CN203719783U - 智能电容器的测温电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种智能电容器的测温电路,包括温度传感器和放大电路,所述放大电路包括晶体管、若干个电阻和若干个电容,所述晶体管基极与电容电连接,该电容与温度传感器电连接,所述晶体管发射极串联电阻后接地,所述晶体管集电极与控制电路电连接。本实用新型的智能电容器的测温电路,通过放大电路将温度传感器所发出的信号进行放大,温度信号就不容易受到干扰而产生变化。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种智能电容器,更具体的说是涉及一种智能电容器的测温电路。
背景技术
智能电容器集成了现代测控,电力电子,网络通讯,自动化控制,电力电容器等先进技术。改变了传统无功补偿装置落后的控制器技术和落后的机械式接触器或机电一体化开关作为投切电容器的投切技术,改变了传统无功补偿装置体积庞大和笨重的结构模式,从而使新一代低压无功补偿设备具有补偿效果更好,体积更小,功耗更低,价格更廉,节约成本更多,使用更加灵活,维护更加方便,使用寿命更长,可靠性更高的特点,适应了现代电网对无功补偿的更高要求,所以智能电容器在工业生产中的应用十分广泛。
由于电容器在使用的过程中假如长时间投入到电网的时候,很容易使得电容升温,导致温度过高烧毁电容,所以在智能电容器中都需要设置一个温度检测电路,但是目前所设置的检测电路都只是将温度传感器埋入到电容器中,然后将传感器的输出端直接与控制电路连接,这样很容易因为电干扰使得输入到控制电路的温度信号不够准确,控制电路就容易出现误操作的情况。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种输入到控制电路温度信号准确的智能电容器的测温电路。
为实现上述目的,本实用新型提供了如下技术方案:一种智能电容器的测温电路,包括温度传感器和放大电路,所述放大电路包括晶体管、若干个电阻和若干个电容,所述晶体管基极与电容电连接,该电容与温度传感器电连接,所述晶体管发射极串联电阻后接地,所述晶体管集电极与控制电路电连接。
通过采用上述技术方案,当将智能电容器接入到电网中时,放大电路和温度传感器都通电工作,这时温度传感器就实时检测电容的温度,并且将检测到的温度信号送入到放大电路之中,放大电路包括晶体管、若干个电阻和若干个电容,晶体管基极与电容电连接,该电容与温度传感器电连接,晶体管发射极串联电阻后接地,所述晶体管集电极与控制电路电连接,这样晶体管与电阻和电容就组成一个共射放大电路,就可以有效的将温度传感器上所接收到的温度信号进行放大,放大以后再送入到控制电路,这样温度信号就不容易因为干扰而产生变化,确保了温度信号传输的准确性。
本实用新型进一步设置为:所述温度传感器为DS18B20温度芯片,所述温度传感器上包括电源引脚、输出引脚和接地引脚,所述输出引脚与晶体管基极电连接。
通过采用上述技术方案,DS18B20芯片具有体积小,硬件开消低,抗干扰能力强,精度高的特点,用在这里可以很好的达到一个检测温度的效果,电源引脚和接地引脚可以提供芯片工作所需要的条件,可以使得芯片能够更好的工作。
本实用新型进一步设置为:所述晶体管为9013三极管。
通过采用上述技术方案,9013三极管是目前用的比较多的NPN放大管,用在这里可以达到一个很好的放大作用,而且9013三极管的价格便宜,成本低廉,可以有效的降低整个测温电路的制作成本。
本实用新型进一步设置为:所述晶体管集电极串联有电容,所述电容与控制电路电连接。
通过采用上述技术方案,串联一个电容,可以对放大以后的温度信号进行一个滤波作用,滤去其他不需要的信号,使得控制电路所能接收到的温度信号更加准确。
附图说明
图1为本实用新型的智能电容器的测温电路的电路图。
图中:1、温度传感器;2、放大电路;3、控制电路;Q、晶体管;R、电阻;C、电容;VCC、电源引脚;OUT、输出引脚;GND、接地引脚。
具体实施方式
参照图1所示,本实施例的一种智能电容C器的测温电路,包括温度传感器1和放大电路2,所述放大电路2包括晶体管Q、若干个电阻R和若干个电容C,所述晶体管Q基极与电容C电连接,该电容C与温度传感器1电连接,所述晶体管Q发射极串联电阻R后接地,所述晶体管Q集电极与控制电路3电连接。
通过采用上述技术方案,当将智能电容C器接入到电网中时,放大电路2和温度传感器1都通电工作,这时温度传感器1就实时检测电容C的温度,并且将检测到的温度信号送入到放大电路2之中,由于放大电路2包括晶体管Q、若干个电阻R和若干个电容C,晶体管Q基极与电容C电连接,该电容C与温度传感器1电连接,晶体管Q发射极串联电阻R后接地,晶体管Q集电极与控制电路3电连接,这样晶体管Q与电阻R和电容C就组成一个共射放大电路2,就可以有效的将温度传感器1上所接收到的温度信号进行放大,放大以后再送入到控制电路3,这样温度信号就不容易因为干扰而产生变化,确保了温度信号传输的准确性。
所述温度传感器1为DS18B20温度芯片,所述温度传感器1上包括电源引脚VCC、输出引脚OUT和接地引脚GND,所述输出引脚OUT与晶体管Q基极电连接。
通过采用上述技术方案,DS18B20芯片具有体积小,硬件开消低,抗干扰能力强,精度高的特点,用在这里可以很好的达到一个检测温度的效果,电源引脚VCC和接地引脚GND可以提供芯片工作所需要的条件,可以使得芯片能够更好的工作。
所述晶体管Q为9013三极管。
通过采用上述技术方案,9013三极管是目前用的比较多的NPN放大管,用在这里可以达到一个很好的放大作用,而且9013三极管的价格便宜,成本低廉,可以有效的降低整个测温电路的制作成本。
所述晶体管Q集电极串联有电容C,所述电容C与控制电路3电连接。
通过采用上述技术方案,串联一个电容C,可以对放大以后的温度信号进行一个滤波作用,滤去其他不需要的信号,使得控制电路3所能接收到的温度信号更加准确。
本实用新型具有以下优点:通过放大电路2将温度传感器1所发出的信号进行放大,温度信号就不容易受到干扰而产生变化;当将智能电容C器接入到电网中时,放大电路2和温度传感器1都通电工作,这时温度传感器1就实时检测电容C的温度,并且将检测到的温度信号送入到放大电路2之中,由于放大电路2包括晶体管Q、若干个电阻R和若干个电容C,晶体管Q基极与电容C电连接,该电容C与温度传感器1电连接,晶体管Q发射极串联电阻R后接地,晶体管Q集电极与控制电路3电连接,这样晶体管Q与电阻R和电容C就组成一个共射放大电路2,就可以有效的将温度传感器1上所接收到的温度信号进行放大,放大以后再送入到控制电路3,这样温度信号就不容易因为干扰而产生变化,确保了温度信号传输的准确性。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例,凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种智能电容器的测温电路,包括温度传感器和放大电路,其特征在于:所述放大电路包括晶体管、若干个电阻和若干个电容,所述晶体管基极与电容电连接,该电容与温度传感器电连接,所述晶体管发射极串联电阻后接地,所述晶体管集电极与控制电路电连接。
2.根据权利要求1所述的智能电容器的测温电路,其特征在于:所述温度传感器为DS18B20温度芯片,所述温度传感器上包括电源引脚、输出引脚和接地引脚,所述输出引脚与晶体管基极电连接。
3.根据权利要求2所述的智能电容器的测温电路,其特征在于:所述晶体管为9013三极管。
4.根据权利要求3所述的智能电容器的测温电路,其特征在于:所述晶体管集电极串联有电容,所述电容与控制电路电连接。
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CN201420007729.7U CN203719783U (zh) | 2014-01-04 | 2014-01-04 | 智能电容器的测温电路 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11747216B1 (en) * | 2011-09-09 | 2023-09-05 | Sitime Corporation | Capacitor-referenced temperature sensing |
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2014
- 2014-01-04 CN CN201420007729.7U patent/CN203719783U/zh not_active Expired - Fee Related
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