CN203200011U - 一种具有可调键合层的晶圆 - Google Patents

一种具有可调键合层的晶圆 Download PDF

Info

Publication number
CN203200011U
CN203200011U CN 201320016515 CN201320016515U CN203200011U CN 203200011 U CN203200011 U CN 203200011U CN 201320016515 CN201320016515 CN 201320016515 CN 201320016515 U CN201320016515 U CN 201320016515U CN 203200011 U CN203200011 U CN 203200011U
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
layer
bonding
oxide
adjustable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN 201320016515
Other languages
English (en)
Inventor
李平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd filed Critical Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to CN 201320016515 priority Critical patent/CN203200011U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203200011U publication Critical patent/CN203200011U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种具有可调键合层的晶圆，包括晶圆层、键合氧化物层，在所述的晶圆层和键合氧化物层之间设有一层晶圆弯曲度的调节层，所述晶圆弯曲度的调节层为可调节晶圆弯曲度的介质薄膜；所述调节晶圆弯曲度的介质薄膜为氧化物或氮化物或金属化合物，或为氧化物、氮化物、金属化合物其中任意两种或三种的混合物。在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲的的介质，然后在该介质上生长键合氧化物。在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲度的薄膜介质，可以调节晶圆的弯曲度，解决了键合的空洞与扭曲的问题，方便晶圆后续工艺的进行，避免空洞、碎片的产生。

Description

一种具有可调键合层的晶圆
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆，尤其涉及一种具有可调键合层的晶圆。
背景技术
晶圆键合技术被广泛应用于MEME、BSI CMOS sensor等领域，其键合后晶圆的空洞(viod)与扭曲(distortion)是一大技术难点，现有的技术通过键合氧化物层来实现晶圆的键合，其虽然在一定程度上可以调节晶圆的弯曲度(wafer bowl)，但是效果依然不佳，造成的工艺控制区间(process window)较小；由于晶圆的弯曲度过大等问题，对后续的光刻等工艺造成很大的困扰；且易产生空洞，形成破片。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有可调键合层的晶圆，可以调节弯曲的的晶圆键合层。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种具有可调键合层的晶圆，包括晶圆层、键合氧化物层，在所述的晶圆层和键合氧化物层之间设有一层晶圆弯曲度的调节层，所述晶圆弯曲度的调节层为可调节晶圆弯曲度的介质薄膜；所述调节晶圆弯曲度的介质薄膜为氧化物或氮化物或金属化合物，或为氧化物、氮化物、金属化合物其中任意两种或三种的混合物，例如：可调节弯曲度的介质薄膜可以为三氧化二铝或氮化硅或铝钛金属化合物，或者为三氧化二铝、氮化硅、铝钛金属化合物其中的任意两种或三种的混合物。在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲的的介质，然后在该介质上生长键合氧化物。
本实用新型的有益效果是：在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲度的薄膜介质，可以调节晶圆的弯曲度，解决了键合的空洞与扭曲的问题，方便晶圆后续工艺的进行，避免空洞、碎片的产生。
附图说明
图1为本实用新型一种具有可调键合层的晶圆的结构示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、晶圆层，2、晶圆弯曲度调节层，3、键合氧化物层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示，一种具有可调键合层的晶圆，包括晶圆层1、键合氧化物层3，在所述的晶圆层1和键合氧化物层3之间设有晶圆弯曲度调节层2，晶圆弯曲度调节层2为一层调节晶圆弯曲度的介质薄膜；所述调节晶圆弯曲度的介质薄膜为氧化物或氮化物或金属化合物，或为氧化物、氮化物、金属化合物其中任意两种或三种的混合物，例如：可调节弯曲度的介质薄膜可以为例如：可调节弯曲度的介质薄膜可以为三氧化二铝或氮化硅或铝钛金属化合物，或者为三氧化二铝、氮化硅、铝钛金属化合物其中的任意两种或三种的混合物。在晶圆层1上生长键合氧化物层3之前淀积一层晶圆弯曲度调节层2，然后在晶圆弯曲度调节层2上生长键合氧化物。
在晶圆的键合过程中，将两块淀积有晶圆弯曲度调节层2的晶圆经过化学机械研磨后键合在一起，通过晶圆弯曲度调节层2可以调节晶圆的弯曲度，解决了键合的空洞与扭曲的问题，方便晶圆后续工艺的进行，避免空洞、碎片的产生。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种具有可调键合层的晶圆，其特征在于：包括晶圆层、键合氧化物层，在所述的晶圆层和键合氧化物层之间设有一层晶圆弯曲度调节层，所述晶圆弯曲度调节层为具有弯曲度的介质薄膜。 
CN 201320016515 2013-01-11 2013-01-11 一种具有可调键合层的晶圆 Expired - Lifetime CN203200011U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201320016515 CN203200011U (zh) 2013-01-11 2013-01-11 一种具有可调键合层的晶圆

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201320016515 CN203200011U (zh) 2013-01-11 2013-01-11 一种具有可调键合层的晶圆

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203200011U true CN203200011U (zh) 2013-09-18

Family

ID=49144141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201320016515 Expired - Lifetime CN203200011U (zh) 2013-01-11 2013-01-11 一种具有可调键合层的晶圆

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203200011U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105271108A (zh) * 2015-09-10 2016-01-27 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种晶圆的键合方法
CN106952837A (zh) * 2016-01-06 2017-07-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获得绝缘层厚度的方法以及晶圆级键合封装方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105271108A (zh) * 2015-09-10 2016-01-27 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种晶圆的键合方法
CN106952837A (zh) * 2016-01-06 2017-07-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获得绝缘层厚度的方法以及晶圆级键合封装方法
CN106952837B (zh) * 2016-01-06 2019-12-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获得绝缘层厚度的方法以及晶圆级键合封装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103531664B (zh) 柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法
MX355110B (es) Metodo para producir un sustrato revestido con una pila que incluye una capa de oxido conductor transparente.
MY161115A (en) Aluminum alloy plate for magnetic disc substrate, method for manufacturing same, and method for manufacturing magnetic disc
WO2011084812A3 (en) Flowable dielectric using oxide liner
MY185883A (en) Perovskite material layer processing
CN105720088B (zh) 硅基氮化镓外延结构及其制造方法
NZ592506A (en) Coated glass surfaces and method for coating a glass substrate
EP2533305A3 (en) Method for blister-free passivation of a silicon surface
UA117474C2 (uk) Сонцезахисне скління
CN203200011U (zh) 一种具有可调键合层的晶圆
EP2647039A4 (en) Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field effect transistor, and method for producing the field effect transistor
MY162189A (en) An inorganic composition for transferring micro-relief structure
WO2011015942A3 (en) Ohmic electrode and method of forming the same
EP3825446A4 (en) SILICON BLANK, SILICON BLOCK, SILICON SUBSTRATE, PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON BLANK AND SOLAR CELL
CN107779820A (zh) 一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
WO2011160814A3 (en) Method for creating a passivated boron-doped region, especially during production of a solar cell, and solar cell with passivated boron-diffused region
CN105002555B (zh) 一种ZnO单晶纳米片的生长方法
CN103441191B (zh) 一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的制备方法
CN202307784U (zh) 一种磁控溅射用平面阴极
CN104326439A (zh) 一种改进硅微通道板表面形貌的方法
EP4001373A4 (en) BONDING FILM, TAPE FOR EDGE PROCESSING, METHOD FOR PRODUCING BONDED OBJECT, AND BONDED OBJECT
EP3909071A4 (en) METHODS OF BONDING SEMICONDUCTOR ELEMENTS TO SUBSTRATES AND RELATED BONDING SYSTEMS
EP2886678A8 (en) Method for the deposition of films of mixed oxides on composite material substrates
WO2019028079A3 (en) MAGNETIC SWITCHING MATERIALS AND THEIR PREPARATION
CN103072334B (zh) 一种二元碘化物掺杂的热致变色装饰层

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20130918