CN203326194U - 一种具有高可靠的射频同轴连接器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种具有高可靠的射频同轴连接器，包括：内导体、绝缘支撑、第一外导体、第二外导体、螺母及套筒，内导体压入绝缘支撑中，绝缘支撑上设置有第一外导体，第一外导体强行压入第二外导体中，在第二外导体上设置有螺母，内导体尾部压接中心导线，中心导线外包覆有绝缘屏蔽层，绝缘屏蔽层约束在套筒内，所述螺母直接安装在第二外导体上，第二外导体防止螺母从连接器的对接端松脱；套筒安装在第二外导体上，套筒防止螺母从连接器的尾端松脱。本实用新型所述射频同轴连接器，通过多重结构设计，确保其连接可靠性，通过优化设计的间隙与凸起结构，确保其电气性能指标，产品通过试验和实际使用验证，满足使用要求，实施效果显著。

Description

一种具有高可靠的射频同轴连接器

技术领域

本实用新型涉及一种射频同轴连接器，尤其是一种具有高可靠的射频同轴连接器，属于电子元器件技术领域。

背景技术

现有的射频同轴连接器，比如SMA连接器是使用非常广泛的一种标准连接器。通常在连接器对接端设置有螺母，利用具有一定弹性的开口卡环与螺母配合，防止螺母的松脱。但是，由于螺母经常需要与其他零部件配合锁紧，导致卡环连接失效，致使螺母容易松脱。此外，连接器尾端一般压接带有屏蔽层的电缆，而电缆与连接器连接处经常发生脱落或断裂，影响实际使用。不仅如此，现有的连接器截止频率一般最高为18GHz，且在10GHz~18GHz范围内时，电压驻波比非常大，无法满足实际使用要求。

实用新型内容

本实用新型正是针对现有技术存在的不足，提供一种具有高可靠的射频同轴连接器，满足实际使用要求。

为解决上述问题，本实用新型所采取的技术方案如下：

一种具有高可靠的射频同轴连接器，包括：内导体、绝缘支撑、第一外导体、第二外导体、螺母及套筒，内导体压入绝缘支撑中，绝缘支撑上设置有第一外导体，第一外导体强行压入第二外导体中，在第二外导体上设置有螺母，内导体尾部压接中心导线，中心导线外包覆有绝缘屏蔽层，绝缘屏蔽层约束在套筒内，所述螺母直接安装在第二外导体上，第二外导体防止螺母从连接器的对接端松脱；套筒安装在第二外导体上，套筒防止螺母从连接器的尾端松脱。

作为上述技术方案的改进，所述内导体上设置有倒刺，利用倒刺强行将内导体压入绝缘支撑中。

作为上述技术方案的改进，所述绝缘支撑上设置有凹槽。

作为上述技术方案的改进，所述第二外导体与绝缘屏蔽层之间进行锡焊，形成焊接部。

作为上述技术方案的改进，所述第二外导体上设置有凸起，绝缘屏蔽层的端面与凸起接触，内导体尾部端面与绝缘屏蔽层的端面有较大的间隙。

作为上述技术方案的改进，所述内导体超出绝缘支撑部分的长度尺寸为3.5mm，凸起与绝缘支撑最近距离为3.6mm。

作为上述技术方案的改进，所述绝缘支撑的壁厚增大，绝缘支撑的直径为φ3mm。

本实用新型与现有技术相比较，本实用新型的实施效果如下：

本实用新型所述的一种具有高可靠的射频同轴连接器，通过多重结构设计，确保连接器连接可靠性，通过优化设计的间隙与凸起结构，确保连接器的电气性能指标，产品截止频率从现有的18GHz提高到26.5GHz，电压驻波比在DC~26.5GHz范围内，控制在1.25以内。产品通过试验和实际使用验证，满足使用要求，实施效果显著。

附图说明

图1为本实用新型所述一种具有可靠连接的射频同轴连接器结构示意图；

图2为图1中A处局部放大图；

图3为图1中B处局部放大图；

图4为图1中C处局部放大图。

具体实施方式

下面将结合具体的实施例来说明本实用新型的内容。

如图1所示，为本实用新型所述一种具有可靠连接的射频同轴连接器结构示意图，图2为其A处局部放大图，图3为其B处局部放大图，图4为其C处局部放大图。本实用新型所述射频同轴连接器，左端为连接器的对接端，右端为尾端。所述射频同轴连接器包括：内导体1、绝缘支撑2、第一外导体3、第二外导体4、螺母5及套筒6。内导体1用来传输信号，绝缘支撑2为绝缘材质，通常采用PTFE（polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯）。

如图3所示，在内导体1上设置有倒刺1a，利用倒刺1a强行将内导体1压入绝缘支撑2中，这样防止其松动，并避免其向后移动，确保连接器对接的可靠性，延长其机械寿命。

绝缘支撑2上设置有第一外导体3，第一外导体3强行压入第二外导体4中。在第二外导体4上设置有螺母5。内导体1尾部压接电缆的中心导线8。电缆的中心导线8外包覆有绝缘屏蔽层9，当与内导体1压接时，需要将电缆的绝缘屏蔽层9剥去。但尾部露出的绝缘屏蔽层9需要保留，为此，在第二外导体4上设置套筒6，绝缘屏蔽层9约束在套筒6内。

实际上，倒刺1a的存在影响射频同轴连接器的电气性能，为了补偿其影响，在绝缘支撑2上设置有凹槽2a，利用凹槽2a补偿倒刺1a对电气性能影响，如图2所示。

本实用新型所述射频同轴连接器，螺母5直接安装在第二外导体4上，利用第二外导体4与螺母5之间的配合，防止螺母5从连接器的对接端松脱。由于套筒6也安装在第二外导体4上，这样套筒6防止螺母5从连接器的尾端松脱。

现有的射频同轴连接器，一般采用开口的卡环与螺母5配合在一起，卡环有一定的弹性，强行压入螺母5后可以防止螺母5松脱。但是在实际使用过程中，由于螺母5需要不断旋转与其他零部件配合锁紧，特别是在用户使用不当或滥用的情况下，卡环极容易失效，导致螺母5松脱。因此，本实用新型所述的螺母5安装结构，取消了卡环结构，从根本上杜绝了松脱现象，实际使用效果显著。

现有的射频同轴连接器，为了固定相对硕大的绝缘屏蔽层9，绝缘屏蔽层9约束在套筒6内，但是绝缘屏蔽层9仍然可以晃动，影响连接器连接的可靠性。因此，通常在内导体1尾端与绝缘屏蔽层9之间（即图1中的C处）采用锡焊固定。但是，在实际使用过程中发现，此处锡焊时容易产生虚焊等焊接不牢，因此经常发生脱落。此外，此处的焊接由于与内导体1较近，很容易影响连接器的电气性能，导致其性能劣变。

为此，本实用新型所述的射频同轴连接器，为了将绝缘屏蔽层9固定在套筒6内，在第二外导体4与绝缘屏蔽层9之间进行锡焊，形成焊接部7。这样，焊接部7远离内导体1，绝缘屏蔽层9的固定更加可靠，且不影响连接器的电气性能。

本实用新型所述的射频同轴连接器，在第二外导体4上设置有凸起4a，绝缘屏蔽层9的端面与凸起4a接触，这样保证内导体1尾部端面与绝缘屏蔽层9的端面有较大的间隙d。凸起4a与间隙d的存在，为连接器的阻抗匹配进行补偿设计，这样，连接器的电压驻波比以及其他整体电气技术指标可以达到理想的技术要求。

为了确保间隙d的存在，可以将内导体1超出绝缘支撑2部分的长度尺寸为3.5mm，而凸起4a与绝缘支撑2最近距离为3.6mm。

本实用新型所述的射频同轴连接器，为了实现其对接，对接端外形尺寸与现有连接器相同。为了实现良好的电气性能，绝缘支撑2的壁厚增大，绝缘支撑2的直径为φ3mm。内导体1的对接端直径为φ0.9mm，这样可以实现连接器的扩频，从现有的DC~18GHz，提高至DC~26.5GHz。

本实用新型所述的射频同轴连接器，在内导体1上设置有倒刺1a，焊接部7远离内导体1，都是为了实现连接器的可靠连接；螺母5直接安装在第二外导体4上，防止期松脱与滥用，提高其使用寿命；凸起4a与间隙d的配合，倒刺1a与凹槽2a的配合，绝缘支撑2的壁厚增大，为了实现连接器的电气性能。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的详细说明，不能认定本实用新型具体实施仅限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型保护的范围。

Claims (7)

1.一种具有高可靠的射频同轴连接器，包括：内导体（1）、绝缘支撑（2）、第一外导体（3）、第二外导体（4）、螺母（5）及套筒（6），内导体（1）压入绝缘支撑（2）中，绝缘支撑（2）上设置有第一外导体（3），第一外导体（3）强行压入第二外导体（4）中，在第二外导体（4）上设置有螺母（5），内导体（1）尾部压接中心导线（8），中心导线（8）外包覆有绝缘屏蔽层（9），绝缘屏蔽层（9）约束在套筒（6）内，其特征是，所述螺母（5）直接安装在第二外导体（4）上，第二外导体（4）防止螺母（5）从连接器的对接端松脱；套筒（6）安装在第二外导体（4）上，套筒（6）防止螺母（5）从连接器的尾端松脱。

2.如权利要求1所述一种具有高可靠的射频同轴连接器，其特征是，所述内导体（1）上设置有倒刺（1a），利用倒刺（1a）强行将内导体（1）压入绝缘支撑（2）中。

3.如权利要求2所述一种具有高可靠的射频同轴连接器，其特征是，所述绝缘支撑（2）上设置有凹槽（2a）。

4.如权利要求1所述一种具有高可靠的射频同轴连接器，其特征是，所述第二外导体（4）与绝缘屏蔽层（9）之间进行锡焊，形成焊接部（7）。

5.如权利要求1所述一种具有高可靠的射频同轴连接器，其特征是，所述第二外导体（4）上设置有凸起（4a），绝缘屏蔽层（9）的端面与凸起（4a）接触，内导体（1）尾部端面与绝缘屏蔽层（9）的端面有较大的间隙。

6.如权利要求5所述一种具有高可靠的射频同轴连接器，其特征是，所述内导体（1）超出绝缘支撑（2）部分的长度尺寸为3.5mm，凸起（4a）与绝缘支撑（2）最近距离为3.6mm。

7.如权利要求1所述一种具有高可靠的射频同轴连接器，其特征是，所述绝缘支撑（2）的壁厚增大，绝缘支撑（2）的直径为φ3mm。

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