CN203456240U - 短柱硅钢片及采用其的铁芯 - Google Patents

短柱硅钢片及采用其的铁芯 Download PDF

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Abstract

本实用新型涉及一种短柱硅钢片及采用其的铁芯。所述短柱硅钢片包括构成日字形的两个边柱、中柱以及两个连接片，两个所述的边柱和所述的中柱并列设置，且两个所述的边柱分别位于所述的中柱的轴线的两侧，两个所述的连接片分别连接于所述的边柱和所述的中柱的同侧端部，所述的中柱的高度小于所述的边柱的高度，使得所述的中柱的端部与所述的连接片之间形成气隙。一种采用上述的短柱硅钢片构成的铁芯，所述的铁芯由若干所述的短柱硅钢片叠设而成。本实用新型的短柱硅钢片和铁芯在中柱和连接片之间形成气隙，可以提高其磁阻以及降低漏磁和电磁干扰。

Description

短柱硅钢片及采用其的铁芯
技术领域
本实用新型涉及一种硅钢片以及采用该硅钢片构成的铁芯。
背景技术
硅钢片是构成铁芯的主要部件。现有的硅钢片通常为呈日字形的一体结构或多片拼接结构。其中，包含有三个相平行设置的片状部分，分别称之为边柱和中柱，它们连接于另外两个相平行的片状部分之间而使得他们在这两个平行的片状部分之间的长度，即其高度是相等的。这种硅钢片制成的铁芯，工作中容易出现磁饱和。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种避免出现磁饱和的短柱硅钢片以及采用该短柱硅钢片的铁芯。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：
一种短柱硅钢片，包括构成日字形的两个边柱、中柱以及两个连接片，两个所述的边柱和所述的中柱并列设置，且两个所述的边柱分别位于所述的中柱的轴线的两侧，两个所述的连接片分别连接于所述的边柱和所述的中柱的同侧端部，所述的中柱的高度小于所述的边柱的高度，使得所述的中柱的端部与所述的连接片之间形成气隙。
所述的硅钢片由E片和I片拼接而成，两个所述的边柱、所述的中柱和一个所述的连接片构成所述的E片，另一个所述的连接片构成所述的I片。
所述的中柱的一端部与该端部一侧的所述的连接片之间形成所述的气隙。
一种采用上述的短柱硅钢片的铁芯，所述的铁芯由若干所述的短柱硅钢片叠设而成。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型的短柱硅钢片和铁芯，在中柱和连接片之间形成气隙，可以提高其磁阻以及降低漏磁和电磁干扰。
附图说明
附图1为本实用新型的短柱硅钢片的示意图。
以上附图中：1、边柱；2、中柱；3、连接片；4、E片；5、I片；6、气隙；7、铆接孔。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本实用新型作进一步描述。
实施例一：参见附图1所示。
一种短柱硅钢片，其呈“日”字形，包括两个边柱1、中柱2以及两个连接片3，两个边柱1和中柱2并列设置，且两个边柱1分别位于中柱2的轴线的两侧，两个连接片3分别连接于边柱1和中柱2的同侧端部。通常，该短柱硅钢片可以有多片拼接而成。例如，在本实施例中，采用E片4和I片5拼接构成该硅钢片，其中，两个边柱1、中柱2和一个连接片3构成E片4，另一个连接片3构成I片5。
由于中柱2和边柱1是并列设置于两个平行设置的连接片3之间的，故定义中柱2或边柱1沿两个连接片3之间方向上的长度为其高度，中柱2的高度h1小于边柱1的高度h2，使得中柱2的端部与连接片3之间形成气隙6。具体的，中柱2的长度方向的一端与一个连接片3相连接，而另一端则由于中柱2的高度较小而与该端部一侧的另一连接片3之间形成气隙6。
该短柱硅钢片上开设有多个铆接孔7，可以将若干片该短柱硅钢片叠设并铆接后形成具有气隙的铁芯，该铁芯仅在中柱的与I片形成的部分之间设置有气隙，而在边柱与I片形成部分之间不具有气隙。该铁芯可用于电抗器中。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种短柱硅钢片，包括构成日字形的两个边柱、中柱以及两个连接片，两个所述的边柱和所述的中柱并列设置，且两个所述的边柱分别位于所述的中柱的轴线的两侧，两个所述的连接片分别连接于所述的边柱和所述的中柱的同侧端部，其特征在于：所述的中柱的高度小于所述的边柱的高度，使得所述的中柱的端部与所述的连接片之间形成气隙。
2.根据权利要求1所述的短柱硅钢片，其特征在于：所述的硅钢片由E片和I片拼接而成，两个所述的边柱、所述的中柱和一个所述的连接片构成所述的E片，另一个所述的连接片构成所述的I片。
3.根据权利要求1或2所述的短柱硅钢片，其特征在于：所述的中柱的一端部与该端部一侧的所述的连接片之间形成所述的气隙。
4.一种采用权利要求1所述的短柱硅钢片的铁芯，其特征在于：所述的铁芯由若干所述的短柱硅钢片叠设而成。
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