CN203871835U - 一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路 - Google Patents
一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路，其包括电磁脱扣线圈TR、可控硅SCR1和SCR2、二极管D7、D8和D9以及电容C8，所述可控硅SCR1的阳极接脱扣线圈TR，可控硅SCR1的阴极接可控硅SCR2的阳极，可控硅SCR1的控制极与可控硅SCR2的阳极之间并联电容C8，可控硅SCR1的阳极接地，所述可控硅SCR2的控制极接控制端，可控硅SCR2的阴极依次串联二极管D9和D8接地，通过完善保护电路，对可控硅既可以实现过电压保护，又可以实现过电流保护，提供了剩余电流保护断路器在运行中的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及断路器领域，更具体是涉及一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路。
背景技术
目前在配电电路中广泛使用的剩余电流保护断路器，主要是用于对人的身体触电提供保护作用的一种电器。当人的身体发生意外触电的瞬间，无论是直接接触触电还是间接接触触电，剩余电流保护断路器都能够快速动作，立刻切断输入电源，避免触电电流对人的身体产生进一步伤害。剩余电流保护断路器也可以用来防止由用电设备的接地故障电流引起的火灾危险。随着用电设备使用年限的增加或使用环境的变差，使得用电设备的绝缘材料也会随之老化，在老化的程度加大的同时，绝缘水平也逐步降低，当绝缘材料降低到不能承受其电源电压时，绝缘材料就会被击穿。此时，电源通过用电设备对地将会产生一个接地故障电流，伴随着绝缘材料损坏程度加剧，故障电流也不断加大，进而引起的电器火灾危险。
鉴于剩余电流保护断路器在配电电路中所起到的安全保护作用，所以，剩余电流保护断路器在使用中的可靠性显得尤为重要。
剩余电流保护断路器通常由两部分组成，一部分包括剩余电流检测、滤波、放大、比较、触发可控硅等电子电路；另一部分采用电磁脱扣器带动操作机构动作，使得剩余电流保护断路器的触头断开的机械结构。最终，达到切断输入电源，保护人身和用电设备的安全的目的。从组成部分上分析，剩余电流保护断路器是一种典型的电子与机械相结合的电子电器产品。而影响这种产品可靠性的关键，往往是在二者的结合部位。常用的结合方法就是用电子电路的可控硅来控制机械部分的电磁脱扣器线圈。这种方法的不足之处在于电磁脱扣器线圈在通断时将产生瞬时感应电压，仅用简单的过电压保护元件即压敏电阻进行保护，有时不能起到保护作用，就会造成可控硅的击穿，至使整个产品失效，降低了剩余电流保护断路器在使用中的可靠性。
实用新型内容
为了解决现有技术的不足，本实用新型公开了一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路。
本实用新型提供一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路，其包括电磁脱扣线圈TR、可控硅SCR1和SCR2、二极管D8和D9以及电容C8，所述可控硅SCR1的阳极接脱扣线圈TR可控硅SCR1的阴极接可控硅SCR2的阳极，可控硅SCR1的控制极与可控硅SCR2的阳极之间并联电容C8，可控硅SCR1的阳极接地，所述可控硅SCR2的控制极接断路器的控制端，可控硅SCR2的阴极依次串联二极管D9和D8接地。
可控硅SCR1的控制极与阳极之间并联串联后的电阻R5和电阻R6。
所述脱扣线圈TR两端并联二极管D7。
所述可控硅SCR1的阳极经压敏电阻MOV4接地。
本实用新型通过完善保护电路，对可控硅既可以实现过电压保护，又可以实现过电流保护，提供了剩余电流保护断路器在运行中的可靠性。
附图说明
图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型实施例作进一步说明：
如图1所示，本实用新型提供一种剩余电流动作保护断路器可靠性的触发电路，其包括电磁脱扣线圈TR、可控硅SCR1和SCR2、二极管D7、D8和D9、压敏电阻MOV4、电阻R5和R6以及电容C8，所述可控硅SCR1的阳极接脱扣线圈TR，可控硅SCR1的阴极接可控硅SCR2的阳极，可控硅SCR1的控制极与阳极之间并联电阻R5，可控硅SCR1的控制极与可控硅SCR2的阳极之间依次并联电阻R6和电容C8，可控硅SCR1的阳极经压敏电阻MOV4接地，所述可控硅SCR2的控制极接断路器的控制端，可控硅SCR2的阴极依次串联二极管D9和D8接地，所述电磁脱扣线圈TR两端并联二极管D7。
所述断路器的控制端包括零序互感器和集成电路IC，该部分为现有技术，故不予以公开，其主要通过零序互感器检测信号，并将信号发送到集成电路IC，集成电路IC发送高电平到可控硅SCR2的控制极。
通过断路器的控制端输出高电平，首先，使得可控硅SCR2和两个二极管D9和D8导通；经过电容C8充电延时后，再使两个可控硅和两个二极管同时导通，电流通过电磁脱扣器线圈TR使电磁脱扣器带动操作机构动作，使得剩余电流保护断路器的触头断开，切断输入电源。
所述电磁脱扣线圈TR两端并联二极管D7，所述电磁脱扣器线圈TR输入端接二极管D7的负极，输出端接D7的正极。在电磁脱扣器线圈关断时产生的持续电流可以通过二极管D7得以维持，避免可控硅因流入持续电流而烧毁。从而实现对电路的过电流保护。
所述可控硅SCR1的阳极经压敏电阻MOV4接地。在电磁脱扣器线圈通断时产生的过电压可以通过压敏电阻MOV4接至到地，避免过电压将可控硅击穿。从而实现对电路的过电压保护。
所述电阻R5与R6串联后再与可控硅SCR1并联。经电阻R5和R6分压后，为可控硅SCR1的控制极提供控制电平，保证可控硅SCR1可靠触发。
所述电容C8与电阻R6并联后，再与可控硅SCR1的控制极与阴极之间并联。通过电容C8的充电过程来延缓可控硅SCR1的触发导通时间，保证两个可控硅都能导通，即可控硅SCR2为直接触发，可控硅SCR1为延时触发，这样可以提高电路的抗干扰能力。同时，双可控硅和双二极管的这种连续串联设计，可以成倍地提高可控硅的反向耐压能力。
实施例不应视为对本实用新型的限制，但任何基于本实用新型的精神所作的改进，都应在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路，其特征在于：其包括电磁脱扣线圈TR、可控硅SCR1和SCR2、二极管D8和D9以及电容C8，所述可控硅SCR1的阳极接脱扣线圈TR可控硅SCR1的阴极接可控硅SCR2的阳极，可控硅SCR1的控制极与可控硅SCR2的阳极之间并联电容C8，可控硅SCR1的阳极接地，所述可控硅SCR2的控制极接断路器的控制端，可控硅SCR2的阴极依次串联二极管D9和D8接地。
2.根据权利要求1所述的一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路，其特征在于，可控硅SCR1的控制极与阳极之间并联串联后的电阻R5和电阻R6。
3.根据权利要求1所述的一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路，其特征在于，所述脱扣线圈TR两端并联二极管D7。
4.根据权利要求1所述的一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路，其特征在于，所述可控硅SCR1的阳极经压敏电阻MOV4接地。
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| CN106300239A (zh) * | 2016-08-16 | 2017-01-04 | 华通机电股份有限公司 | 一种剩余电流动作断路器 |
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- 2014-06-03 CN CN201420289873.4U patent/CN203871835U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN106300239B (zh) * | 2016-08-16 | 2018-09-25 | 华通机电股份有限公司 | 一种剩余电流动作断路器 |
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