CN203826767U - 一种半导体激光器的驱动控制电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体激光器的驱动控制电路，特点是第一功率运算放大电路的输入端与PID调节电路的输出端相连，第一功率运算放大电路的输出端分别与第一功率运算放大电路的负极输入端、半导体制冷器的正极和第十二电阻的一端相连，半导体制冷器的负极分别与第二功率运算放大电路的输出端和第十三电阻的一端相连，第十三电阻的另一端分别与第二功率运算放大电路的负极输入端及第十二电阻的另一端相连，第二功率运算放大电路的正极输入端与参考电源的正端相连；优点是第一功率运算放大电路和第二功率运算放大电路成H桥型结构，既可实现保持半导体激光器内部温度稳定的功能，又减少了输出光谱中的开关频率干扰噪声，同时有效地降低了功耗。

Description

一种半导体激光器的驱动控制电路

技术领域

本实用新型涉及一种半导体激光器的驱动电路，尤其是一种半导体激光器的驱动控制电路。

背景技术

半导体激光器有许多突出的优点，如结构紧凑、效率高、寿命长且光谱特性优良，因此是光纤通信、光交换、光存储、光陀螺、光频标、计量检测等领域必要的光源，另外，在激光打印、激光测距、光雷达、医学诊断、大气环境污染监测等方面都有着广泛的用途。目前，外腔式半导体激光器已成为相干光通信、密集波分复用光纤传输系统以及宽带综合业务数字网中所需的关键部件。半导体激光器的线宽、频率、功率等性能直接影响了通信和测量系统的精确度。

半导体激光器的温度控制电路是半导体激光器的驱动电路的一个核心技术点，半导体激光器内部的温度波动直接影响了激光输出的稳定性，其中，中心波长、频率噪声及光功率等在半导体激光器中的重要性能参数对温度比较敏感，因此对半导体激光器的温度控制尤为重要。目前主要通过在半导体激光器的内部设置半导体致冷器(Thermoelectric Cooler，简称TEC)来保持激光器内部温度的稳定。然而，以往的半导体制冷器的驱动模块主要采用脉冲调制的方式加上四个MOSFET场效应管来驱动半导体制冷器工作，而脉冲调制的频率直接影响了由驱动半导体制冷器工作来控制调节的温度精度，当需要更小的温度稳态误差时，就需要增大脉冲调制的频率，对工作环境造成不利影响；作为开关功能的MOSFET场效应管需要更快的导通速度，导致器件成本增加且器件容易受过冲而损坏。

目前大多数的半导体制冷器都是集成在半导体激光器的内部，使用传统的脉冲宽度调制（PWM）方式进行温度控制，半导体激光器出光时容易产生高频干扰噪声，影响了半导体制冷器的使用，虽然实际电路中使用了LC电路或PID（比例、积分、微分）调节电路等滤波电路，但效果仍然不够理想。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种干扰噪声较低且温度控制精确的可调功率激光器驱动控制电路。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种半导体激光器的驱动控制电路，包括可调温度控制电路和可调恒流电路，所述的可调温度控制电路包括温度检测电路、PID调节电路、驱动电路和半导体制冷器，所述的驱动电路包括第一功率运算放大电路、第二功率运算放大电路、第十二电阻和第十三电阻，所述的第一功率运算放大电路的输入端与所述的PID调节电路的输出端相连，所述的第一功率运算放大电路的输出端分别与所述的第一功率运算放大电路的负极输入端、所述的半导体制冷器的正极和所述的第十二电阻的一端相连，所述的半导体制冷器的负极分别与所述的第二功率运算放大电路的输出端和所述的第十三电阻的一端相连，所述的第十三电阻的另一端分别与所述的第二功率运算放大电路的负极输入端及所述的第十二电阻的另一端相连，所述的第二功率运算放大电路的正极输入端与参考电源的正端相连。

所述的第一功率运算放大电路包括第一功率运算放大器和第十电阻，所述的第二功率运算放大电路包括第二功率运算放大器和第十一电阻，所述的第一功率运算放大器和所述的第二功率运算放大器均为LT1970功率运算放大器，所述的第一功率运算放大器的正极输入端与所述的PID调节电路的输出端相连，所述的第一功率运算放大器的负极输入端分别与所述的第十电阻的一端、所述的半导体制冷器的正极、所述的第一功率运算放大器的FILTER引脚及所述的第一功率运算放大器的SENSE^-引脚相连，所述的第一功率运算放大器的V_EE引脚与所述的第一功率运算放大器的V^-引脚相连，所述的第一功率运算放大器的V^-引脚接-5V电压，所述的第一功率运算放大器的COMMON引脚接地，所述的第一功率运算放大器的输出端分别与所述的第十电阻的另一端及所述的第一功率运算放大器的SENSE⁺引脚相连，所述的第一功率运算放大器的VC_SNK引脚分别与参考电源的正端和所述的第一功率运算放大器的VC_SRC引脚相连，所述的第一功率运算放大器的VCC引脚接+5V电压，所述的第一功率运算放大器的VCC引脚分别与所述的第一功率运算放大器的ENABLE引脚和所述的第一功率运算放大器的V⁺引脚相连，所述的第二功率运算放大器的正极输入端与参考电源的正端相连，所述的第二功率运算放大器的负极输入端分别与所述的第十二电阻的另一端和所述的第十三电阻的另一端相连，所述的第二功率运算放大器的V_EE引脚与所述的第二功率运算放大器的V^-引脚相连, 所述的第二功率运算放大器的V^-引脚接-5V电压，所述的第二功率运算放大器的COMMON引脚接地，所述的第二功率运算放大器的FILTER引脚分别与所述的半导体制冷器的负极、所述的第十一电阻的一端及所述的第二功率运算放大器的SENSE^-引脚相连，所述的第二功率运算放大器的输出端分别与所述的第十一电阻的另一端及所述的SENSE⁺引脚相连，所述的第二功率运算放大器的VC_SNK引脚分别与参考电源的正端和所述的第二功率运算放大器的VC_SRC引脚相连，所述的第二功率运算放大器的VCC引脚接+5V电压，所述的第二功率运算放大器的VCC引脚分别与所述的第二功率运算放大器的ENABLE引脚和所述的第二功率运算放大器的V⁺引脚相连。LT1970功率运算放大器为线性功率放大器芯片，本身具有限流功能。

所述的半导体制冷器的正极设置有第一钳位电路，所述的半导体制冷器的负极设置有第二钳位电路，所述的第一钳位电路包括第一肖特基二极管和第二肖特基二极管，所述的第二钳位电路包括第三肖特基二极管和第四肖特基二极管，所述的第一肖特基二极管的负极接+5V电压，所述的第一肖特基二极管的正极分别与所述的第二肖特基二极管的负极和所述的半导体制冷器的正极相连，所述的第二肖特基二极管的正极接-5V电压，所述的第三肖特基二极管的负极接+5V电压，所述的第三肖特基二极管的正极分别与所述的第四肖特基二极管的负极和所述的半导体制冷器的负极相连，所述的第四肖特基二极管的正极接-5V电压。第一钳位电路和第二钳位电路可以保护由输出负载引起的反作用电动势，从而增加了第一功率运算放大器和第二功率运算放大器的可靠性。

所述的温度检测电路包括第二数字模拟转换芯片、负温度系数热敏电阻、第五电阻和差分放大器，所述的第二数字模拟转换芯片用于接收由外部数字信号产生器产生的数字信号并转换成模拟信号，所述的第二数字模拟转换芯片的模拟信号输出端与所述的差分放大器的正极输入端相连，所述的负温度系数热敏电阻的一端接+5V电压，所述的负温度系数热敏电阻的另一端分别与所述的第五电阻的一端及所述的差分放大器的负极输入端相连，所述的第五电阻的另一端接地，所述的差分放大器的输出端与所述的PID调节电路的输入端相连。工作人员在外部数字信号产生器上设定温度，外部数字信号产生器将与设定温度对应的数字信号发送至第二数字模拟转换芯片，由第二数字模拟转换芯片转换成模拟信号发送至差分放大器，由差分放大器比较设定的温度与实际温度的差值，最终改变了半导体制冷器的工作电流以适应半导体制冷器的驱动需求，大大提高了半导体激光器内部温度的稳定性，从而使半导体激光器的输出光功率更加稳定。

所述的PID调节电路包括第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第六精密运算放大器，所述的第七电阻的一端分别与所述的差分放大器的输出端及所述的第一电容的一端相连，所述的第一电容的另一端与所述的第八电阻的一端相连，所述的第七电阻的另一端分别与所述的第六精密运算放大器的负极输入端、所述的第八电阻的另一端、所述的第二电容的一端及所述的第九电阻的一端相连，所述的第六精密运算放大器的正极输入端与参考电源的正端相连，所述的第六精密运算放大器的输出端分别与所述的第二电容的另一端、所述的第一功率运算放大器的正极输入端及所述的第三电容的一端相连，所述的第三电容的另一端与所述的第九电阻的另一端相连。

所述的差分放大器由AD620仪表放大器和标准外围电阻组成，所述的的第二数字模拟转换芯片采用AD5060数字模拟转换芯片。采用的AD5060数字模拟转换芯片为16位数字模拟转换器，其输出值理论上计算可以达到最小38.14 uV的精度。

所述的可调恒流电路由第一数字模拟转换芯片、第二精密运算放大器、第一电阻、NMOS晶体管、第二电阻、第三电阻、千分之一高精度电阻和第三精密运算放大器组成，所述的第一数字模拟转换芯片用于接收由外部数字信号产生器产生的数字信号并转换成模拟信号，所述的第一数字模拟转换芯片的模拟信号输出端与所述的第二精密运算放大器的正极输入端相连，所述的第二精密运算放大器的输出端与所述的第一电阻的一端相连，所述的第一电阻的另一端与所述的NMOS晶体管的栅极相连，所述的NMOS晶体管的漏极用于连接半导体激光器的负极，所述的NMOS晶体管的源极分别与所述的第三精密运算放大器的正极输入端及所述的千分之一高精度电阻的一端相连，所述的千分之一高精度电阻的另一端接地，所述的第三精密运算放大器的负极输入端分别与所述的第二电阻的一端及所述的第三电阻的一端相连，所述的第三电阻的另一端接地，所述的第二电阻的另一端分别与所述的第三精密运算放大器的输出端及所述的第二精密运算放大器的负极输入端相连。

所述的第二精密运算放大器和所述的第三精密运算放大器均采用ADA4051-1运算放大器，所述的第一数字模拟转换芯片为AD5060数字模拟转换芯片。采用的16位AD5060数字模拟转换芯片作为半导体激光器的恒定电流调节控制器件，配合高精度的电阻网络，可以实现最小0.01mA的电流控制精度。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于在驱动电路中，第一功率运算放大电路和第二功率运算放大电路连接成H桥型结构，不仅使经过半导体制冷器的电流方向转换更加便捷，实现了快速调节温度以保持半导体激光器内部温度稳定的功能，而且避免了半导体制冷器电流中的开关频率干扰，从而减少了半导体激光器输出光谱中的开关频率干扰噪声；第一功率运算放大电路和第二功率运算放大电路只在由温度检测电路检测出实际温度与设定温度存在较大的温差时产生较大的驱动电流，当测得的实际温度与设定温度较接近时，第一功率运算放大电路和第二功率运算放大电路的输出电压较小，作用于半导体制冷器的正极与负极的电压也同时较小，此时半导体制冷器的功耗较小，半导体制冷器不会产生较大的温度过调节，使温度得到了稳定。

附图说明

图1为本实用新型驱动电路和半导体制冷器的示意图；

图2为本实用新型温度检测电路和PID调节电路的示意图；

图3为本实用新型可调恒流电路的示意图。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

一种半导体激光器的驱动控制电路，包括可调温度控制电路和可调恒流电路，可调温度控制电路包括温度检测电路、PID调节电路、驱动电路和半导体制冷器TEC，如图1所示，驱动电路包括第一功率运算放大电路、第二功率运算放大电路、第十二电阻R12和第十三电阻R13，第一功率运算放大电路包括第一功率运算放大器U7和第十电阻R10，第二功率运算放大电路包括第二功率运算放大器U8和第十一电阻R11，第一功率运算放大器U7和第二功率运算放大器U8均为LT1970功率运算放大器，第一功率运算放大器U7的正极输入端与PID调节电路的输出端相连，第一功率运算放大器U7的负极输入端分别与第十电阻R10的一端、半导体制冷器TEC的正极、第一功率运算放大器U7的FILTER引脚及第一功率运算放大器U7的SENSE^-引脚相连，第一功率运算放大器U7的V_EE引脚与第一功率运算放大器U7的V^-引脚相连，第一功率运算放大器U7的V^-引脚接-5V电压，第一功率运算放大器U7的COMMON引脚接地，第一功率运算放大器U7的输出端分别与第十电阻R10的另一端及第一功率运算放大器U7的SENSE⁺引脚相连，第一功率运算放大器U7的VC_SNK引脚分别与参考电源的正端和第一功率运算放大器U7的VC_SRC引脚相连，第一功率运算放大器U7的VCC引脚接+5V电压，第一功率运算放大器U7的VCC引脚分别与第一功率运算放大器U7的ENABLE引脚和第一功率运算放大器U7的V⁺引脚相连，第二功率运算放大器U8的正极输入端与参考电源的正端相连，第二功率运算放大器U8的负极输入端分别与第十二电阻R12的另一端和第十三电阻R13的另一端相连，第二功率运算放大器U8的V_EE引脚分别与第二功率运算放大器U8的V^-引脚及-5V电压相连，第二功率运算放大器U8的COMMON引脚接地，第二功率运算放大器U8的FILTER引脚分别与半导体制冷器TEC的负极、第十一电阻R11的一端及第二功率运算放大器U8的SENSE^-引脚相连，第二功率运算放大器U8的输出端分别与第十一电阻R11的另一端及SENSE⁺引脚相连，第二功率运算放大器U8的VC_SNK引脚分别与参考电源的正端和第二功率运算放大器U8的VC_SRC引脚相连，第二功率运算放大器U8的VCC引脚接+5V电压，第二功率运算放大器U8的VCC引脚分别与第二功率运算放大器U8的ENABLE引脚和第二功率运算放大器U8的V⁺引脚相连，半导体制冷器TEC的正极设置有第一钳位电路，半导体制冷器TEC的负极设置有第二钳位电路，第一钳位电路包括第一肖特基二极管D1和第二肖特基二极管D2，第二钳位电路包括第三肖特基二极管D3和第四肖特基二极管D4，第一肖特基二极管D1的负极接+5V电压，第一肖特基二极管D1的正极分别与第二肖特基二极管D2的负极和半导体制冷器TEC的正极相连，第二肖特基二极管D2的正极接-5V电压，第三肖特基二极管D3的负极接+5V电压，第三肖特基二极管D3的正极分别与第四肖特基二极管D4的负极和半导体制冷器TEC的负极相连，第四肖特基二极管D4的正极接-5V电压。

如图2所示，温度检测电路包括采用AD5060数字模拟转换芯片的第二数字模拟转换芯片U4、负温度系数热敏电阻RT1、第五电阻R5和由AD620仪表放大器U5和标准外围电阻R6组成的差分放大器，第二数字模拟转换芯片U4用于接收由外部数字信号产生器产生的数字信号并转换成模拟信号，第二数字模拟转换芯片U4的模拟信号输出端与AD620仪表放大器U5的正极输入端相连，负温度系数热敏电阻RT1的一端接+5V电压，负温度系数热敏电阻RT1的另一端分别与第五电阻R5的一端及AD620仪表放大器U5的负极输入端相连，第五电阻R5的另一端接地，PID调节电路包括第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和第六精密运算放大器U6，第七电阻R7的一端分别与AD620仪表放大器U5的输出端及第一电容C1的一端相连，第一电容C1的另一端与第八电阻R8的一端相连，第七电阻R7的另一端分别与第六精密运算放大器U6的负极输入端、第八电阻R8的另一端、第二电容C2的一端及第九电阻R9的一端相连，第六精密运算放大器U6的正极输入端与参考电源的正端相连，第六精密运算放大器U6的输出端分别与第二电容C2的另一端、第一功率运算放大器U7的正极输入端及第三电容C3的一端相连，第三电容C3的另一端与第九电阻R9的另一端相连。

如图3所示，可调恒流电路由采用AD5060数字模拟转换芯片的第一数字模拟转换芯片U1、采用ADA4051-1运算放大器的第二精密运算放大器U2、第一电阻R1、NMOS晶体管Q1、第二电阻R2、第三电阻R3、千分之一高精度电阻R4和采用ADA4051-1运算放大器的第三精密运算放大器U3组成，第一数字模拟转换芯片U1用于接收由外部数字信号产生器产生的数字信号并转换成模拟信号，第一数字模拟转换芯片U1的模拟信号输出端与第二精密运算放大器U2的正极输入端相连，第二精密运算放大器U2的输出端与第一电阻R1的一端相连，第一电阻R1的另一端与NMOS晶体管Q1的栅极相连，NMOS晶体管Q1的漏极用于连接半导体激光器LD的负极，NMOS晶体管Q1的源极分别与第三精密运算放大器U3的正极输入端及千分之一高精度电阻R4的一端相连，千分之一高精度电阻R4的另一端接地，第三精密运算放大器U3的负极输入端分别与第二电阻R2的一端及第三电阻R3的一端相连，第三电阻R3的另一端接地，第二电阻R2的另一端分别与第三精密运算放大器U3的输出端及第二精密运算放大器U2的负极输入端相连。

本实用新型的工作原理如下：

可调温度控制电路中，由外部数字信号发生器设定一个表示设定温度T_SET的数字信号输入第二数字模拟转换芯片U4，由第二数字模拟转换芯片U4将该数字信号转换成模拟信号并以电压的形式从模拟信号输出端输出，同时位于半导体激光器的内部环境中的负温度系数热敏电阻RT1准确测量出半导体激光器外腔的实时温度T_Temp，由AD620仪表放大器U5以一定的增益倍数将设定温度T_SET与实时温度T_Temp的差值进行放大，从AD620仪表放大器U5的输出端输出差值放大电压Vdiff，差值放大电压Vdiff经过PID调节电路滤波后，整个电路的准确度得到提升，同时从第六精密运算放大器U6的输出端输出作为驱动电路的输入端的原始电压V7，V7=V_REF + Vdiff ，其中V_REF表示参考电源的正端的电压值，最终作用于半导体制冷器TEC的正极与负极之间的电压U= r12/r13*(V7- VREF)=(r12/r13)×Vdiff ，其中，r12为第十二电阻R12的阻值，r13为第十三电阻R13的阻值，r12/r13表示差值放大电压Vdiff的比例系数。通过以线性放大的方式产生连续的Vdiff 进行温度反馈，避免了半导体制冷器TEC可能受到的开关频率造成的干扰，使半导体激光器内部温度的稳态误差大大减小，半导体制冷器TEC能够持续保持恒定的温度，从而实现了对半导体激光器内部温度的自动恒定控制。

可调恒流电路中，根据恒流电路特点，第二精密运算放大器U2的正极输入端P1点的电压为V1，第三精密运算放大器U3的正极输入端P2点的电压为V2，V1=V2，而V2= I_LD×r4 ，I_LD为流经半导体激光器LD的电流值，r4为千分之一高精度电阻R4的阻值，P2点的微小电压波动反馈到第三精密运算放大器U3的输出端P3点，P3点的电压V3与P2点的电压V2的差值关系得到了放大，使得P2点的微小电压波动得到反相补偿，最终使P2点的电压保持高稳定状态。

Claims (8)

1.一种半导体激光器的驱动控制电路，包括可调温度控制电路和可调恒流电路，所述的可调温度控制电路包括温度检测电路、PID调节电路、驱动电路和半导体制冷器，其特征在于所述的驱动电路包括第一功率运算放大电路、第二功率运算放大电路、第十二电阻和第十三电阻，所述的第一功率运算放大电路的输入端与所述的PID调节电路的输出端相连，所述的第一功率运算放大电路的输出端分别与所述的第一功率运算放大电路的负极输入端、所述的半导体制冷器的正极和所述的第十二电阻的一端相连，所述的半导体制冷器的负极分别与所述的第二功率运算放大电路的输出端和所述的第十三电阻的一端相连，所述的第十三电阻的另一端分别与所述的第二功率运算放大电路的负极输入端及所述的第十二电阻的另一端相连，所述的第二功率运算放大电路的正极输入端与参考电源的正端相连。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的驱动控制电路，其特征在于所述的第一功率运算放大电路包括第一功率运算放大器和第十电阻，所述的第二功率运算放大电路包括第二功率运算放大器和第十一电阻，所述的第一功率运算放大器和所述的第二功率运算放大器均为LT1970功率运算放大器，所述的第一功率运算放大器的正极输入端与所述的PID调节电路的输出端相连，所述的第一功率运算放大器的负极输入端分别与所述的第十电阻的一端、所述的半导体制冷器的正极、所述的第一功率运算放大器的FILTER引脚及所述的第一功率运算放大器的SENSE^-引脚相连，所述的第一功率运算放大器的V_EE引脚与所述的第一功率运算放大器的V^-引脚相连，所述的第一功率运算放大器的V^-引脚接-5V电压，所述的第一功率运算放大器的COMMON引脚接地，所述的第一功率运算放大器的输出端分别与所述的第十电阻的另一端及所述的第一功率运算放大器的SENSE⁺引脚相连，所述的第一功率运算放大器的VC_SNK引脚分别与参考电源的正端和所述的第一功率运算放大器的VC_SRC引脚相连，所述的第一功率运算放大器的VCC引脚接+5V电压，所述的第一功率运算放大器的VCC引脚分别与所述的第一功率运算放大器的ENABLE引脚和所述的第一功率运算放大器的V⁺引脚相连，所述的第二功率运算放大器的正极输入端与参考电源的正端相连，所述的第二功率运算放大器的负极输入端分别与所述的第十二电阻的另一端和所述的第十三电阻的另一端相连，所述的第二功率运算放大器的V_EE引脚与所述的第二功率运算放大器的V^-引脚相连, 所述的第二功率运算放大器的V^-引脚接-5V电压，所述的第二功率运算放大器的COMMON引脚接地，所述的第二功率运算放大器的FILTER引脚分别与所述的半导体制冷器的负极、所述的第十一电阻的一端及所述的第二功率运算放大器的SENSE^-引脚相连，所述的第二功率运算放大器的输出端分别与所述的第十一电阻的另一端及所述的SENSE⁺引脚相连，所述的第二功率运算放大器的VC_SNK引脚分别与参考电源的正端和所述的第二功率运算放大器的VC_SRC引脚相连，所述的第二功率运算放大器的VCC引脚接+5V电压，所述的第二功率运算放大器的VCC引脚分别与所述的第二功率运算放大器的ENABLE引脚和所述的第二功率运算放大器的V⁺引脚相连。

3.根据权利要求2所述的一种半导体激光器的驱动控制电路，其特征在于所述的半导体制冷器的正极设置有第一钳位电路，所述的半导体制冷器的负极设置有第二钳位电路，所述的第一钳位电路包括第一肖特基二极管和第二肖特基二极管，所述的第二钳位电路包括第三肖特基二极管和第四肖特基二极管，所述的第一肖特基二极管的负极接+5V电压，所述的第一肖特基二极管的正极分别与所述的第二肖特基二极管的负极和所述的半导体制冷器的正极相连，所述的第二肖特基二极管的正极接-5V电压，所述的第三肖特基二极管的负极接+5V电压，所述的第三肖特基二极管的正极分别与所述的第四肖特基二极管的负极和所述的半导体制冷器的负极相连，所述的第四肖特基二极管的正极接-5V电压。

4.根据权利要求2所述的一种半导体激光器的驱动控制电路，其特征在于所述的温度检测电路包括第二数字模拟转换芯片、负温度系数热敏电阻、第五电阻和差分放大器，所述的第二数字模拟转换芯片用于接收由外部数字信号产生器产生的数字信号并转换成模拟信号，所述的第二数字模拟转换芯片的模拟信号输出端与所述的差分放大器的正极输入端相连，所述的负温度系数热敏电阻的一端接+5V电压，所述的负温度系数热敏电阻的另一端分别与所述的第五电阻的一端及所述的差分放大器的负极输入端相连，所述的第五电阻的另一端接地，所述的差分放大器的输出端与所述的PID调节电路的输入端相连。

5.根据权利要求4所述的一种半导体激光器的驱动控制电路，其特征在于所述的PID调节电路包括第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第六精密运算放大器，所述的第七电阻的一端分别与所述的差分放大器的输出端及所述的第一电容的一端相连，所述的第一电容的另一端与所述的第八电阻的一端相连，所述的第七电阻的另一端分别与所述的第六精密运算放大器的负极输入端、所述的第八电阻的另一端、所述的第二电容的一端及所述的第九电阻的一端相连，所述的第六精密运算放大器的正极输入端与参考电源的正端相连，所述的第六精密运算放大器的输出端分别与所述的第二电容的另一端、所述的第一功率运算放大器的正极输入端及所述的第三电容的一端相连，所述的第三电容的另一端与所述的第九电阻的另一端相连。

6.根据权利要求5所述的一种半导体激光器的驱动控制电路，其特征在于所述的差分放大器由AD620仪表放大器和标准外围电阻组成，所述的的第二数字模拟转换芯片采用AD5060数字模拟转换芯片。

7.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的驱动控制电路，其特征在于所述的可调恒流电路由第一数字模拟转换芯片、第二精密运算放大器、第一电阻、NMOS晶体管、第二电阻、第三电阻、千分之一高精度电阻和第三精密运算放大器组成，所述的第一数字模拟转换芯片用于接收由外部数字信号产生器产生的数字信号并转换成模拟信号，所述的第一数字模拟转换芯片的模拟信号输出端与所述的第二精密运算放大器的正极输入端相连，所述的第二精密运算放大器的输出端与所述的第一电阻的一端相连，所述的第一电阻的另一端与所述的NMOS晶体管的栅极相连，所述的NMOS晶体管的漏极用于连接半导体激光器的负极，所述的NMOS晶体管的源极分别与所述的第三精密运算放大器的正极输入端及所述的千分之一高精度电阻的一端相连，所述的千分之一高精度电阻的另一端接地，所述的第三精密运算放大器的负极输入端分别与所述的第二电阻的一端及所述的第三电阻的一端相连，所述的第三电阻的另一端接地，所述的第二电阻的另一端分别与所述的第三精密运算放大器的输出端及所述的第二精密运算放大器的负极输入端相连。

8.根据权利要求7所述的一种半导体激光器的驱动控制电路，其特征在于所述的第二精密运算放大器和所述的第三精密运算放大器均采用ADA4051-1运算放大器，所述的第一数字模拟转换芯片为AD5060数字模拟转换芯片。