸，并且分别在第二表面上的两侧处相对形成一第六低频辐射段以及一第六高频辐射段，其中所述第六低频辐射段则是朝向第二表面的上端延伸。

根据本实用新型的一实施例，所述第一辐射体具有一第一连接部，所述第一连接部的一端与所述馈入部第一端的第三信号段电连接，所述第一连接部的另外两端分别延伸一第一低频辐射段以及一第一高频辐射段，所述第一低频辐射段、第一高频辐射段分别形成于所述第一表面上的两侧处；

所述第二辐射体具有二第二连接部，所述第二连接部的一端与所述馈入部第二端的第三信号段电连接，各第二连接部的另一端分别延伸，并分别在所述第一表面上两侧处相对形成一第二低频辐射段以及一第二高频辐射段；

所述第三辐射体具有二第三连接部，所述第三连接部的一端共同与所述馈入部第二端的第三信号段电连接，各第三连接部的另一端分别延伸，并且分别在所述第一表面的两侧处形成一第三低频辐射段以及一第三高频辐射段；

所述第四辐射体具有一第四连接部，所述第四连接部上端与所述接地部一端的第五信号段电连接，所述第四连接部的另外两端分别延伸一第四低频辐射段以及一第四高频辐射段，所述第四低频辐射段、第四高频辐射段分别形成于所述第二表面上的两侧处；

所述第五辐射体具有二第五连接部，所述第五连接部的一端与所述接地部另一端的第五信号段电连接，所述第五连接部的另一端分别延伸，并分别在第二表面上的两侧处形成一第五低频辐射段以及一第五高频辐射段；

所述第六辐射体具有二第六连接部，所述第六连接部的一端共同与所述接地部另一端的第五信号段电连接，所述第六连接部的另一端分别延伸，并且分别在第二表面上的两侧处相对形成一第六低频辐射段以及一第六高频辐射段，其中所述第六低频辐射段则是朝向第二表面的上端延伸。

根据本实用新型的一实施例，所述等第一信号段分别延伸形成所述第二信号段，且所述第二信号段的宽度大于所述第一信号段的宽度，所述第二信号段的自由端又分别延伸形成所述第三信号段，所述第三信号段的宽度又大于所述第二信号段的宽度。

根据本实用新型的一实施例，所述第一信号段、所述第二信号段以及所述第三信号段分别为一阻抗转换器，其阻抗值分别为100Ω、75Ω、50Ω。

根据本实用新型的一实施例，所述接地部宽度大于第一表面上的第三信号段的宽度。

根据本实用新型的一实施例，所述基板为一印刷电路板，所述馈入部、所述第一辐射体、所述第二辐射体、所述第三辐射体、所述接地部、所述第四辐射体、所述第五辐射体以及所述第六辐射体皆印刷在所述印刷电路板上。

依据上述的高增益双频阵列天线的结构，其第一至第六辐射体共同提供一组双频路径，当一信号由所述馈入部进入时，信号依序通过第一信号段、第二信号段与第三信号段而分别传至第一至第六辐射体，使得双频路径产生低频与高频共振。

本实用新型提供的高增益双频阵列天线可同时应用在高频频带以及低频频带，反射损耗小，并通过阵列结构的形式使阵列天线结构的尺寸缩小，以达到提升辐射效能，并缩小天线尺寸的目的。

附图说明

图1：本实用新型一较佳实施例的平面示意图。

图2：本实用新型一较佳实施例的另一平面示意图。

图3：本实用新型一较佳实施例的电压驻波比特性曲线图。

图4：本实用新型一较佳实施例的返射损耗特性曲线图。

图5A：本实用新型一较佳实施例中较低频段的E平面辐射场型图。

图5B：本实用新型一较佳实施例中较低频段的H平面辐射场型图。

图6A：本实用新型一较佳实施例中较高频段的E平面辐射场型图。

图6B：本实用新型一较佳实施例中较高频段的H平面辐射场型图。

符号说明：

10基板

11第一表面12第二表面

20馈入部21第一信号段

22第二信号段23第三信号段

30第一辐射体31第一连接部

32第一低频辐射段33第一高频辐射段

40第二辐射体41第二连接部

42第二低频辐射段43第二高频辐射段

50第三辐射体51第三连接部

52第三低频辐射段53第三高频辐射段

60接地部61第四信号段

62第五信号段

70第四辐射体71第四连接部

72第四低频辐射段73第四高频辐射段

80第五辐射体81第五连接部

82第五低频辐射段83第五高频辐射段

90第六辐射体91第六连接部

92第六低频辐射段93第六高频辐射段

具体实施方式

关于本实用新型高增益双频阵列天线之一的较佳实施例，请参考图1与图2所示，高增益双频阵列天线包括一基板10、一馈入部20、一第一辐射体30、一第二辐射体40、一第三辐射体50、一接地部60、一第四辐射体70、一第五辐射体80以及一第六辐射体90；在本实施例中，上述结构材质皆可由铜箔构成，所述基板10为一印刷电路板，所述馈入部20、所述第一辐射体30、所述第二辐射体40、所述第三辐射体50、所述接地部60、所述第四辐射体70、所述第五辐射体80以及所述第六辐射体90皆印刷在所述印刷电路板上。

所述基板10具有一第一表面11、一第二表面12，且所述第一表面11与第二表面12分别具有上、下两端以及左、右两侧边；本实施例中，所述基板10呈长方矩形，且具有上、下两平行短边以及左、右两平行长边，其中两平行短边分别具有一宽度W，所述宽度W为17.5mm，另外两平行长边分别具有一长度L，所述长度L为155mm，利用上述的基板10尺寸大小可使本实用新型具有小尺寸的优点。

所述馈入部20设在所述第一表面11，所述馈入部20在长度L方向上具有一第一端与一第二端，所述第一端与第二端分别朝第一表面11的上、下两端延伸一第一信号段21，各第一信号段21又分别朝长度L方向延伸并形成一第二信号段22，且所述第二信号段22的宽度大于所述第一信号段21的宽度，各第二信号段22的自由端又分别朝长度L方向延伸并形成一第三信号段23，所述第三信号段23的宽度大于所述第二信号段22的宽度。

本实施例中，所述第一信号段21、所述第二信号段22以及所述第三信号段23可分别为一阻抗转换器，其阻抗值分别为100Ω、75Ω、50Ω。

所述第一辐射体30设在所述基板10的第一表面11且邻近其下端，所述第一辐射体30具有一第一连接部31，所述第一连接部31与基板10的短边平行且其一端与所述馈入部20第一端的第三信号段23电连接，所述第一连接部31的另外两端分别朝所述第一表面11的下端延伸一第一低频辐射段32以及一第一高频辐射段33，所述第一低频辐射段32、第一高频辐射段33分别形成于所述第一表面11上的两平行长边的边缘附近。

所述第二辐射体40设在基板10的第一表面11上，所述第二辐射体40具有二第二连接部41，各第二连接部41与基板10的长边平行且其一端与所述馈入部20第二端的第三信号段23电连接，且各第二连接部41的另一端朝第一辐射体30方向延伸，并分别在所述第一表面11上两平行长边的边缘附近相对形成一第二低频辐射段42以及一第二高频辐射段43。

所述第三辐射体50设在所述基板10的第一表面11上且邻近其上端，所述第三辐射体50具有二平行的第三连接部51，各第三连接部51的一端共同与所述馈入部20第二端的第三信号段23电连接，各第三连接部51的另一端分别朝第一表面11的两平行长边延伸，并且分别在所述第一表面11上两平行长边的边缘附近相对形成一第三低频辐射段52以及一第三高频辐射段53，其中两第三低频辐射段52呈相对的L形状，第三高频辐射段53呈长条状而与第一表面11的两平行长边平行。

本实施例中，所述第一低频辐射段32、第二低频辐射段42以及第三低频辐射段52的结构形状大致相同，并且第一高频辐射段33、第二高频辐射段43以及第三高频辐射段53的结构形状大致相同。

如图2所示，所述接地部60设在上述基板10的第二表面12，所述接地部60在长度L方向上具有一第一端与一第二端，所述接地部60与所述馈入部20的位置相对应；本实施例中，所述接地部60呈中空矩形，其宽度大于第一表面11上的第三信号段23的宽度，所述接地部60在长度L方向上的第一端与第二端分别朝第二表面12的上、下两端延伸一第四信号段61，所述第四信号段61又分别朝长度L方向延伸并形成一第五信号段62，所述第五信号段62的宽度大于所述第四信号段61的宽度。

所述第四辐射体70设在所述基板10的第二表面12且邻近其下端，所述第四辐射体70具有一第四连接部71，第四连接部71呈一凸字型，其上端与所述接地部60第一端的第五信号段62电连接，第四连接部71的另一端分别朝所述第二表面12的接地部60方向延伸一第四低频辐射段72以及一第四高频辐射段73，所述第四低频辐射段72、第四高频辐射段73分别形成于所述第二表面12上的两平行长边的边缘附近。

所述第五辐射体80设在基板10的第二表面12上，所述第五辐射体80具有二第五连接部81，所述第五连接部81与基板10的长边平行且一端与所述接地部60第二端的第五信号段62电连接，各第五连接部81的另一端分别朝所述接地部60方向延伸，并分别在第二表面12上两平行长边的边缘附近相对形成一第五低频辐射段82以及一第五高频辐射段83，其中两第五低频辐射段82呈相对的L形状，第五高频辐射段83呈长条状而与第二表面12的两平行长边平行。

本实施例中，所述第四低频辐射段72以及所述第五低频辐射段82结构形状大致相同，并且第四高频辐射段72以及第五高频辐射段82的结构形状大致相同。

所述第六辐射体90设在所述基板10的第二表面12上且邻近其上端，所述第六辐射体90具有二平行的第六连接部91，所述第六连接部91的一端共同与所述接地部60第二端的第五信号段62电连接，各第六连接部91的另一端分别朝第二表面12的两平行长边延伸，并且分别在第二表面12上两平行长边的边缘附近相对形成一第六低频辐射段92以及一第六高频辐射段93，其中所述第六高频辐射段93呈长条状而与第二表面12的两平行长边平行，而所述第六低频辐射段92则是朝向第二表面12的上端延伸，使得所述第六低频辐射段92的结构与上述第五低频辐射段82、第四低频辐射段72完全不同。

由上述高增益双频阵列天线的具体结构可知，所述基板10上的第一至第六低频辐射段32,42,52,72,82,92构成一组低频路径，且第一至第六高频辐射段33,43,53,73,83,93又构成一组高频路径，其辐射场具有堆叠效果，使得最大增益可达到5dBi，因此，本实用新型可通过第一至第六辐射体30～50,70～90所构成的双频路径，提供较佳的频宽以及辐射效能，当一电流进入所述馈入部20与所述接地部60时，所述电流通过第一信号段21、第二信号段22、第三信号段23以及第四信号段61、第五信号段62，使得第一至第六辐射体30～50,70～90可分别产生一低频段与一高频段的辐射模态，并通过阵列结构的形式让所述基板10的使用空间仅需155mm×17.5mm，相对于一般双频天线已大幅缩小其尺寸，因此，本实用新型确实可达到提升辐射效能并达到缩小天线尺寸的效果。

如图3所示，前述实施例的电压驻波比(VSWR)特性曲线图，由特性曲线图中可以看出，在较低频段的2.45GHz附近以及较高频段的5.47附近的电压驻波比皆远低于2，当电压驻波比越小即代表效率越高；如图4所示，前述实施例的返射损耗(ReturnLoss)特性曲线图，由特性曲线图中可以看出，本实用新型分别在较低频段的2.45GHz附近及较高频段的5.47GHz附近产生较佳的响应，不仅皆小于-10dB，其中，在2.4GHz频段的返射损耗为-17.23dB，又在5.47GHz频段的返射损耗为-23.745dB，当返射损耗越小即代表效率越高。

如图5A与图5B所示，根据本实用新型较佳实施例所产生2.45GHz频段的水平辐射场型(E-Plane)及垂直辐射场型(H-Plane)，又如图6A与6B所示，根据本实用新型较佳实施例而产生5.47GHz频段的水平辐射场型(E-Plane)及垂直辐射场型(H-Plane)；由前述特性曲线图与各个辐射场型图可以看出，本实用新型可通过第一至第六辐射体30～50,70～90所构成的双频路径，可提供较佳的辐射场型。

为举例说明本实用新型具体应用的效果，请参考下表所示：

频段(MHz)	2400	2450	2500	5150	5250	5350	5475	5600	5785	5850
											增益值(dBi)	4.9	5.2	5.3	5.0	5.2	5.4	6.2	5.9	5.3	5.4
效率值(％)	72.3	77.3	73.1	68.2	66.4	66.2	65.3	64.2	73.1	76.2

本实用新型的高增益双频阵列天线，主要以阵列结构的形式设计，并且使所有辐射体30～50，70～90可分别产生一低频段与一高频段的辐射模态，以产生由前述特性曲线图、各个辐射场型图以及本实用新型的最大增益值(Peak Gain)与效率值(Efficiency)，如上表所示，根据本实用新型所分别产生2.45GHz频段附近、5.47GHz频段附近的最大增益值与效率值，其中2.45GHz频段的最大增益值为5.2dBi、效率值为77.3％，5.47GHz频段的最大增益值为6.2dBi、效率值为65.3％，由上述最大增益值与效率值可代表本实用新型的物理特性，其确实可产生较佳辐射模态的天线特性。

Claims (12)

1.一种高增益双频阵列天线，其特征在于，包括： 

一基板，具有一第一表面、一第二表面； 

一馈入部，其设在所述基板上的第一表面，所述馈入部的两端分别朝所述基板的二端延伸一第一信号段、一第二信号段与一第三信号段； 

一第一辐射体，其设在所述基板第一表面的一端，所述第一辐射体与所述馈入部其中一端的第三信号段连接； 

一第二辐射体，其设在所述基板第一表面的二端之间，所述第二辐射体与所述馈入部另一端的第三信号段连接； 

一第三辐射体，其设在所述基板第一表面的另一端，所述第三辐射体与所述馈入部另一端的第三信号段连接； 

一接地部，其设在所述基板上的第二表面，所述接地部具有两端并与所述馈入部位置相对； 

一第四辐射体，其设在所述基板第二表面的一端，所述第四辐射体与所述接地部其中一端连接； 

一第五辐射体，其设在所述基板第二表面的二端之间，所述第五辐射体与所述接地部另一端连接； 

一第六辐射体，其设在所述基板第二表面的另一端，所述第六辐射体与所述接地部另一端连接。 

2.如权利要求1所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述第一辐射体具有一第一连接部，所述第一连接部的一端与所述馈入部第一端的第三信号段电连接，所述第一连接部的另外两端分别延伸一第一低频辐射段以及一第一高频辐射段，所述第一低频辐射段、第一高频辐射段分别形成于所述第一表面上的两侧处。 

3.如权利要求1所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述第二辐射体具有二第二连接部，所述第二连接部的一端与所述馈入部第二端的第三信号段电连接，所述第二连接部的另一端分别延伸，并分别在所述第一表面上两侧处相对形成一第二低频辐射段以及一第二高频辐射段。 

4.如权利要求1所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述第三辐射体具有 二第三连接部，所述第三连接部的一端共同与所述馈入部第二端的第三信号段电连接，所述第三连接部的另一端分别延伸，并且分别在所述第一表面的两侧处形成一第三低频辐射段以及一第三高频辐射段。 

5.如权利要求1所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述第四辐射体具有一第四连接部，所述第四连接部上端与所述接地部一端的第五信号段电连接，所述第四连接部的另外两端分别延伸一第四低频辐射段以及一第四高频辐射段，所述第四低频辐射段、第四高频辐射段分别形成于所述第二表面上的两侧处。 

6.如权利要求1所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述第五辐射体具有二第五连接部，所述第五连接部的一端与所述接地部另一端的第五信号段电连接，所述第五连接部的另一端分别延伸，并分别在第二表面上的两侧处形成一第五低频辐射段以及一第五高频辐射段。 

7.如权利要求1所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述第六辐射体具有二第六连接部，所述第六连接部的一端共同与所述接地部另一端的第五信号段电连接，所述第六连接部的另一端分别延伸，并且分别在第二表面上的两侧处相对形成一第六低频辐射段以及一第六高频辐射段，其中所述第六低频辐射段则是朝向第二表面的上端延伸。 

8.如权利要求1所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述第一辐射体具有一第一连接部，所述第一连接部的一端与所述馈入部第一端的第三信号段电连接，所述第一连接部的另外两端分别延伸一第一低频辐射段以及一第一高频辐射段，所述第一低频辐射段、第一高频辐射段分别形成于所述第一表面上的两侧处； 

所述第二辐射体具有二第二连接部，所述第二连接部的一端与所述馈入部第二端的第三信号段电连接，所述第二连接部的另一端分别延伸，并分别在所述第一表面上两侧处相对形成一第二低频辐射段以及一第二高频辐射段； 

所述第三辐射体具有二第三连接部，所述第三连接部的一端共同与所述馈入部第二端的第三信号段电连接，所述第三连接部的另一端分别延伸，并且分别在所述第一表面的两侧处形成一第三低频辐射段以及一第三高频辐射段； 

所述第四辐射体具有一第四连接部，所述第四连接部上端与所述接地部一端的第五信号段电连接，所述第四连接部的另外两端分别延伸一第四低频辐射段以及一第四高频辐射段，所述第四低频辐射段、第四高频辐射段分别形成于所述第二表面上的两 侧处； 

所述第五辐射体具有二第五连接部，所述第五连接部的一端与所述接地部另一端的第五信号段电连接，所述第五连接部的另一端分别延伸，并分别在第二表面上的两侧处形成一第五低频辐射段以及一第五高频辐射段； 

所述第六辐射体具有二第六连接部，所述第六连接部的一端共同与所述接地部另一端的第五信号段电连接，所述第六连接部的另一端分别延伸，并且分别在第二表面上的两侧处相对形成一第六低频辐射段以及一第六高频辐射段，其中所述第六低频辐射段则是朝向第二表面的上端延伸。 

9.如权利要求1至8项中任一项所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述第一信号段分别延伸形成所述第二信号段，且所述第二信号段的宽度大于所述第一信号段的宽度，所述第二信号段的自由端又分别延伸形成所述第三信号段，所述第三信号段的宽度又大于所述第二信号段的宽度。 

10.如权利要求9所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述第一信号段、所述第二信号段以及所述第三信号段分别为一阻抗转换器，其阻抗值分别为100Ω、75Ω、50Ω。 

11.如权利要求10所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述接地部宽度大于第一表面上的第三信号段的宽度。 

12.如权利要求11所述的高增益双频阵列天线，其特征在于，所述基板为一印刷电路板，所述馈入部、所述第一辐射体、所述第二辐射体、所述第三辐射体、所述接地部、所述第四辐射体、所述第五辐射体以及所述第六辐射体皆印刷在所述印刷电路板上。