CN203734619U - 一种高稳定性介质振荡源 - Google Patents
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Abstract
一种高稳定性介质振荡源,包括温补电路模块、调谐电路模块和介质谐振器;温补电路模块输出端连接调谐电路模块输入端,调谐电路模块输出端连接反射型介质谐振器输入端;温补电路模块包括温度传感器和可调电压放大器;调谐电路模块包括变容二极管;温补电路模块可以准确提供变容二极管的准确调谐电压,使介质谐振器频率稳定,提高了振荡源整体的温度稳定性。通过高Q值的介质谐振器,降低相位噪音,通过温补电路模块提供准确的协调电压,能够更好的满足现代军事环境对通信系统的要求。且该振荡源成本较低、体积较小、结构简单,便于生产使用。
Description
技术领域
本发明涉及一种介质振荡源,具体涉及一种高稳定性介质振荡源。
背景技术
随着现代军事通信和无线通信技术的发展,频率源在雷达、移动通信、电子测量仪器和电子侦查及对抗等领域起着越来越重要的作用。频率源是很多电子系统的心脏,它直接决定了电子系统的各方面指标。现有技术中,频率源的稳定度不高,相位噪声大,直接影响设备的使用。
提高稳定度、降低相位噪声、降低功耗越来越成为频率源研究的热点,并且由于现代军事环境越来越复杂,应用中对通信系统的温度稳定度要求越来越高,因此提高介质振荡器的温度稳定度具有很重要的意义。如何改进现有技术中频率源的温度稳定性,成为了研究的重要方向。
实用新型内容
本实用新型目的:为了改进现有技术中,频率源的温度稳定性不高,相位噪声大的问题,提出一种高稳定性介质振荡源。
本实用新型技术方案是:一种高稳定性介质振荡源,其特征在于,包括温补电路模块、调谐电路模块和介质谐振器;温补电路模块输出端连接调谐电路模块输入端,调谐电路模块输出端连接反射型介质谐振器输入端;温补电路模块包括温度传感器和可调电压放大器;调谐电路模块包括变容二极管;温补电路模块可以准确提供变容二极管的准确调谐电压,使介质谐振器频率稳定,提高了振荡源整体的温度稳定性。
介质谐振器为高Q值的介质谐振器,Q值为2000~3500,温度系数为-3~+9ppm/℃,该介质谐振器为圆柱体。选用高Q值的介质谐振器可以降低相位噪音。采用双变容二极管环形调谐结构:将两个变容二极管通过环形微带线连接于介质谐振器。
本实用新型有益效果:
通过高Q值的介质谐振器,降低相位噪音,通过温补电路模块提供准确的协调电压,提高了介质谐振器的温度稳定性,能够更好的满足现代军事环境对通信系统的要求。且该振荡源成本较低、体积较小、结构简单,便于生产使用。
附图说明
图1为结构框图
图2为介质谐振器和微带线耦合仿真模型图
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做更进一步的解释。
根据下述实施例,可以更好的理解本实用新型。然而,本领域的技术人员容易理解,实施例所描述的具体的物料配比、工艺条件及其结果仅用于说明本实用新型,而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本实用新型。
如图1所示,一种高稳定性介质振荡源,包括温补电路模块1、调谐电路模块2和反射型介质谐振器3(DRO);所述温补电路模块1输出端连接调谐电路模块2输入端,调谐电路模块2输出端连接反射型介质谐振器3输入端;温补电路模块1包括温度传感器和可调电压放大器;调谐电路模块2包括变容二极管,变容二极管的结电容(C1)是用于现有频率调谐电路中的电容元件。温度传感器和可调电压放大器的输出接变容二极管的反向偏压电路。
本实施例中选用的介质谐振器为高Q值的介质谐振器,采用圆柱体结构,介电常数为36,Q值为2000~3500,温度系数为-3~+9ppm/℃,采用HFSS软件建模仿真如图2所示,介质谐振器31下方设有垫片32,在模型中调整介质谐振器垫片32的厚度可以调节谐振频率,在调节的过程中发现,当垫片32高度越来越高,介质谐振器的谐振频率会越来越低。因此在实物调试过程中可以通过降低或者增加垫片的厚度来调节介质谐振器的频率。最终放在调节结果使谐振频率达到8GHz的频率点上。
采用双变容二极管(C1、C2)环形调谐方式。将两个变容二极管通过环形微带线连接置于谐振器的顶部,通过调节其上的电压来对介质谐振器的输出频率进行微调。双变容管调谐的方式可以尽量避免相位噪声的恶化,使介质谐振器保持优秀的低相位噪声特性。而且双变容管调谐可以增加调谐的宽度。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种高稳定性介质振荡源,其特征在于,包括温补电路模块(1)、调谐电路模块(2)和介质谐振器(3);所述温补电路模块(1)输出端连接调谐电路模块(2)输入端,调谐电路模块(2)输出端连接反射型介质谐振器(3)输入端;
温补电路模块(1)包括温度传感器和可调电压放大器;
调谐电路模块(2)包括变容二极管。
2.如权利要求1所述的高稳定性介质振荡源,其特征在于:所述介质谐振器为高Q值的介质谐振器,所述介质谐振器的Q值为2000~3500。
3.如权利要求1所述的高稳定性介质振荡源,其特征在于:所述介质谐振器为圆柱体。
4.如权利要求1所述的高稳定性介质振荡源,其特征在于:所述介质谐振器的温度系数为-3~+9ppm/℃。
5.如权利要求1所述的高稳定性介质振荡源,其特征在于:采用双变容二极管C1、C2环形调谐结构:将两个变容二极管通过环形微带线连接于介质谐振器。
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