CN203761621U - 带负载检测的取电电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种用于单火线取电时，对负载进行检测后进行取电的取电电路。其包括可控硅控制电路、开关电源电路、采样电路和主控制电路，可控硅控制电路由单火线上取电，采样电路包括型号为UTP1000的超微功耗宽电压开关电源芯片的单火线取电专用模块和型号为H7533的低功耗稳压器，专用模块的输入端与稳压器的输入端相接，其输出端与单火线相接；稳压器的输出端与主控制电路的工作电源相接。本实用新型由单火线取电专用模块和低功耗稳压器构成的采样电路和由电压比较电路、开关电路构成的开关电源电路，对取电线路进行检测，识别负载待机功耗，对电路取电进行调整。通过对负载的检测，识别负载，减少了取电线路对负载寿命的影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及单火线取电电路，特别涉及一种带负载检测的取电电路。
背景技术
在智能家居照明控制系统中，所用的单火线取电控制开关，取电量小而且不能根据电路是否带有负载进行取电，因此，取电状态常常因空载或负载情况受到影响，取电性能不稳定，可靠性差。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于单火线取电时，对负载进行检测后进行取电的取电电路。
为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：
本实用新型的带负载检测的取电电路，包括可控硅控制电路、开关电源电路、采样电路和主控制电路，所述可控硅控制电路由单火线上取电，其控制端与主控制电路相接，所述采样电路包括单火线取电专用模块和低功耗稳压器构成，其中，单火线取电专用模块是型号为UTP1000的超微功耗宽电压开关电源芯片，低功耗稳压器型号为H7533，专用模块的输入端通过第一二极管与稳压器的输入端相接，专用模块的输出端通过第三二极管和第五二极管与单火线相接；稳压器的输出端第二电感与主控制电路的工作电源相接。
所述开关电源电路由电压比较电路和开关电路构成，其中，电压比较电路的输出端与开关电路的输入端相接，开关电路的输出端通过可控硅控制电路与 单火线的出线相接。
所述电压比较电路主要由双运放大器、第十四电阻、第十五电阻、第十五电容、第十一二极管、第一稳压二极管、第十四电容和第十七电阻构成，双运放大器的反相输入端通过与第十五电容的正端、第十四电阻和第十一二极管的负极相接，并通过第十四电阻与单火线的入线相接，双运放大器的同相输入端通过第十五电阻与第一稳压二极管、第十四电容的正极和第十七电阻相连，并通过第十七电阻接往正12V电源端，双运放大器的输出端与开关电路中的第十九电阻和第十八电阻相接；所述开关电路由第二晶体管、第三晶体管和功率开关管构成，第二晶体管与第三晶体管的基极共接并通过第十九电阻与第十八电容的并联与双运放大器的输出端和第十八电阻相接，第二晶体管与第三晶体管的发射极共接并接于功率开关管的控制极，第三晶体管的发射极接于正12V电源，第二晶体管的发射极与功率开关管的漏极共接于单火线的入线，功率开关管的源极通过可控硅控制电路接于单火线的出线上。
所述可控硅控制电路由双向可控硅和光电耦合器构成，光电耦合器的输入端与主控制电路相接，双向可控硅的阳极和阴极分别与功率开关管的源极和单火线的出线相接，其控制端通过光电耦合器、限流电阻与其阳极相接。
所述主控制电路主要由型号为ATM88V的万能计算芯片构成。
所述双运放大器型号为LM358；所述功率开关管的型号为IRLR7843；所述双向可控硅型号为BTA16/600B；所述光电耦合器型号为MOC3023。
与现有技术相比，本实用新型采用了在单火线取电电路中增加由单火线取电专用模块和低功耗稳压器构成的采样电路和由电压比较电路、开关电路构成的开关电源电路，对取电线路进行检测，识别负载待机功耗，对电路取电进行 调整。通过对负载的检测，识别负载，减少了取电线路对负载寿命的影响。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图之一。
图2为本实用新型的电路原理图之二。
附图标记：
可控硅控制电路1、开关电源电路2、电压比较电路21、开关电路22、主控制电路3、采样电路4、取电专用模块U2、低功耗稳压器U3、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第十九电阻R19、限流电阻R20、第十四电容C14、第十五电容C15、第十八电容C18、第二电感L2、第一二极管D1、第三二极管D3、第五二极管D5、第十一二极管D11、第十二二极管D12、第十三二极管D13、第一稳压二极管ZD1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、功率开关管Q4、光电耦合器U5、双向可控硅Q5、双运放大器U4、万能计算芯片U1。
具体实施方式
下面对本实用新型作进一步的说明。
如图1、2所示，本实用新型的带负载检测的取电电路，包括可控硅控制电路1、开关电源电路2、采样电路4和主控制电路3，所述可控硅控制电路1由单火线上取电，其控制端与主控制电路3相接，所述采样电路4包括单火线取电专用模块U2和低功耗稳压器U3构成，其中，单火线取电专用模块U2是型号为UTP1000的超微功耗宽电压开关电源芯片，低功耗稳压器U3型号为H7533，专用模块的输入端通过第一二极管D1与稳压器U3的输入端相接，专用模块的输出端通过第三二极管D3和第五二极管D5与单火线相接；稳压器U3 的输出端第二电感L2与主控制电路3的工作电源相接。
所述开关电源电路2由电压比较电路21和开关电路22构成，其中，电压比较电路21的输出端与开关电路22的输入端相接，开关电路22的输出端通过可控硅控制电路1与单火线的出线相接。
所述电压比较电路21主要由双运放大器U4、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十五电容C15、第十一二极管D11、第一稳压二极管ZD1、第十四电容C14和第十七电阻R17构成，双运放大器U4的反相输入端通过与第十五电容C15的正端、第十四电阻R14和第十一二极管D11的负极相接，并通过第十四电阻R14与单火线的入线相接，双运放大器U4的同相输入端通过第十五电阻R15与第一稳压二极管ZD1、第十四电容C14的正极和第十七电阻R17相连，并通过第十七电阻R17接往正12V电源端，双运放大器U4的输出端与开关电路22中的第十九电阻R19和第十八电阻R18相接；所述开关电路22由第二晶体管Q2、第三晶体管Q3和功率开关管Q4构成，第二晶体管Q2与第三晶体管Q3的基极共接并通过第十九电阻R19与第十八电容C18的并联与双运放大器U4的输出端和第十八电阻R18相接，第二晶体管Q2与第三晶体管Q3的发射极共接并接于功率开关管Q4的控制极，第三晶体管Q3的发射极接于正12V电源，第二晶体管Q2的发射极与功率开关管Q4的漏极共接于单火线的入线，功率开关管Q4的源极通过可控硅控制电路1接于单火线的出线上。
所述可控硅控制电路1由双向可控硅Q5和光电耦合器U5构成，光电耦合器U5的输入端与主控制电路3相接，双向可控硅Q5的阳极和阴极分别与功率开关管Q4的源极和单火线的出线相接，其控制端通过光电耦合器U5、限流电阻R20与其阳极相接。
所述主控制电路3主要由型号为ATM88V的万能计算芯片U1构成。
所述双运放大器U4型号为LM358；所述功率开关管Q4的型号为IRLR7843；所述双向可控硅Q5型号为BTA16/600B；所述光电耦合器U5型号为MOS3023。
工作原理：
市电经整流后，在采样电路4中的第三电阻R3与第七电阻R7处进行分压调节，使与其连接的端口M1准确捕捉外部负载信号电压，并且将该信号传输到主控制电路3中的万能计算芯片U1中进行识别，从而确认负载的是否接入。
Claims (6)
1.一种带负载检测的取电电路，包括可控硅控制电路(1)、开关电源电路(2)、采样电路(4)和主控制电路(3)，所述可控硅控制电路(1)由单火线上取电，其控制端与主控制电路(3)相接，其特征在于：所述采样电路(4)包括单火线取电专用模块(U2)和低功耗稳压器(U3)构成，其中，单火线取电专用模块(U2)是型号为UTP1000的超微功耗宽电压开关电源芯片，低功耗稳压器(U3)型号为H7533，专用模块的输入端通过第一二极管(D1)与稳压器(U3)的输入端相接，专用模块的输出端通过第三二极管(D3)和第五二极管(D5)与单火线相接；稳压器(U3)的输出端通过第二电感(L2)与主控制电路(3)的工作电源相接。
2.根据权利要求1所述的带负载检测的取电电路，其特征在于：所述开关电源电路(2)由电压比较电路(21)和开关电路(22)构成，其中，电压比较电路(21)的输出端与开关电路(22)的输入端相接，开关电路(22)的输出端通过可控硅控制电路(1)与单火线的出线相接。
3.根据权利要求2所述的带负载检测的取电电路，其特征在于：所述电压比较电路(21)主要由双运放大器(U4)、第十四电阻(R14)、第十五电阻(R15)、第十五电容(C15)、第十一二极管(D11)、第一稳压二极管(ZD1)、第十四电容(C14)和第十七电阻(R17)构成，双运放大器(U4)的反相输入端通过与第十五电容(C15)的正端、第十四电阻(R14)和第十一二极管(D11)的负极相接，并通过第十四电阻(R14)与单火线的入线相接，双运放大器(U4)的同相输入端通过第十五电阻(R15)与第一稳压二极管(ZD1)、第十四电容(C14) 的正极和第十七电阻(R17)相连，并通过第十七电阻(R17)接往正12V电源端，双运放大器(U4)的输出端与开关电路(22)中的第十九电阻(R19)和第十八电阻(R18)相接；所述开关电路(22)由第二晶体管(Q2)、第三晶体管(Q3)和功率开关管(Q4)构成，第二晶体管(Q2)与第三晶体管(Q3)的基极共接并通过第十九电阻(R19)与第十八电容(C18)的并联与双运放大器(U4)的输出端和第十八电阻(R18)相接，第二晶体管(Q2)与第三晶体管(Q3)的发射极共接并接于功率开关管(Q4)的控制极，第三晶体管(Q3)的发射极接于正12V电源，第二晶体管(Q2)的发射极与功率开关管(Q4)的漏极共接于单火线的入线，功率开关管(Q4)的源极通过可控硅控制电路(1)接于单火线的出线上。
4.根据权利要求3所述的带负载检测的取电电路，其特征在于：所述可控硅控制电路(1)由双向可控硅(Q5)和光电耦合器(U5)构成，光电耦合器(U5)的输入端与主控制电路(3)相接，双向可控硅(Q5)的阳极和阴极分别与功率开关管(Q4)的源极和单火线的出线相接，其控制端通过光电耦合器(U5)、限流电阻(R20)与其阳极相接。
5.根据权利要求2—4中任一项所述的带负载检测的取电电路，其特征在于：所述主控制电路(3)主要由型号为ATM88V的万能计算芯片(U1)构成。
6.根据权利要求4所述的带负载检测的取电电路，其特征在于：所述双运放大器(U4)型号为LM358；所述功率开关管(Q4)的型号为IRLR7843；所述双向可控硅(Q5)型号为BTA16/600B；所述光电耦合器(U5)型号为MOC3023。
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