CN203631526U - 晶圆劈裂装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种晶圆劈裂装置,用于劈裂晶圆,在晶圆上形成有至少一激光预割线,包括单边劈刀、单边受台和单边夹制组件,单边受台具有支撑面,其具有断裂边缘,单边夹制组件具有夹制边缘,晶圆被送入并放置于支撑面上,且让至少一激光预割线依次对准断裂边缘与夹制边缘,单边夹制组件相对于单边受台移动以夹制晶圆,单边劈刀设置于正对着断裂边缘,且单边劈刀具有线性移动自由度,以在晶圆被单边受台与单边夹制组件夹制固定时,沿对准的激光预割线劈裂晶圆,据此通过单边受台与单边夹制组件上下夹制晶圆沿着激光预割线进行劈裂,单边劈刀劈裂晶圆时,产生弯折效果的劈裂方式,因此可适用于厚度较厚的晶圆且断裂线不会乱裂,从而满足使用上的需求。
Description
技术领域
本公开涉及晶圆切割,尤其是涉及一种晶圆劈裂装置。
背景技术
请参阅图1与图2所示,晶圆劈裂机用于将晶圆1劈裂为一粒粒的晶片,以进行后续的封装操作,晶圆1在进行劈裂之前,会先用激光劈裂出横向与纵向的激光劈裂线2,晶圆1上的激光劈裂线2并未断裂,仍有相当厚的厚度相连,接着将晶圆1的上下各包覆一保护膜3后,通过一固定夹具4将其送入一晶圆劈裂机进行劈裂操作。
晶圆劈裂机包括一工作台5、一劈刀6、两个劈裂台7与一图像采集系统8,该工作台5夹置该固定夹具4,并可作平面方向的移动与转动,该劈刀6为固定于晶圆劈裂机上,且受一击锤的敲击而产生冲击力,该劈刀6与该两个劈裂台7分别设置于该晶圆1的上下两侧,并上下分别挤压该晶圆1,以通过该击锤敲击该劈刀6产生的冲击力来进行劈裂操作,该图像采集系统8则用于获取该晶圆1的图像。
据此该晶圆1可通过该劈刀6的冲击力与该工作台5的定量位移对多个激光劈裂线2连续进行劈裂,而该图像采集系统8则在连续劈裂过程中监控该晶圆1的定位是否偏移,以视偏移的程度重新进行定位,而当横向与纵向的激光劈裂线2均被劈裂之后即完成劈裂操作。
然而,请参阅图3所示的这种现在所使用的劈裂方式,当该晶圆1的厚度到达一定程度时,为了劈断晶圆1,必须增加该击锤敲击该劈刀6产生的冲击力,然而,如此一来,晶圆1被劈刀6劈裂后的断裂线9会有乱裂的问题,亦即该断裂线9会歪斜,造成晶圆1的损伤,而降低了工艺合格率。为了避免断裂线9乱裂,亦可增加激光劈裂线2的预切深度,然而在晶圆1上增加激光劈裂线2的预切深度,加上使用高功率的激光,这会改变晶圆1的半导体特性,亦即利用此方式所制成的发光二极管,其半导体结构无法发挥原本的特性,会有降低发光效率的问题。
实用新型内容
因此,本公开的主要目的在于披露一种劈裂装置,可适用于厚度较厚的晶圆,解决了断裂线乱裂的问题,以满足制造上的需求。
经由以上可知,为了达到上述目地,本公开为一种晶圆劈裂装置,用于劈裂一晶圆,在该晶圆上形成有至少一激光预割线,其包括一单边受台、一单边夹制组件与一单边劈刀,其中该单边受台具有一支撑面,该支撑面具有一断裂边缘,该晶圆的至少一激光预割线朝上且该晶圆被送入并放置于该支撑面上,且让该至少一激光预割线依次对准该断裂边缘;并且该单边夹制组件具有一夹制边缘,该夹制边缘依次对准该至少一激光预割线,该单边夹制组件可相对于该单边受台上下移动,以夹制该晶圆;而该单边劈刀被设置于正对着该断裂边缘,且该单边劈刀具有一线性移动自由度,以在该晶圆被该单边受台与该单边夹制组件夹制固定时,沿对准的该激光预割线劈裂该晶圆。
据此,该单边受台与该单边夹制组件上下夹制该晶圆,因此该单边劈刀劈裂该晶圆时,可以产生弯折效果,可确定能够劈断厚度较厚的晶圆,且由于该断裂边缘与该夹制边缘是对准的并且紧邻该激光预割线,因此该晶圆被劈断时,断裂线不会乱裂,可以确定能够沿着该激光预割线的延伸线断裂,故可满足使用上的需求。
附图说明
图1为现有晶圆劈裂装置的局部结构示意图。
图2为现有待劈裂晶圆的结构示意图。
图3为现有晶圆断裂线示意图。
图4为本公开的晶圆劈裂装置图。
图5为本公开的劈裂示意图。
图6为本公开的晶圆断裂线示意图。
具体实施方式
为使贵委员对本公开的特征、目的及功效有着更加深入的了解与认同,现列举优选实施例并配合图式说明如下:
请参阅图4所示,图4为本公开的优选实施例,本公开为一种晶圆劈裂装置,用于劈裂一晶圆10,在该晶圆10上形成有至少一激光预割线101(仅绘制一条),其包括一单边受台20、一单边夹制组件30与一单边劈刀40,该单边受台20具有一支撑面21,该支撑面21具有一断裂边缘211,且该单边受台20连接于该断裂边缘211的侧边,可以内缩形成一取像空间50,为供一图像采集系统(图中未示出)取像,该晶圆10的至少一激光预割线101朝上且该晶圆10被送入并放置于该支撑面21上,且让该至少一激光预割线101依次对准该断裂边缘211,且该晶圆10可固定于一固定夹具(图中未示出)上,该固定夹具可乘载该晶圆10移动。
该单边夹制组件30可相对于该单边受台20上下移动,以夹制该晶圆10,且该单边夹制组件30具有一夹制边缘301,该夹制边缘301依次对准该至少一激光预割线101。
该单边劈刀40被设置于正对着该断裂边缘211,且该单边劈刀40具有一线性移动自由度,以在该晶圆10被该单边受台20与该单边夹制组件30夹制固定时,沿对准的该激光预割线101劈裂该晶圆10。
请参阅图5与图6所示,本公开为了让该单边受台20与该单边夹制组件30上下夹制该晶圆10,再让该单边劈刀40对准该激光预割线101进行劈裂,因此该单边劈刀40劈裂该晶圆10时,可以产生弯折效果,可确定能够劈断厚度较厚的晶圆10,且由于该断裂边缘211与该夹制边缘301对准并且紧邻该激光预割线101,因此该晶圆10被劈断时,断裂线80不会乱裂,可以确实沿着该激光预割线101的延伸线断裂。
如上所述,本公开通过该单边受台与该单边夹制组件上下夹制该晶圆并沿着该激光预割线进行劈裂,让该单边劈刀劈裂该晶圆时产生弯折效果的劈裂,并且夹制并保护未劈裂的晶片,故可适用于厚度较厚的晶圆,且其晶圆的断裂线会由该激光预割线平整的断裂至该断裂边缘,而不会有乱裂的问题,故可满足使用上的需求。
Claims (2)
1.一种晶圆劈裂装置,用于劈裂一晶圆,所述晶圆上形成有至少一激光预割线,其特征在于包括:
一单边受台,所述单边受台具有一支撑面,所述支撑面具有一断裂边缘,所述晶圆的所述至少一激光预割线朝上且所述晶圆被送入并放置在所述支撑面上,且让所述至少一激光预割线依次对准所述断裂边缘;
一单边夹制组件,所述单边夹制组件相对于所述单边受台上下移动以夹制该晶圆,且所述单边夹制组件具有一夹制边缘,所述夹制边缘依次对准所述至少一激光预割线;以及
一单边劈刀,所述单边劈刀被设置于正对着所述断裂边缘,且所述单边劈刀具有一线性移动自由度,以在所述晶圆被所述单边受台与所述单边夹制组件夹制固定时,沿对准的所述激光预割线劈裂所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆劈裂装置,其特征在于,所述单边受台连接于所述断裂边缘的侧边,内缩形成一取像空间。
Priority Applications (1)
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ID=50817977
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11835492B2 (en) | 2020-08-14 | 2023-12-05 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Method for preparing sample for wafer level failure analysis |
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2013
- 2013-12-19 CN CN201320842698.2U patent/CN203631526U/zh not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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