CN203851009U - 半导体致冷片单电源电流换向电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种半导体致冷片电流换向电路，分别将4个低内阻、大电流、高耐压的MOS管（2个P型MOS管、2个N型MOS管）组成桥式控致电路，接入半导体致冷片通过控致其中的一对N、P组合MOS管导通、令一对组合MOS管关闭来达到电流换向的目的。将两个P型MOS管S级接在电源VCC，Q1的D级接半导体致冷片的正极（+），Q2的D级接半导体致冷片的负极（-）；将Q3的D级接体致冷片的正极（+），Q4的D级接体致冷片的负极（-），将Q3、Q4的S级接地GND。当Q1和Q4导通、Q2、Q3截止时通过半导体致冷片的电流为正向电流，当Q2和Q3导通、Q1、Q4截止时通过半导体致冷片的电流为反向电流，同时应避免Q1、Q3或Q2、Q4同时导通。通过添加电路MOS管驱动等外围电路并实际应用测试，本新型实用电路可有效的控致半导体致冷片电路的电流换向。
Description
技术领域
本实用新型提供一种半导体致冷片电流换向电路，使其电路损耗小，只需采用单电源供电，有效提高电路的加热、致冷切换效率及温度控致的精度。
背景技术
半导体致冷片工作在低压大电流下，当对半导体致冷片的两引脚分别接入反相的电源时，即可在同半导体致冷片的同一面产生冷却、加热的切换效果。目前由半导体致冷片搭建的半导体致冷片电流换向电路可以用于恒温控致，其多是采用场效应管或继电器组成的半桥式、双电源控致电路，控致电路串接在半导体致冷片上的方式完成的。
发明内容
本实用新型提供了一种半导体致冷片电流换向电路，分别将4个低内阻、大电流、高耐压的MOS管（2个P型MOS管、2个N型MOS管）组成桥式控致电路，接入半导体致冷片通过控致其中的一对N、P组合MOS管导通、令一对组合MOS管关闭来达到电流换向的目的。如图二所示将两个P型MOS管S级接在电源VCC，Q1的D级接半导体致冷片的正极（+），Q2的D级接半导体致冷片的负极（-）；将Q3的D级接体致冷片的正极（+），Q4的D级接体致冷片的负极（-），将Q3、Q4的S级接地GND。当Q1和Q4导通、Q2、Q3截止时通过半导体致冷片的电流为正向电流，当Q2和Q3导通、Q1、Q4截止时通过半导体致冷片的电流为反向电流，同时应避免Q1、Q3或Q2、Q4同时导通。通过如图三添加电路MOS管驱动等外围电路并实际应用测试，本新型实用电路可有效的控致半导体致冷片电路的电流换向。
附图说明
图 1 为现有专利技术中半导体致冷片电流换向电路图。
图 2为本实用新型实施例所述半导体致冷片电流换向电路示意图。
图 3为本实用新型实施例所述半导体致冷片电流换向电路完整电路图。
具体实施方式
如图 3 所示，本实施例提供了一种半导体致冷片电流换向电路，正电压VCC连接到MOS 管 Q1、Q2的S级然后D级分别与半导体致冷片正、负级连接，Q3、Q4的S级接地GND，然后D级分别与半导体致冷片正、负级连接，组成桥式电流换向电路。
其中，Q1、Q2由MOS管T2、T3驱动，G级为低电平时导通，Q3、Q4由比较器U7A、U7B驱动。当Q1和Q4导通、Q2、Q3截止时通过半导体致冷片的电流为正向电流，当Q2和Q3导通、Q1、Q4截止时通过半导体致冷片的电流为反向电流，同时应避免Q1、Q3或Q2、Q4同时导通。
当目标环境温度低于设定值时，MOS 管Q1、 Q4断开，MOS 管 Q2、Q3导通，电流方向为 Iba，半导体致冷片TE加热。通过检测环境温度与设定温度差值来决定控致器输出给 MOS管Q2的驱动信号占空比以达到控流加热的目的。
当目标环境温度高于设定值时，MOS管Q2、Q3断开，MOS管 Q1、Q4导通，电流方向为Iab，半导体致冷片TE致冷。通过检测环境温度与设定温度差值来决定控致器输出给 MOS 管 Q1的驱动信号占空比以达到控流致冷的目的。
当目标环境温度处于设定值允许误差范围内时，MOS管Q2、Q3和 MOS管Q1、Q4断开，半导体致冷片TE不工作。
可见，本实施例所述半导体致冷片电流换向电路，通过使用正电压和负电压双路输出电源替代背景技术中所述双路输出电源供电，用四个 MOS管实现电流的换向、变为单独输出电源供电，降低了电路损耗，有效提高了电路的加热致冷效率及温度控致的精度。
Claims (1)
1.一种半导体致冷片电流换向电路，分别将4个低内阻、大电流、高耐压的MOS管组成桥式控致电路，接入半导体致冷片通过控致其中的一对N、P组合MOS管导通、令一对组合MOS管关闭来达到电流换向的目的，所述MOS管包括2个P型MOS管、2个N型MOS管，将两个P型MOS管Q1、Q2的S级接在电源VCC，Q1的D级接半导体致冷片的正极，Q2的D级接半导体致冷片的负极；将另外两个N型MOS管Q3、Q4的S级接GND，将Q3的D级接体致冷片的正极，Q4的D级接体致冷片的负极，构成半导体致冷片电流换向电路。
2. 如权利要求1所述的半导体致冷片电流换向电路，当Q1和Q4导通、Q2、Q3截止时通过半导体致冷片的电流为正向电流，当Q2和Q3导通、Q1、Q4截止时通过半导体致冷片的电流为反向电流，同时应避免Q1、Q3或Q2、Q4同时导通，以此有效控致半导体致冷片电路的电流换向。
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| CN201420045262.5U CN203851009U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 半导体致冷片单电源电流换向电路 |
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Publications (1)
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| CN (1) | CN203851009U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106787735A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-05-31 | 成都优博创通信技术股份有限公司 | H桥tec控制电路 |
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2014
- 2014-01-24 CN CN201420045262.5U patent/CN203851009U/zh not_active Expired - Lifetime
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