CN203480943U - 252kV鼓形瓷套 - Google Patents
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Abstract
本实用新型所属的技术领域涉及电器技术领域,名称是252kV鼓形瓷套,它包括中间的瓷柱、上法兰和下法兰,所述的瓷柱中间外侧有间隔设置的大伞裙和小伞裙,瓷柱中心部分是空心结构,瓷柱内部的空心部分从上到下依次是:第一小圆柱—第一圆台—大圆柱——倒圆台——第二小圆柱的中空结构,所述的大伞裙是34个和小伞裙33个,瓷套的总高度是2500mm,第一小圆柱的高度是160mm,第一圆台高度是455mm,大圆柱高度是1270mm,倒圆台高度是455mm,第二小圆柱高度是160mm,这样的瓷套具有耐受力更高、爬距大、抗弯破坏力矩大、成本较低优点,能够满足252kV的要求。
Description
技术领域
本实用新型所属的技术领域涉及电器技术领域,它广泛应用在矿山、铁路的电力输送、变电上,具体地说是涉及一种瓷套。
背景技术
瓷套包括中间的瓷柱和两端的法兰盘,现有技术中,涉及运用252kV这样高电压等级的支柱瓷套,具有结构不合理的现象,致使其在耐压程度上、爬电距离、抗弯破坏力矩上达不到要求,影响其使用性能,不能满足一些线路的要求,或者是成本高的缺点。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种耐受力更高、爬距大、抗弯破坏力矩大、成本较低的252kV鼓形瓷套。
本实用新型所采取的技术方案是:252kV鼓形瓷套,包括中间的瓷柱、上法兰和下法兰,所述的瓷柱中间外侧有间隔设置的大伞裙和小伞裙,瓷柱中心部分是空心结构,瓷柱内部的空心部分从上到下依次是:第一小圆柱——第一圆台——大圆柱——倒圆台——第二小圆柱的中空结构,其特征在于:所述的大伞裙是34个和小伞裙33个,瓷套的总高度是2500mm,第一小圆柱的高度是160mm,第一圆台高度是455mm,大圆柱高度是1270mm,倒圆台高度是455mm,第二小圆柱高度是160mm, 第一小圆柱的直径是210mm,第二小圆柱的直径是240mm。
较好的,所述的下法兰的外沿直径是426mm, 下法兰的高度是110mm,上法兰的外沿直径是380mm,上法兰的高度是80mm。
本实用新型的有益效果是:这样的252kV鼓形瓷套具有弯曲破坏力矩不小于18kN.m,四向例行负荷不小于12.6 kN(1min),破坏负荷小于3.4MPa, 1min工频耐受电压(有效值)530kV,雷电冲击耐受电压(峰值)1250Kv,具有耐受力更高、爬距大、抗弯破坏力矩大、成本较低的优点,能够满足252kV的要求。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
其中 :1、瓷柱 2、上法兰 3、下法兰 4、大伞裙 5、小伞裙 6、第一小圆柱 7、第一圆台 8、大圆柱 9、倒圆台 10、第二小圆柱。
H——瓷套整体长度
H1——第一小圆柱的高度
H2——第一圆台高度
H3——大圆柱高度
H4——倒圆台高度
H5——第二小圆柱的高度
R1——第一小圆柱的直径
R2——第二小圆柱的直径。
具体实施方式
如图1所示,252kV鼓形瓷套,包括中间的瓷柱1、上法兰2和下法兰3,所述的瓷柱中间外侧有间隔设置的大伞裙4和小伞裙5,瓷柱中心部分是空心结构,瓷柱内部的空心部分从上到下依次是:第一小圆柱6——第一圆台7——大圆柱8——倒圆台9——第二小圆柱10的中空结构,其特征在于:所述的大伞裙是34个和小伞裙33个,瓷套的总高度H是2500mm,第一小圆柱的高度H1是160mm,第一圆台高度H2是455mm,大圆柱高度H3是1270mm,倒圆台高度H4是455mm,第二小圆柱高度H1是160mm, 第一小圆柱的直径R1是210mm,第二小圆柱直径R2是240mm。
较好的,所述的下法兰的外沿直径是426mm, 下法兰的高度是110mm,上法兰的外沿直径是380mm,上法兰的高度是80mm。
Claims (2)
1.252kV鼓形瓷套,包括中间的瓷柱、上法兰和下法兰,所述的瓷柱中间外侧有间隔设置的大伞裙和小伞裙,瓷柱中心部分是空心结构,瓷柱内部的空心部分从上到下依次是:第一小圆柱——第一圆台——大圆柱——倒圆台——第二小圆柱的中空结构,其特征在于:所述的大伞裙是34个和小伞裙33个,瓷套的总高度是2500mm,第一小圆柱的高度是160mm,第一圆台高度是455mm,大圆柱高度是1270mm,倒圆台高度是455mm,第二小圆柱高度是160mm, 第一小圆柱的直径是210mm,第二小圆柱的直径是240mm。
2.根据权利要求1所述的瓷套,其特征是:所述的下法兰的外沿直径是426mm, 下法兰的高度是110mm,上法兰的外沿直径是380mm,上法兰的高度是80mm。
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GR01 | Patent grant | ||
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