CN203675723U - 一种铁皮石斛与金线莲的立体种植装置 - Google Patents

一种铁皮石斛与金线莲的立体种植装置 Download PDF

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曹汉才
梁钾贤
王志豪
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Abstract

本实用新型公开了一种铁皮石斛与金线莲的立体种植装置,包括支撑架、上层波形培育板和下层托架,上层波形培育板和下层托架分别安装在支撑架的上部和下部,在波形培育板上开设有漏水孔,下层托架上均布放置有方形培育容器,在波形培育板底下还设有一层控制上层波形培育板下渗水分流向的塑料薄膜。本实用新型由于设置了上层波形培育板和方形培育容器,可分别种植铁皮石斛和金线莲,合理利用了温室大棚内的空间,温室大棚内的资源设备可共享,降低生产成本,提高效益;通过方形培育容器培育金线莲,还可以方便搬运移动。

Description

一种铁皮石斛与金线莲的立体种植装置
技术领域
本实用新型涉及中药种植技术领域,尤其是一种铁皮石斛与金线莲的立体种植装置。
背景技术
近年来,珍稀名贵中药材在国内外的影响越来越大,导致国内外市场对珍稀名贵中药材的需求量大增,野生的珍稀名贵中药材资源剧减,珍稀名贵中药材资源日益枯竭与市场需求的矛盾日益加剧。铁皮石斛和金线莲是我国传统的珍稀名贵中药材,其药用和保健功能已得到人们的高度认同与喜爱,目前,野生的铁皮石斛和金线莲资源已非常稀少,仅是依靠野生资源已远不能满足市场需求,因此,必须加大人工种植解决市场需求,不但可以满足人们对铁皮石斛的需求,而且可以因减少对野生资源的依赖而起到保护野生资源的目的。
其中,铁皮石斛适宜在凉爽、湿润、空气畅通的环境生长,喜温暖湿润气候和半阴半阳的环境,不耐寒。其生物特性要求栽培基质既有良好的保水性又有通风透气性。而金线莲性喜阴凉、潮湿,尤其喜欢生长在土质松散的潮湿地带,要求温度20℃~32℃,最忌阳光直射。如此,根据它们各自的习性,在人工种植过程中,铁皮石斛和金线莲均是在温室大棚内单独培育,对大棚进行控温、控湿、控光等操作,占地空间大。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述已有技术的不足,提供一种结构简单、合理利用空间的铁皮石斛与金线莲的立体种植装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种铁皮石斛与金线莲的立体种植装置,其特征在于:包括支撑架、上层波形培育板和下层托架,上层波形培育板和下层托架分别安装在支撑架的上部和下部,在波形培育板上开设有漏水孔,下层托架上均布放置有方形培育容器,在波形培育板底下还设有一层控制上层波形培育板下渗水分流向的塑料薄膜。
进一步地,所述方形培育容器为培育篮。
进一步地,所述上层波形培育板由塑料材料一体成型。或者,上层波形培育板由波形瓦片拼接粘合而成。
所述支撑架为砖混结构支架或钢结构支架。 
本实用新型的有益效果:由于设置了上层波形培育板和方形培育容器(培育篮),可分别种植铁皮石斛和金线莲,合理利用了温室大棚内的空间,温室大棚内的资源设备可共享,降低生产成本,提高效益。通过方形培育容器(培育篮)培育金线莲,还可以方便搬运移动。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步的详细说明。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型一种铁皮石斛与金线莲的立体种植装置,包括支撑架1、上层波形培育板2和下层托架3。上层波形培育板2和下层托架3分别安装在支撑架1的上部和下部,在波形培育板2上开设有漏水孔21,波形培育板底下增加一层塑料薄膜,以控制上层波形培育板下渗水分的流向。下层托架上均布放置有方形培育容器4,方形培育容器4为培育篮。其中,培育篮的具体数量可根据实际需要设置,使用时,在培育篮里装上培育土,直接放置在托架上即可。其中,支撑架1为砖混结构支架或钢结构支架,能够实现稳固的支撑作用。
本实施例中,上述上层波形培育板2由塑料材料一体成型。也可以由波形瓦片拼接粘合而成。由于设置成波形状,并开设有漏水孔,使用时,先铺上大颗粒的培养基质,在填上小颗粒的基质,如此既能透气、保湿,又能保肥排水,适合铁皮石斛的生长。
最后应当说明的是,以上内容仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对本实用新型保护范围的限制,本领域的普通技术人员对本实用新型的技术方案进行的简单修改或者等同替换,均不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。

Claims (5)

1.一种铁皮石斛与金线莲的立体种植装置,其特征在于:包括支撑架、上层波形培育板和下层托架,上层波形培育板和下层托架分别安装在支撑架的上部和下部,在波形培育板上开设有漏水孔,下层托架上均布放置有方形培育容器,在波形培育板底下还设有一层控制上层波形培育板下渗水分流向的塑料薄膜。
2.根据权利要求1所述的铁皮石斛与金线莲的立体种植装置,其特征在于:所述方形培育容器为培育篮。
3.根据权利要求1所述的铁皮石斛与金线莲的立体种植装置,其特征在于:所述上层波形培育板由塑料材料一体成型。
4.根据权利要求1所述的铁皮石斛与金线莲的立体种植装置,其特征在于:所述上层波形培育板由波形瓦片拼接粘合而成。
5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的铁皮石斛与金线莲的立体种植装置,其特征在于:所述支撑架为砖混结构支架或钢结构支架。
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