CN203350326U - 一种高压传感式光学电压互感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种高压传感式光学电压互感器，包括绝缘子、高压电极、互感器壳体、绝缘装置、密封圈、互感器外罩、光学电压传感头、光纤和电气单元；绝缘子固定连接在互感器壳体的一端；高压电极的一端通过绝缘子伸入互感器壳体内并和绝缘子固定连接；互感器壳体另一端固定连接绝缘装置，绝缘装置的上表面与互感器壳体内部相通，绝缘装置的下表面与互感器外罩内部相通，互感器外罩与互感器壳体或绝缘装置固定连接；光学电压传感头置于感器外罩内的底部，与光学电压传感头连接的光纤引出到互感器外罩外侧的电气单元。本实用新型能够提高测量精度，具有体积小、重量轻、绝缘性能好、屏蔽效果良好，应用方式灵活，安全性高的优点。

Description

一种高压传感式光学电压互感器

技术领域

本实用新型涉及一种电力设备技术领域，特别是一种高压传感式光学电压互感器。 

背景技术

电力系统一直用电磁式或电容式电压互感器（PT或VT）来测量一次侧电压，为计量及保护等设备提供电压信号。这些互感器具有线性范围内测量准确度高、制造工艺成熟、试验校验规范等优势，在很长的时间内适应了电力系统发展的要求。但是，随着电力系统电压等级的提高和容量的增加，测量和保护要求的不断完善，其不足之处也日益突出，存在的主要问题包括：绝缘难度大、动态范围小、互感器的输出信号不能直接与微机化计量及保护设备接口、电容式PT易产生铁磁谐振等。因此，迫切需要新的测量方法来替代传统的检测手段，光学电压互感器的出现为解决这一问题提供了有利条件。光学电压互感器是利用光电子技术和光纤传感技术来实现电压测量的新型电压互感器。与传统电压互感器相比，光学电压互感器的高压信号通过光纤传输到二次设备，绝缘大大简化、带宽高，动态范围大、无磁饱和、轻便易于安装，因此，光学电压互感器在电力系统中有着十分广阔的应用前景。 

国际上，日本NGK公司1986年5月研制成功光学电压互感器样机，1991年7月公布了用于配网自动化系统的挂网运行数据；ABB公司于1997年1月推出了115kV～550kV的光学电压/电流互感器的产品介绍；1997年，法国GEC ALSTHOM公司推出了123kV～765kV光学电压/电流互感器的产品，其后又陆续在荷兰、比利时、加拿大和法国等国的变电站挂网试运行；2000年3月加拿大Nxtphase公司报道了230kV电压等级的电压互感器。国内对光学互感器的研究始于80年代，先后有清华大学、电子部26所、北京电科院、上海互感器厂、沈阳变压器厂、哈尔滨工业大学、南瑞、燕山大学、华中科技大学等多家科研院所开展这项研究工作，目前已有多种光学电压互感器的样机研制出来，但绝大多数是处于实验室阶段。 

现有技术中的光学电压互感器存在体积较大、重量重、成本高、局放现象及耐电压等问题；而且需进行额外的绝缘设计，因此增加了因压力、湿度等因素带来的安全隐患，其长期安全性、可靠性得不到良好的保障。此外，现有的光学电压互感器通常是将光学电压传感头直接设置在高压母线或高压电极所在的高压气室中，高压气室中通常填充热稳定性高的六氟化硫气体，六氟化硫气体在高压引起的开断电弧和高温作用下会部分分解产生具有腐蚀性的分解物，会对零部件侵蚀破坏，尤其是对含硅（Si）物质的侵蚀更加严重，而光学电压传感 头内的晶体器件连接的光纤主要成分是二氧化硅（SiO₂），故将光学传感头设置在含有高压六氟化硫气体的电场中会带来严重的安全隐患。也有光学电压互感器是将光学电压传感头与高压气室隔离并通过设置悬浮电极将高压电极的高压转化为悬浮电极的低压，如专利号为201110288619.3、名称为悬浮电极式光学电压互感器的发明专利，经悬浮电极将感应转化的低压产生的电场施加到光学电压传感头上，会减弱光学电压传感头内的晶体器件的光相位变化，进而影响光学电压互感器的测量精度。而且，悬浮电极的形状尺寸的影响以及在检修和运行时的安全性能无法得到保障，且需要配合设置接地柱，在使用时接地柱必须悬空，在检修时，接地柱必须接地，这不仅增加了操作步骤，还带来了安全隐患。为此，需要设计一种新型的无源光学电压互感器。 

实用新型内容

本实用新型针对现有的光学电压互感器存在的体积较大、重量重、成本高、安全性和可靠性差以及测量精度低的问题，提供一种新型的高压传感式光学电压互感器，在光学电压传感头与高压气室隔离的情况下还能够将高压电场施加到光学电压传感头上，能够提高测量精度，具有体积小、重量轻、绝缘性能好、屏蔽效果良好，应用方式灵活，安全性高的优点。 

本实用新型的技术方案如下： 

一种高压传感式光学电压互感器，其特征在于，包括绝缘子（1）、高压电极（2）、互感器壳体（3）、绝缘装置（4）、密封圈（5）、互感器外罩（6）、光学电压传感头（7）、光纤（8）和电气单元（9）；所述绝缘子（1）固定连接在所述互感器壳体（3）的一端；所述高压电极（2）的一端通过所述绝缘子（1）伸入所述互感器壳体（3）内并和所述绝缘子（1）固定连接；所述互感器壳体（3）另一端固定连接所述绝缘装置（4），所述绝缘装置（4）的上表面与互感器壳体（3）内部相通，绝缘装置（4）的下表面与互感器外罩（6）内部相通，所述互感器外罩（6）与互感器壳体（3）或绝缘装置（4）固定连接，在互感器外罩（6）与互感器壳体（3）或绝缘装置（4）连接的位置密封圈（5）；所述光学电压传感头（7）置于所述互感器外罩（6）内的底部，与光学电压传感头（7）连接的光纤（8）引出到所述互感器外罩（6）外侧的电气单元（9）。 

所述互感器外罩（6）与互感器壳体（3）固定连接，所述绝缘装置（4）设置在互感器外罩（6）与互感器壳体（3）连接的位置。 

所述绝缘装置（4）为平板式绝缘结构或盆式绝缘结构。 

所述高压传感式光学电压互感器的电压等级为110kV，所述高压电极（2）与互感器壳 体（3）之间的距离为8cm—12cm，所述高压电极（2）与绝缘装置（4）之间的距离为8cm—10cm，所述光学电压传感头（7）与绝缘装置（4）之间的距离为2cm—5cm。 

所述光学电压传感头（7）内的晶体器件与所述互感器外罩（6）内的底部接触。 

所述互感器壳体（3）内填充有绝缘气体。 

所述绝缘气体为SF₆气体。 

还包括变电站的GIS罐体，所述变电站的GIS罐体接地，所述变电站的GIS罐体与互感器壳体（3）相连。 

所述光学电压传感头（7）包括第一光纤准直镜（101）、第一偏振棱镜（111）、1/4波片（12）、BGO晶体（13）、45°反射棱镜（14）、第二偏振棱镜（112）、第二光纤准直镜（102）、第三偏振棱镜（113）、第三光纤准直镜（103）；从电气单元（9）送出的光信号通过光纤经所述第一准直镜（101）后连接到所述第一偏振棱镜（111）、1/4波片（12），再依次经过所述BGO晶体（13）、所述45°反射棱镜（14）再反射到所述BGO晶体（13）后分为两路，一路透射端经所述第二偏振棱镜（112）、所述第二光纤准直镜（102）后通过光纤输出至电气单元（9），另一路反射端经所述第三偏振棱镜（113）、所述第三光纤准直镜（103）后通过光纤输出至电气单元（9）。 

所述电气单元（9）内固定安装有SLD光源（15）、第一探测器（16）、第二探测器（17）和信号处理电路（18），所述SLD光源（15）与所述第一准直镜（101）通过第一光纤（081）连接，所述第一探测器（16）与第二光纤准直镜（102）通过第二光纤（082）连接，所述第二探测器（17）与第三光纤准直镜（103）通过第三光纤（083）连接，所述信号处理电路（18）均与第一探测器（16）和第二探测器（17）连接。 

本实用新型的技术效果如下： 

本实用新型提供的高压传感式光学电压互感器，采用互感器壳体、绝缘装置和互感器外罩，绝缘装置的上表面与互感器壳体内部相通，绝缘装置的下表面与互感器外罩内部相通，互感器壳体内具有高压电极形成的高压电场，互感器外罩内放置光学电压传感头，实现了光学电压传感头与一次侧高压电极隔离，避免了将光学电压传感头设置在高压气室中由于光学电压传感头的晶体器件连接的光纤被侵蚀导致安全隐患的问题，提高了光学电压传感头以及整个高压传感式光学电压互感器的安全性能。高压电场穿过绝缘装置后，再将该高压电场施加到光学电压传感头上，保证了电场强度，由于光学电压互感器的原理是根据电场引起光学电压传感头的晶体器件的光相位变化反算出电压，且电场与光相位变化成正比，故保证电场 强度可以增加光相位变化，从而提高后端的电气单元中的电路采集的信噪比，提高光学电压互感器的测量准确度，避免了现有技术采用悬浮电极感应转化的低压产生的电场施加到光学电压传感头上由于低压电场强度弱导致光学电压互感器的测量精度受到影响的问题，由于无需采用悬浮电极也就避免了其在检修和运行时的安全性能无法得到保障的问题，且本实用新型无需在互感器外罩上增设接地柱，在使用和维修时都减少了操作步骤，进一步提高了安全性能。本实用新型的高压传感式光学电压互感器通过设置互感器壳体，增加了电磁屏蔽的作用；以光学方法测量高压输电线路的高压，高压电极与光学电压传感头之间无需任何骨架支撑，设计结构简单，消除了附属支撑物引起的局放现象和耐电压问题，降低了安全隐患；高压电极与光学电压传感头之间的高度能够根据不同的电压等级进行调整，简化了系统的复杂程度，设计灵活、简单，容易安装维护，具有体积小、重量轻、绝缘性能好、屏蔽效果良好，应用方式灵活，安全性高的优点。 

设置互感器外罩与互感器壳体固定连接，且绝缘装置设置在互感器外罩与互感器壳体连接的位置，使得互感器壳体内的高压电场穿过绝缘装置进入互感器外罩内达到电场分布均匀，且高压电场的强度达到最大，能够进一步提高测量精度。 

绝缘装置设置为平板式绝缘结构或盆式绝缘结构，该设计简单易实现，能够简化系统的复杂度；通过设置高压电极与互感器壳体、绝缘装置之间的距离以及光学电压传感头与绝缘装置之间的距离，使得高压电极与互感器壳体、绝缘装置保持合理距离，以保证互感器壳体内的安全距离和合理电场分布；光学电压传感头在安装上尽量靠近绝缘装置，以获得满足要求的电场强度。 

在互感器壳体内填充绝缘气体，使得高压电极与光学电压传感头之间进一步绝缘，降低了因压力、湿度等因素带来的安全隐患，简化了系统的复杂度并进一步提高了安全性能。 

附图说明

图1为本实用新型高压传感式光学电压互感器的第一种结构示意图。 

图2为本实用新型高压传感式光学电压互感器的第二种结构示意图。 

图3为本实用新型高压传感式光学电压互感器的第三种结构示意图。 

图4为本实用新型高压传感式光学电压互感器中的光学电压传感头的优选结构示意图。 

图中各标号列示如下： 

1－绝缘子；2－高压电极；3－互感器壳体；4－绝缘装置；5－密封圈；6－互感器外罩；7－光学电压传感头；8－光纤；081－第一光纤；082－第二光纤；083－第三光纤；9－电气 单元；101－第一光纤准直镜；102－第二光纤准直镜；103－第三光纤准直镜；111－第一偏振棱镜；112－第二偏振棱镜；113－第三偏振棱镜；12－1/4波片；13－BGO晶体；14－45°反射棱镜；15－SLD光源；16－第一探测器；17－第二探测器；18－信号处理电路。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行说明。 

本实用新型涉及一种高压传感式光学电压互感器，如图1-3所示的三种结构，包括绝缘子1、高压电极2、互感器壳体3、绝缘装置4、密封圈5、互感器外罩6、光学电压传感头7、光纤8和电气单元9；绝缘子1固定连接在所述互感器壳体3的一端，两者对接安装；高压电极2的一端通过绝缘子1伸入所述互感器壳体3内并和所述绝缘子1固定连接；互感器壳体3另一端固定连接所述绝缘装置4，绝缘装置4的上表面与互感器壳体3内部相通，绝缘装置4的下表面与互感器外罩6内部相通，互感器外罩6与互感器壳体3或绝缘装置4固定连接，在互感器外罩6与互感器壳体3或绝缘装置4连接的位置密封圈5；光学电压传感头7置于所述互感器外罩6内的底部，与光学电压传感头7连接的光纤8穿过互感器外罩6引出至电气单元9。 

其中，互感器壳体3固定连接绝缘装置4，绝缘装置4的上表面与互感器壳体3内部相通，可以理解为是在互感器壳体3的底部开孔，绝缘装置4与该底部开孔相配合，互感器壳体3与绝缘装置4为固定连接的两个部件；当然，也可以一体成型，此时绝缘装置4是互感器壳体3的底部所具有的绝缘部分。 

互感器外罩6与互感器壳体3或绝缘装置4固定连接，根据互感器外罩6和绝缘装置4的形状大小的不同，具体连接也有所不同，互感器外罩6与互感器壳体3等电位设置。图1所示的第一种结构是互感器外罩6的等效半径小于绝缘装置4的等效半径，互感器外罩6与绝缘装置4固定连接，密封圈5设置在互感器外罩6与绝缘装置4连接的位置，设置互感器外罩6与互感器壳体3等电位；该第一种结构能够保证互感器壳体3内的高压电场直接穿过绝缘装置4再进入互感器外罩6内以后，高压电场能够均匀分布，该均匀分布的电场施加到光学电压传感头7上，保证后续测量的精度。图2所示的第二种结构是互感器外罩6的等效半径大于绝缘装置4的等效半径，互感器外罩6与互感器壳体3固定连接，此时密封圈5设置在互感器外罩6与互感器壳体3连接的位置，以保证互感器壳体3的气密性；该第二种结构能够保证从互感器壳体3内穿过绝缘装置4的高压电场能够全部进入互感器外罩6内，保证互感器外罩6内的高压电场的强度最大，该高压电场施加到光学电压传感头7上，可以增 加光学电压传感头7的晶体器件的光相位变化，从而提高后端电路采集的信噪比，提高光学电压互感器的测量准确度。图3所示的第三种结构是互感器外罩6的等效半径等于绝缘装置4的等效半径，此时互感器外罩6与互感器壳体3固定连接，绝缘装置4恰巧设置在互感器外罩6与互感器壳体3连接的位置，并通过设置在该连接位置的密封圈5保证气密性；该第三种结构可以使得互感器壳体3内的高压电场穿过绝缘装置4进入互感器外罩6内的高压电场分布均匀，且保证互感器外罩6内的高压电场的强度最大，较前两种结构，该第三种结构能够进一步提高测量精度。 

本实用新型高压传感式光学电压互感器在图1-3所示实施例中的绝缘子1为盆式绝缘子，绝缘装置4为平板式绝缘结构，当然，绝缘装置4也可以采用其它结构，如采用盆式绝缘结构等等，上述结构简单易实现，能够简化系统的复杂度，当绝缘装置4采用盆式绝缘结构时，类似于绝缘子1采用的盆式绝缘子的结构。高压电极2分别与互感器壳体3和绝缘装置4之间的距离以及光学电压传感头7与绝缘装置4之间的距离均与高压传感式光学电压互感器的电压等级有直接关系，比如电压等级在110kV、220kV时设置的上述距离不相同。如果光学电压互感器的电压等级为110kV，优选设置高压电极2与互感器壳体3之间的距离在8cm—12cm之间，高压电极2与绝缘装置4之间的距离在8cm—10cm之间，使得高压电极2与互感器壳体3、绝缘装置4保持合理距离，以保证互感器壳体3内的安全距离和合理电场分布；光学电压传感头7在安装上应尽量靠近绝缘装置4，以获得满足要求的电场强度，可设置两者之间的距离在2cm—5cm之间。光纤8为单模光纤，包括第一光纤081、第二光纤082和第三光纤083。 

互感器壳体3内填充有绝缘气体，该绝缘气体可以为SF₆气体。通过在互感器壳体3内填充绝缘气体，可以使高压电极2与光学电压传感头7之间进一步绝缘，降低了因压力、湿度等因素带来的安全隐患，简化了系统的复杂度并进一步提高了安全性能。本实用新型的高压传感式光学电压互感器还可以包括变电站的GIS罐体，设置变电站的GIS罐体接地，该变电站的GIS罐体与互感器壳体3相连，变电站的GIS罐体内也可以填充SF₆绝缘气体。 

本实用新型中的光学电压传感头7处于电力系统一次系统中，电力系统是指由发电、变电、输电、配电和用电等环节组成的电能生产、传输、分配和消费的系统。由生产和分配电能的设备，如发电机、变压器和断路器等一次设备组成的系统为一次系统，由继电保护和安全自动装置，调度自动化和通信等辅助系统是二次系统。本实用新型中的电气单元9处于电力系统二次系统中。本实用新型所述的高压传感式光学电压互感器是基于Pockels电光效应的光学电压互感器，为无源光学电压互感器。Pockels电光效应是指某些晶体材料在外加电场作 用下，其折射率随外加电场发生变化的一种现象，亦称为线性电光效应。当一线偏振光沿某一方向入射处于外加电场中的电光晶体时，由于Pockels电光效应使线偏光入射晶体后产生双折射，这样从晶体出射的两双折射光束就产生了相位延迟，该延迟量与外加电场的强度成正比，有：

式中E为晶体所处的外加电场的场强，k为与晶体材料的性质及通光波长相关的一个常数，V为晶体上外加电压的大小，V_π为晶体的半波电压（是指由Pockels电光效应引起的双折射两光束产生180°相差所需的外加电压的大小），

为由Pockels电光效应引起的双折射两光束的相位差。通过检测相位差

就可以得到被测电压，但在现有的技术条件下，要对光的相位变化进行精确的直接测量是不可能的，这里采用偏振光干涉的方法，通过干涉后检测功率变化来计算相位差

，从而计算得出电压V。 

本实用新型高压传感式光学电压互感器中的光学电压传感头7包括晶体器件，如采用BGO晶体或其它晶体器件，优选设置该晶体器件与互感器外罩6内的底部接触。还可以将BGO晶体13与电力系统一次系统中电场的地电极接触，可设置其与所述地电极的接触面镀有铬金膜，可以确保BGO晶体与地电极的良好接触，以及BGO晶体上电场分布更加均匀。光学电压传感头7可以是基于Pockels电光效应的纵向调制结构或横向调制结构。图4所示的光学电压传感头7为Pockels电光效应的纵向调制结构，主要包括第一光纤准直镜101、第一偏振棱镜111、1/4波片12、BGO晶体13、45°反射棱镜14、第二偏振棱镜112、第二光纤准直镜102、第三偏振棱镜113、第三光纤准直镜103。从电气单元9送出的光信号通过第一光纤081经所述第一准直镜101后连接到所述第一偏振棱镜111、1/4波片12，再依次经过所述BGO晶体13、所述45°反射棱镜14反射到所述BGO晶体13然后分为两路，一路透射端经第二偏振棱镜112、第二光纤准直镜102后通过第二光纤082输出至电气单元9，另一路反射端经第三偏振棱镜113、第三光纤准直镜103后通过第三光纤083输出至电气单元9。 

电气单元9内固定安装有SLD光源15、第一探测器16、第二探测器17和信号处理电路18，SLD光源15与第一准直镜101通过第一光纤081连接，第一探测器16与第二光纤准直镜102通过第二光纤082连接，第二探测器17与第三光纤准直镜103通过第三光纤083连接，信号处理电路18均与第一探测器16和第二探测器17连接。 

本实用新型高压传感式光学电压互感器的工作过程：电气单元9中的SLD光源15的入 射光沿第一光纤081传至一次端的光学电压传感头7，经第一准直镜101将光转变为平行光，经第一偏振棱镜111后变成线偏振光，再经过1/4波片12后，变成圆偏振光，入射到BGO晶体13，由于BGO晶体13。经过45°反射棱镜14光进行反射，当电压V加到高压电极2上后，互感器壳体3内的高压电极2产生的高压电场直接穿过绝缘装置4进入互感器外罩6内，该高压电场分布均匀且在保证互感器外罩6内的高压电场的强度的情况下，将高压电场施加到光学电压传感头7的BGO晶体13上，由于该高压电场的作用，通过BGO晶体13的光产生双折射，使入射圆偏振光变成椭圆偏振光，产生一个与外加电场相关的相位差，BGO晶体13的出射光分为两路，分别经过两个偏振棱镜后变成幅度受电压调制的线偏振光，一路透射端经第二偏振棱镜112、第二光纤准直镜102后通过第二光纤082传到第一探测器16，另一路反射端经第三偏振棱镜113、第三光纤准直镜103后通过第三光纤083传到第二探测器17，第一探测器16和第二探测器17分别将光学电压传感头7的出射的两路光信号转变为电信号并汇总后传输给信号处理电路18，由信号处理电路18进行滑动平均值以及加权平均计算等计算处理，根据探测的相位差

最终得到所测电压值V。 

本实用新型所谓的GIS，是指气体绝缘全封闭组合电器；GIS罐体是指气体绝缘全封闭组合电器的罐体；SF₆气体是指六氟化硫气体；BGO是指锗酸铋Bi4Ge3O12；SLD是指超辐射发光二极管，即Super Luminescent Diode。 

应当指出，以上所述具体实施方式可以使本领域的技术人员更全面地理解本发明创造，但不以任何方式限制本发明创造。因此，尽管本说明书参照附图和实施例对本发明创造已进行了详细的说明，但是，本领域技术人员应当理解，仍然可以对本发明创造进行修改或者等同替换，总之，一切不脱离本发明创造的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本发明创造专利的保护范围当中。 

Claims (10)

1.一种高压传感式光学电压互感器，其特征在于，包括绝缘子（1）、高压电极（2）、互感器壳体（3）、绝缘装置（4）、密封圈（5）、互感器外罩（6）、光学电压传感头（7）、光纤（8）和电气单元（9）；所述绝缘子（1）固定连接在所述互感器壳体（3）的一端；所述高压电极（2）的一端通过所述绝缘子（1）伸入所述互感器壳体（3）内并和所述绝缘子（1）固定连接；所述互感器壳体（3）另一端固定连接所述绝缘装置（4），所述绝缘装置（4）的上表面与互感器壳体（3）内部相通，绝缘装置（4）的下表面与互感器外罩（6）内部相通，所述互感器外罩（6）与互感器壳体（3）或绝缘装置（4）固定连接，在互感器外罩（6）与互感器壳体（3）或绝缘装置（4）连接的位置密封圈（5）；所述光学电压传感头（7）置于所述互感器外罩（6）内的底部，与光学电压传感头（7）连接的光纤（8）引出到所述互感器外罩（6）外侧的电气单元（9）。 

2.根据权利要求1所述的高压传感式光学电压互感器，其特征在于，所述互感器外罩（6）与互感器壳体（3）固定连接，所述绝缘装置（4）设置在互感器外罩（6）与互感器壳体（3）连接的位置。 

3.根据权利要求1或2所述的高压传感式光学电压互感器，其特征在于，所述绝缘装置（4）为平板式绝缘结构或盆式绝缘结构。 

4.根据权利要求1或2所述的高压传感式光学电压互感器，其特征在于，所述高压传感式光学电压互感器的电压等级为110kV，所述高压电极（2）与互感器壳体（3）之间的距离为8cm—12cm，所述高压电极（2）与绝缘装置（4）之间的距离为8cm—10cm，所述光学电压传感头（7）与绝缘装置（4）之间的距离为2cm—5cm。 

5.根据权利要求1或2所述的高压传感式光学电压互感器，其特征在于，所述光学电压传感头（7）内的晶体器件与所述互感器外罩（6）内的底部接触。 

6.根据权利要求1或2所述的高压传感式光学电压互感器，其特征在于，所述互感器壳体（3）内填充有绝缘气体。 

7.根据权利要求6所述的高压传感式光学电压互感器，其特征在于，所述绝缘气体为SF₆气体。 

8.根据权利要求1或2所述的高压传感式光学电压互感器，其特征在于，还包括变电站的GIS罐体，所述变电站的GIS罐体接地，所述变电站的GIS罐体与互感器壳体（3）相连。 

9.根据权利要求1或2所述的高压传感式光学电压互感器，其特征在于，所述光学电压传感头（7）包括第一光纤准直镜（101）、第一偏振棱镜（111）、1/4波片（12）、BGO晶体（13）、45°反射棱镜（14）、第二偏振棱镜（112）、第二光纤准直镜（102）、第三偏振棱镜 （113）、第三光纤准直镜（103）；从电气单元（9）送出的光信号通过光纤经所述第一准直镜（101）后连接到所述第一偏振棱镜（111）、1/4波片（12），再依次经过所述BGO晶体（13）、所述45°反射棱镜（14）再反射到所述BGO晶体（13）后分为两路，一路透射端经所述第二偏振棱镜（112）、所述第二光纤准直镜（102）后通过光纤输出至电气单元（9），另一路反射端经所述第三偏振棱镜（113）、所述第三光纤准直镜（103）后通过光纤输出至电气单元（9）。 

10.根据权利要求9所述的高压传感式光学电压互感器，其特征在于，所述电气单元（9）内固定安装有SLD光源（15）、第一探测器（16）、第二探测器（17）和信号处理电路（18），所述SLD光源（15）与所述第一准直镜（101）通过第一光纤（081）连接，所述第一探测器（16）与第二光纤准直镜（102）通过第二光纤（082）连接，所述第二探测器（17）与第三光纤准直镜（103）通过第三光纤（083）连接，所述信号处理电路（18）均与第一探测器（16）和第二探测器（17）连接。 

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