CN203311953U - 一种抗交变磁场干扰的取样电阻器及磁保持继电器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种抗交变磁场干扰的取样电阻器及磁保持继电器，为了解决磁保持继电器抗交变磁场能力弱，导致智能电表性能和精度降低的问题，所述取样电阻器包括第一导电片和第二导电片，设置在第一导电片和第二导电片之间的采样电阻片；所述第一导电片与采样电阻片的连接处设有第一信号取样端，所述第二导电片与采样电阻片的连接处设有第二信号取样端；与第一信号取样端相连的第一信号线和与第二信号取样端相连的第二信号线绞合相连；所述采样电阻片上开有通孔。所述磁保持继电器包括继电器本体；所述继电器本体上设置有如上所述的取样电阻器。本实用新型的解决方案简单实用可行，可抗任意方向交变磁场的干扰。

Description

一种抗交变磁场干扰的取样电阻器及磁保持继电器

技术领域

本实用新型涉及电气、电子仪表技术领域，具体涉及智能电表中电流采样电阻器和内置式磁保持继电器抗交变磁场的外形结构。 

背景技术

现有智能电表内置式、带锰铜取样电阻的磁保持继电器的外形结构如图6所示。其中, 静片自带锰铜取样电阻, 当有一根平行与静片的导线上(方向2)通有交流电流(I0)时, 环境内产生交变电磁场, 在此交变电磁场的作用下, 一方面锰铜分流器、信号线、电路板等构成的闭合回路会产生成感应电动势，产生感应电流，影响、干扰检测电流的变化。另一方面，当断开电源时，由于受交变电磁场的作用，锰铜分流器内构成闭合回路产生的自感电流ⅰ, 直接影响智能电表的计量精度。由于现有“自带锰铜取样电阻的磁保持继电器”外形结构的缺陷，必然带来智能电表的性能和精度降低。 

实用新型内容

为了克服现有技术抗交变磁场能力弱，导致智能电表性能和精度降低的缺陷，本实用新型旨在提供一种抗交变磁场干扰的取样电阻器，该取样电阻器通过对分流器的结构改进、简化了生产工艺，减小了电流取样电阻器受交变磁场干扰的能力，降低了磁场对电流采样信号的影响，从而有效地保证仪器仪表计量的准确性。 

为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是： 

一种抗交变磁场干扰的取样电阻器，包括第一导电片和第二导电片，设置在第一导电片和第二导电片之间的采样电阻片；其结构特点是，所述第一导电片与采样电阻片的连接处设有外凸的第一信号取样端，所述第二导电片与采样电阻片的连接处设有外凸的第二信号取样端；与第一信号取样端相连的第一信号线和与第二信号取样端相连的第二信号线绞合相连；所述采样电阻片上开有用于所述第一信号线或第二信号线过线的通孔。

所述通孔的形状可以为圆形、方形或其它任意形状。 

以下为本实用新型的进一步改进的技术方案： 

作为一种具体的抗干扰结构形式，所述第一导电片和第二导电片均折弯呈L形。

作为另一种具体的抗干扰结构形式，所述第一导电片和第二导电片均呈一字形；更进一步地，所述第一导电片、采样电阻片和第二导电片连接后整体呈n形。 

为了更好地抵消感应电流，所述第一信号取样端与第二信号取样端对称设置在采样电阻片的两端，且所述第一信号取样端与第二信号取样端相对设置。所述第一信号取样端与第二信号取样端相对设置是指，第一信号取样端位于采样电阻片的一侧，第二信号取样端位于采样电阻片的另一侧。 

更进一步地，所述第一信号取样端的根部点和第二信号取样端的根部点相对采样电阻片的立体中心点形成原点对称。 

上述采样电阻片为高电阻率材料制成的电阻片。 

进一步地，本发明还提供了一种抗交变磁场干扰的磁保持继电器，其包括继电器本体、动片和静片；所述继电器本体上设置有如上所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器。 

作为一种具体的抗交变磁场的结构形式，所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器的采样电阻片沿着静片的长度方向纵向布置。 

作为另一种具体的抗交变磁场的结构形式，所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器的采样电阻片垂直于动片的长度方向横向布置。 

以下对本实用新型作详细的描述。 

本实用新型采用高电阻率材料制作而成的采样电阻片2，在采样电阻片2中设有一个通孔4，其两端分别设有第一导电片1和第二导电片3，第一导电片1与电阻片2连接处的一体向前或后冲压弯曲形成信号取样端7，第二导电片与电阻片连接处的一体向后或前冲压弯曲形成信号取样端8；在取样端7、8上分别连接一条信号线5和6，第一导电片上的信号线5在穿过通孔4后与第二导电片上的信号线6绞并在一起，两条信号线的末端分别连接到采集信号用的电路板上。 

所述取样电阻器包括第一导电片1和第二导电片3，采样电阻片2连接在第一导电片1和第二导电片3之间，所述采样电阻片中设有一个可为各种形状的通孔4。 

所述取样电阻器中，沿第一导电片1与电阻片2连接线上的一体向前或后冲压弯曲形成信号取样端7，沿第二导电片与电阻片连接线上的一体向后或前冲压弯曲形成信号取样端8；取样端7和取样端8的弯曲根部点与采样电阻片2的立体中心点形成原点对称。 

所述取样电阻器中，在取样端7、8上分别横向连接一条信号线5和6，其中一条信号线在穿过通孔4后与一条信号线绞并在一起。 

基于所述的取样电阻器抗交变磁场干扰原则, 本实用新型可扩展成如下应用结构： 

① 图2所示的“平面n型取样电阻器”抗交变磁场结构,取样电阻器的平面呈n型, 第一导电片1和第二导电片3向下延伸, 且有安装通孔。

② 图3所示的“端面L型取样电阻器”抗交变磁场结构,在图2所示“平面n型取样电阻器”的第一导电片1和第二导电片3延伸段,进行一定角度的折弯, 且折弯端有安装通孔。 

③ 图4所示的“纵向自带抗交变磁场干扰取样电阻的继电器”结构,继电器9的静片上自带“本实用新型的取样电阻器”，取样电阻器沿着静片纵向分布。 

④ 图5所示的“横向自带抗交变磁场干扰取样电阻的继电器”结构,继电器9的动片导电片上自带“本实用新型的取样电阻器”，取样电阻器沿着动片导电片折曲90°后呈横向分布。 

本实用新型的取样电阻器抗工频磁场干扰的原理如图7所示。1）当断开电源时，“方向1”和“方向2”上各有一根导线通有交流电流(I0)时 , 在环境内产生交变电磁场,在此磁场的作用下,采样电阻片2内产生感应电流i, 由于取样端7和取样端8的弯曲根部点与采样电阻片2的立体中心点形成原点对称，起到了感应电流i的抵冲作用，故取样端7和取样端8电压上为“零”。2）“方向3”上有一根导线通有交流电流(I0)时 , 在环境内产生交变电磁场,在此磁场的作用下，只有取样端7和取样端8产生感应电流, 由于取样端7和取样端8大小相同、方向相背，起到了感应电流i的低冲作用，故信号线5和信号线6上电压为“零”。 

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：采用本实用新型结构的取样电阻器后，能够抵抗来自于不确定方向交变磁场干扰，从而有效地保证采样信号的准确性。同时，本实用新型具有通用性广，结构紧凑简单，抗交变磁场干扰能力特强，易实现标准化和自动化生产等特点。 

以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步阐述。

附图说明

图1是本实用新型一种实施例的结构原理图； 

图2是本实用新型取样电阻器“平面n型”的结构示意图；

图3是本实用新型取样电阻器“端面L型”的结构示意图；

图4是本实用新型“纵向自带取样电阻的继电器”结构示意图；

图5是本实用新型“横向自带取样电阻的继电器”结构示意图；

图6是现有智能电表内置式磁保持继电器的外形结构示意图；

图7是本实用新型抗交变磁场的原理图；

图8是图4的俯视图；

图9是图5的俯视图；

图10是图6的左视图；

图11是图7的俯视图。

在图中 

1第一导电片；2采样电阻片；3第二导电片；4通孔；5第一信号线；

6第二信号线；7第一信号取样端；8第二信号取样端；9继电器。

具体实施方式

实施例1 

本实用新型的“基本型取样电阻器”抗交变磁场干扰的具体实施例如下：如图1所示的结构，采用高电阻率材料制作而成的采样电阻片2，在采样电阻片2中设有一个通孔4，其两端分别设有第一导电片1和第二导电片3，第一导电片1与电阻片2连接处的一体向前（或后）冲压弯曲形成信号取样端7，第二导电片与电阻片连接处的一体向后（或前）冲压弯曲形成信号取样端8；在取样端7,8上分别连接一条信号线5,6，第一导电片上的信号线5在穿过通孔4后与第二导电片上的信号线6绞并在一起，两条信号线的末端分别连接到采集信号用的电路板上，来消除外部任意方向交变磁场对取样电阻器的影响。

  实施例2 

本实用新型的“平面n型取样电阻器”抗交变磁场干扰的具体实施例如下：如在实施例1基础上的图2所示结构，取样电阻器的平面呈n型, 第一导电片1和第二导电片3向下延伸, 有二个安装通孔,起到安装方便的作用。

 实施例3 

本实用新型的“端面L型取样电阻器”抗交变磁场干扰的具体实施例如下：  如在实施例2基础上的图3所示结构，“平面n型取样电阻器”的第一导电片1和第二导电片3延伸段,进行一定角度的折弯, 且折弯端有二个安装通孔,具有安装方便、结紧凑的特点。

 实施例4 

本实用新型的“纵向自带取样电阻的继电器”抗交变磁场干扰的具体实施例如下：如图4所示的结构，继电器9的静片上自带“本实用新型的取样电阻器”，取样电阻器沿着静片纵向分布，来消除外部任意方向交变磁场对磁保持继电器取样电阻的影响，以及可以即时（表计不需要作任何结构变更）取代现有电表内置式、带锰铜取样电阻的磁保持继电器。

实施例5： 

本实用新型的“横向自带取样电阻的继电器”抗交变磁场干扰的具体实施例如下：如图5所示的结构，继电器9的动片导电片上自带“本实用新型的取样电阻器”，取样电阻器沿着动片导电片折曲90°后呈横向分布，来消除外部任意方向交变磁场对磁保持继电器取样电阻的影响。具有安装方便、结紧凑的特点，以及可以即时（表计不需要作任何结构变更）取代现有电表内置式、带锰铜取样电阻的磁保持继电器。

上述实施例阐明的内容应当理解为这些实施例仅用于更清楚地说明本实用新型，而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。 

Claims (10)

1.一种抗交变磁场干扰的取样电阻器，包括第一导电片（1）和第二导电片（3），设置在第一导电片（1）和第二导电片（3）之间的采样电阻片（2）；其特征在于，所述第一导电片（1）与采样电阻片（2）的连接处设有外凸的第一信号取样端（7），所述第二导电片（3）与采样电阻片（2）的连接处设有外凸的第二信号取样端（8）；与第一信号取样端（7）相连的第一信号线（5）和与第二信号取样端（8）相连的第二信号线（6）绞合相连；所述采样电阻片（2）上开有用于所述第一信号线（5）或第二信号线（6）过线的通孔（4）。

2.根据权利要求1所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一导电片（1）和第二导电片（3）均呈一字形。

3.根据权利要求2所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一导电片（1）、采样电阻片（2）和第二导电片（3）连接后整体呈n形。

4.根据权利要求1所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一导电片（1）和第二导电片（3）均折弯呈L形。

5.根据权利要求1所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一信号取样端（7）与第二信号取样端（8）对称设置在采样电阻片（2）的两端，且所述第一信号取样端（7）与第二信号取样端（8）相对设置。

6.根据权利要求5所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一信号取样端（7）的根部点和第二信号取样端（8）的根部点相对采样电阻片（2）的立体中心点形成原点对称。

7.根据权利要求1~6之一所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述采样电阻片（2）为高电阻率材料制成的电阻片。

8.一种抗交变磁场干扰的磁保持继电器，包括继电器本体（9）、动片和静片；其特征在于，所述继电器本体（9）上设置有如权利要求1-7之一所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器。

9.根据权利要求8所述的抗交变磁场干扰的磁保持继电器，其特征在于，所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器的采样电阻片（2）沿着静片的长度方向纵向布置。

10.根据权利要求8所述的抗交变磁场干扰的磁保持继电器，其特征在于，所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器的采样电阻片（2）垂直于动片的长度方向横向布置。

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