CN203491977U - 一种c/s双波段功放 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种C/S双波段功放,包括壳体,所述壳体侧面设有输入端口和输出端口,所述壳体上设有拨杆,所述壳体内部设有腔体,所述腔体内设有前级放大电路板、激励放大器电路板和末级功率放大电路板,所述拨杆通过开关控制电路板与前级放大电路板连接,所述壳体为GaN材质,所述拨杆包括C拨杆、S拨杆和电源拨杆,所述腔体包括C腔体和S腔体,所述输入端口与末级功率放大电路板之间设有环形导波电路板,所述C腔体与S腔体之间设有膜片式耦合结构,新型的C/S双波段GaN功放,具有超宽带、高效率、小体积、大功率、耐温高等特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子通信领域,具体涉及一种C/S双波段功放。
背景技术
随着社会生产的发展,电工电子的快速发展,大量的电子科技产品被生产、使用,随着电子行业的广泛发展,C/S双波段功放的生产和应用是不可忽视的,申请号为CN201120412812.9公开了一种S波段倍频程宽带功率放大器装置,它涉及通信领域中信道部分的功率放大器装置,它由射频放大电路、外围电路等部件共同组成,本实用新型采用了功率平衡分路、功率平衡合成技术,完成了功率分路与合成,具有射频开关功能,提供功率正向输出电平取样放大及反射功率保护功能,该功率放大器装置采用全固态化设计,提高了功放的寿命,减少维修的时间,特别适合用于S波段的通信系统中的功率放大器,但是该功放不具有频段切换功能,不能实现C频段和S频段的相互切换,频带宽带窄、效率低、体积大、功率小,并且耐温性能差等缺点。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种C/S双波段功放,以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。
本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:一种C/S双波段功放,包括壳体,所述壳体侧面设有输入端口和输出端口,所述壳体上设有拨杆,所述壳体内部设有腔体,所述腔体内设有前级放大电路板、激励放大器电路板和末级功率放大电路板,所述拨杆通过开关控制电路板与前级放大电路板连接,所述壳体为GaN材质,所述拨杆包括C拨杆、S拨杆和电源拨杆,所述腔体包括C腔体和S腔体,所述输入端口与末级功率放大电路板之间设有环形导波电路板,所述开关控制电路板与环形导波电路板之间设有膜片式耦合结构。
优选的,所述壳体上表面设有屏蔽层。
优选的,所述屏蔽层厚度为2—3mm。
优选的,所述C腔体内设有C射频功率放大器。
优选的,所述S腔体内设有S射频功率放大器。
优选的,所述输出端口为微带线与并联电容的结构。
本实用新型的优点在于:GaN材质耐温性能好,提高了功放的耐高温特性,设置的环形导波电路可将小功率信号回流,重新放大,提高了功放的宽带和效率,同时增大了功放的功率,膜片式耦合结构的应用减小了功放的体积,达到了功放小体积便于使用的效果,屏蔽层的设置使功放不受外来的信号干扰,提高了工作效率,屏蔽层厚度为2—3mm,该厚度范围内能有更好屏蔽效果,C腔体和S腔体内分别设有C射频功率放大器和S射频功率放大器,可以获得足够大的射频输出功率,并保证波段在4到8GHz以及波段在2到4GHz,输出端口为微带线与并联电容的结构,该结构不仅减小了放大器的尺寸,还增加了功放带宽。
附图说明
图1是本实用新型所述的一种C/S双波段功放的结构示意图。
图2是本实用新型所述的一种C/S双波段功放的内部电路板图。
图3是本实用新型所述的一种C/S双波段功放的后视图。
其中:1—壳体,2—输入端口,3—输出端口,4—拨杆,5—腔体,6—前级放大电路板,7—激励放大电路板,8—末级功率放大电路板,9—开关控制电路板,10—C拨杆,11—S拨杆,12—电源拨杆,13—C腔体,14—S腔体,15—环形导波电路板,16—膜片式耦合结构,17—屏蔽层,18—凹槽,19—C射频功率放大器,20—S射频功率放大器。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
如图1和图3所示,本实用新型所述的一种C/S双波段功放,一种C/S双波段功放,包括壳体1,所述壳体1侧面设有输入端口2和输出端口3,所述壳体1上设有拨杆4,所述壳体1内部设有腔体5,所述腔体5内设有前级放大电路板6、激励放大器电路板7和末级功率放大电路板8,所述拨杆4通过开关控制电路板9与前级放大电路板6连接,所述壳体1为GaN材质,所述拨杆4包括C拨杆10、S拨杆11和电源拨杆12,又如图2所示,所述腔体5包括C腔体13和S腔体14,所述输入端口2与末级功率放大电路板8之间设有环形导波电路板15,所述开关控制电路板9与环形导波电路板15之间设有膜片式耦合结构16,GaN材质耐温性能好,提高了功放的耐高温特性,设置的环形导波电路可将小功率信号回流,重新放大,提高了功放的宽带和效率,同时增大了功放的功率,膜片式耦合结构的应用减小了功放的体积,达到了功放小体积便于使用的效果。
值得注意的是,所述壳体1上表面设有屏蔽层17,屏蔽层的设置使功放不受外来的信号干扰,提高了工作效率,所述屏蔽层厚度为2—3mm,该厚度范围内能有更好屏蔽效果。C腔体13和S腔体14内分别设有C射频功率放大器19和S射频功率放大器20,可以获得足够大的射频输出功率,并保证波段在4到8GHz以及波段在2到4GHz,输出端口3为微带线与并联电容的结构,该结构不仅减小了放大器的尺寸,还增加了功放带宽。
此外,所述壳体1在保证容纳个电路的同时,要尽可能地选用小尺寸,所述电路板应经常检查,以保证功放长时间正常运行。
基于上述,GaN材质耐温性能好,提高了功放的耐高温特性,设置的环形导波电路可将小功率信号回流,重新放大,提高了功放的宽带和效率,同时增大了功放的功率,膜片式耦合结构的应用减小了功放的体积,达到了功放小体积便于使用的效果,屏蔽层的设置使功放不受外来的信号干扰,提高了工作效率,屏蔽层厚度为2—3mm,该厚度范围内能有更好屏蔽效果,C腔体和S腔体内分别设有C射频功率放大器和S射频功率放大器,可以获得足够大的射频输出功率,并保证波段在4到8GHz以及波段在2到4GHz,输出端口为微带线与并联电容的结构,该结构不仅减小了放大器的尺寸,还增加了功放带宽。
以上显示和描述了发明的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中的描述只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都在要求保护的本实用新型范围内,本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种C/S双波段功放,包括壳体,所述壳体侧面设有输入端口和输出端口,所述壳体上设有拨杆,所述壳体内部设有腔体,所述腔体内设有前级放大电路板、激励放大器电路板和末级功率放大电路板,所述拨杆通过开关控制电路板与前级放大电路板连接,其特征在于:所述壳体为GaN材质,所述拨杆包括C拨杆、S拨杆和电源拨杆,所述腔体包括C腔体和S腔体,所述输入端口与末级功率放大电路板之间设有环形导波电路板,所述开关控制电路板与环形导波电路板之间设有膜片式耦合结构。
2.根据权利要求1所述的一种C/S双波段功放,其特征在于:所述壳体上表面设有屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的一种C/S双波段功放,其特征在于:所述屏蔽层厚度为2—3mm。
4.根据权利要求1所述的一种C/S双波段功放,其特征在于:所述C腔体内设有C射频功率放大器。
5.根据权利要求1所述的一种C/S双波段功放,其特征在于:所述S腔体内设有S射频功率放大器。
6.根据权利要求1所述的一种C/S双波段功放,其特征在于:所述输出端口为微带线与并联电容的结构。
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CN104022743A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-09-03 | 桐城运城制版有限公司 | 一种多波段变频功放 |
CN106330113A (zh) * | 2016-08-12 | 2017-01-11 | 中国电子科技集团公司第三十六研究所 | 一种功率放大器 |
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