CN203882956U - 一种局域加热的硅片抛光装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种局域加热的硅片抛光装置，包括滚轮、加热灯管、反射罩、传感器、槽体等。本实用新型结构合理，构造简单，相比整槽药液加热的抛光装置，因为采用了局域加热的设计，有如下优点：仅在硅片处进行加热，且无硅片时自动停止加热，故能耗更低，节约了设备使用成本；由于非加热处的药液温度较低，设备槽体可选择性价比更高的材质制造，节约了设备的制造成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及硅片抛光领域，具体涉及一种局域加热的硅片抛光装置。
背景技术
在半导体及太阳能光伏行业，常常需要对硅片进行表面处理。抛光是较为常见的一种表面处理工艺，经过抛光后的表面具有粗糙度低、反射率高、表面载流子复合速率低等优点。抛光方法包括机械抛光、化学抛光等，其中化学抛光运用较为广泛，它是利用酸碱腐蚀液快速腐蚀硅片表面，在近似各向同性的反应下，有效减少表面的高低起伏，达到抛光的目的。
常见的化学抛光设备是将腐蚀液加热到较高温度后通过硅片进行抛光。该方法的不足之处在于，需要对整槽药液进行加热，且无硅片生产时不能停止加热，故能耗较高，增加了设备的使用成本；由于整槽药液的温度较高，同时又要兼顾耐腐蚀性，所以在设备槽体材质的选择上有较大限制，很多价格便宜、耐腐蚀性好的材料因为温度的关系无法使用，这就增加了设备的制造成本。
发明内容
本实用新型目的在于提供一种局域加热的硅片抛光装置，该装置克服了现有整槽药液加热的抛光装置的不足，更加易于满足工业化生产的要求。
为实现上述发明目的，本实用新型采取的技术方案为：
一种局域加热的硅片抛光装置，所述装置包括滚轮、加热灯管、反射罩、硅片探测器及槽体，所述加热灯管、所述反射罩及所述硅片探测器均位于所述槽体上方，所述反射罩位于所述灯管正上方；其改进之处在于加热方式为局域加热。
作为优选，所述加热灯管使用非接触方式对硅片进行加热。
作为优选，在所述加热灯管的前端和后端至少各有一个所述硅片探测器。
作为优选，所述槽体的材质为聚丙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚氯乙烯或不锈钢。
由于采用了上述技术方案，与现有设备相比，本实用新型的有益效果包括：
本实用新型相比整槽药液加热的抛光装置，因为采用了局域加热的设计，故仅在硅片处进行加热，且无硅片时自动停止加热，故能耗更低，节约了设备使用成本；由于非加热处的药液温度较低，设备槽体可选择性价比更高的材质制造，节约了设备的制造成本。
附图说明
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型实施例的设备结构示意图；
附图标记：1-滚轮，2-加热灯管，3-反射罩，4-硅片探测器，5-槽体，6-腐蚀液，7-硅片。
具体实施方式
下面结合实例对本实用新型进行详细的说明。
具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，并不是对本实用新型的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。
实施例：
如图1所示，局域加热的硅片抛光装置包括滚轮1、加热灯管2、反射罩3、硅片探测器4及槽体5。加热灯管2、反射罩3及硅片探测器4均位于槽体5上方。反射罩3位于加热灯管2正上方；滚轮1的材质为不锈钢内芯外部包裹聚丙烯；槽体5的材质为聚丙烯；加热灯管2选用红外加热管；反射罩3材质为铝合金；硅片探测器4为光电开关。
Claims (4)
1.一种局域加热的硅片抛光装置，所述装置包括滚轮（1）、加热灯管（2）、反射罩（3）、硅片探测器（4）及槽体（5），所述加热灯管（2）、所述反射罩（3）及所述硅片探测器（4）均位于所述槽体（5）上方，所述反射罩（3）位于所述加热灯管（2）正上方；其特征在于，加热方式为局域加热。
2.如权利要求1所述的局域加热的硅片抛光装置，其特征在于：所述加热灯管（2）使用非接触方式对硅片（7）进行加热。
3.如权利要求1所述的局域加热的硅片抛光装置，其特征在于：在所述加热灯管（2）的前端和后端至少各有一个硅片探测器（4）。
4.如权利要求1所述的局域加热的硅片抛光装置，其特征在于：所述槽体（5）的材质为聚丙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚氯乙烯或不锈钢。
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