CN203484760U - 接插件的同轴线凹槽加工电极 - Google Patents

接插件的同轴线凹槽加工电极 Download PDF

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CN203484760U CN201320556101.8U CN201320556101U CN203484760U CN 203484760 U CN203484760 U CN 203484760U CN 201320556101 U CN201320556101 U CN 201320556101U CN 203484760 U CN203484760 U CN 203484760U
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李锡良
叶茂
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Suzhou Sinnotech Technology Co ltd
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SUZHOU SINNOTECH ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本实用新型提供一种接插件上的同轴线凹槽加工电极,其主要用于在一接插件外周面上加工成型若干同轴线凹槽。所述加工电极包括基座;所述基座设有上下贯穿以收容一接插件的收容孔、以及设置于收容孔周围并朝向收容孔方向突伸的若干放电电极,若干所述放电电极与所述收容孔同轴设置。

Description

接插件的同轴线凹槽加工电极
技术领域
本实用新型涉及接插件外周面的同轴线凹槽加工技术领域,尤其涉及一种接插件的同轴线凹槽加工电极。
背景技术
随着科技的迅速发展,各种电子设备逐渐朝向高端化及携带方便化的方向发展,电子设备的功能逐渐增多而体积却要求逐渐减小,这就使得电子设备内部各元件的体积减小,且精密度要求更高。参照图1及图2所示为一电子设备中的接插件8,该接插件8具有一柱状插头部81,该柱状插头部81的外周面上形成有若干同轴心的凹槽82;该凹槽82的内径大约为0.1mm,柱状插头部81的外径大约为1.5mm;由此可见,该柱状插头部81及其外周面上的凹槽82均比较小,其加工的精密度要求当然高,并且各凹槽82的加工结果都要求与插头部81同心,不然会影响插接件8的电性连接。而现有技术中均是对插头部81进行旋转逐个加工上述凹槽82,从而容易导致各凹槽82同心度较差,且精密度较低。
因此,有必要提供一种改进的接插件的同轴线凹槽加工电极以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可实现高精度加工的接插件的同轴线凹槽加工电极。
为实现上述实用新型目的,本实用新型提供了一种接插件上的同轴线凹槽加工电极,用于在一接插件外周面上加工成型若干同轴线凹槽,所述加工电极包括基座;所述基座设有上下贯穿以收容一接插件的收容孔、以及设置于收容孔周围并朝向收容孔方向突伸的若干放电电极,若干所述放电电极与所述收容孔同轴设置。
作为本实用新型的进一步改进,若干所述放电电极在收容孔周围均匀设置。
作为本实用新型的进一步改进,若干所述放电电极体积大小相同,且相邻两个所述放电电极之间形成有将两者间隔开的避让空间。
作为本实用新型的进一步改进,所述基座上设置有多个间隔设置的所述收容孔及与每一收容孔对应的所述放电电极。
本实用新型的有益效果是:本实用新型加工电极上通过成型若干具有与收容孔同轴线的放电电极,使得接插件外周面上的所有凹槽可同时进行加工成型,进而使得该等凹槽不仅同轴度较高,且加工精度及加工效率较高。
附图说明
图1是一种接插件的立体图;
图2是图1中接插件的俯视图;
图3是本实用新型加工电极的立体图;
图4是图3中加工电极的俯视图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
请参照图1至图4所示为本实用新型加工电极100的较佳实施方式。该加工电极100用于在一接插件8外周面上加工成型若干同轴线凹槽82,其包括基座1;所述基座1设有上下贯穿以收容所述接插件8的插头部81的收容孔2、以及设置于收容孔2周围并朝向收容孔2方向突伸的若干放电电极3。
若干所述放电电极3在收容孔2周围均匀设置,并且该等放电电极3与收容孔2同轴线设置。此外,若干所述放电电极3体积大小相同,并且相邻两个放电电极3之间形成有将两者间隔开的避让空间4。由此使得采用本实用新型加工电极100进行同轴线的若干凹槽82的加工时,可同时进行所有凹槽82的加工成型,使得该等凹槽82不仅同轴度较高,且大小相同。
在本实施方式中,所述基座1上设置有多个间隔设置的所述收容孔2及与每一收容孔2对应的若干放电电极3,从而使得本实用新型所述加工电极100可同时进行多个接插件8上的同轴线凹槽82的加工。所述基座1采用钨铜材质,从而使得该加工电极100具有一定的刚性,且放电性能好。
所述加工电极100的制造方法包括以下步骤:
首先,提供一钨铜基座1;
然后,在所述钨铜基座1上成型至少一收容孔2;在本实施方式中,所述钨铜基座1上成型有若干个间隔设置的所述收容孔2;
在收容孔2周围进行线切割形成间隔设置的且均与收容孔2同轴的若干所述放电电极3。
本实用新型加工电极100在使用时,首先将接插件8的插头部81插入所述收容孔2中;然后检测插头部81与各放电电极3之间的距离,使插头部81与收容孔2同轴放置;最后通电,使得放电电极3在插头部81表面成型出所述凹槽82。
由以上可得,本实用新型加工电极100上通过成型若干具有与收容孔2同轴线的放电电极3,使得接插件81外周面上的所有凹槽82可同时进行加工成型,进而使得该等凹槽82不仅同轴度较高,且加工精度较高及加工效率。另外,采用线切割形成的本实用新型加工电极100不仅精度高,而且加工方便。
 应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施方式中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明,它们并非用以限制本实用新型的保护范围,凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种接插件上的同轴线凹槽加工电极,用于在一接插件外周面上加工成型若干同轴线凹槽,其特征在于,所述加工电极包括基座;所述基座设有上下贯穿以收容一接插件的收容孔、以及设置于收容孔周围并朝向收容孔方向突伸的若干放电电极,若干所述放电电极与所述收容孔同轴设置。
2.根据权利要求1所述的加工电极,其特征在于:若干所述放电电极在收容孔周围均匀设置。
3.根据权利要求1所述的加工电极,其特征在于:若干所述放电电极体积大小相同,且相邻两个所述放电电极之间形成有将两者间隔开的避让空间。
4.根据权利要求1所述的加工电极,其特征在于:所述基座上设置有多个间隔设置的所述收容孔及与每一收容孔对应的所述放电电极。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104416247A (zh) * 2013-09-09 2015-03-18 苏州星诺奇传动科技有限公司 接插件的同轴线凹槽加工电极及该加工电极的制造方法

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GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
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Address after: Suzhou City, Jiangsu Province, 215000 Suzhou Road Industrial Park, No. 1 in the new industrial square E2 building

Patentee after: SUZHOU SINNOTECH TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Suzhou City, Jiangsu Province, 215000 Suzhou Road Industrial Park, No. 1 in the new industrial square E2 building

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