CN203197470U - 一种卷带式覆晶薄膜切割装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种卷带式覆晶薄膜切割装置，所述装置包括：用于提供覆晶薄膜料带的料盘；用于平整展开所述覆晶薄膜料带，并控制所述覆晶薄膜料带依次前进到对位单元和切割单元的控制单元；用于确定所述覆晶薄膜料带上的电荷耦合元件的冲切位置的所述对位单元；用于根据所述冲切位置，用激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带的所述切割单元。本实用新型能够对平整展开的覆晶薄膜进行电荷耦合元件的对位切割。
Description
技术领域
本实用新型涉及覆晶薄膜切割领域，尤其涉及一种卷带式覆晶薄膜切割装置。
背景技术
目前使用的卷带式覆晶薄膜COF（Chip On Flex）冲切装置，精度一般为±50～100um左右，而当COF冲切装置需要实现冲切精度为±50um以内时，传统的COF冲切设备不能完全满足要求，且精度不稳定。
在现有的薄膜晶体管TFT模组工程中，采用模具冲切的方式，如图1所示。为了实现高精度冲切，一般会采用电荷耦合元件CCD对位冲切，被对位的对象一般为刚性材料，例如玻璃等，而被对位的对象为柔性材料时，例如COF等，要实现CCD对位，存在着COF冲切时不能平整展开的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种卷带式覆晶薄膜切割装置，对平整展开的覆晶薄膜进行电荷耦合元件的对位切割。
为了实现上述目的，本实用新型提供了一种卷带式覆晶薄膜切割装置，所述装置包括：
用于提供覆晶薄膜料带的料盘；
用于平整展开所述覆晶薄膜料带，并控制所述覆晶薄膜料带依次前进到对位单元和切割单元的控制单元；
用于确定所述覆晶薄膜料带上的电荷耦合元件的冲切位置的所述对位单元；
用于根据所述冲切位置，用激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带的所述切割单元。
其中，优选地，所述控制单元具体包括：
处于同一水平位置的第一棘轮和第二棘轮；
用于将所述料盘提供的所述覆晶薄膜料带送至所述第一棘轮或第二棘轮的导向滚轮；
所述对位单元与所述切割单元处于所述第一棘轮和第二棘轮之间。
其中，优选地，所述对位单元具体包括：
用于根据平整展开的所述覆晶薄膜料带上的电荷耦合元件的对位标识，确定所述冲切位置的对位子单元。
其中，优选地，所述对位子单元具体包括：
用于获取平整展开的所述覆晶薄膜料带上一侧电荷耦合元件的第一对位标识的第一获取子单元；
用于获取平整展开的所述覆晶薄膜料带上另一侧电荷耦合元件的第二对位标识的第二获取子单元；
用于根据所述第一对位标识和第二对位标识，确定所述冲切位置的位置确定子单元。
其中，优选地，所述切割单元具体包括：
电源；
用于在通电时产生激光的泵浦灯；
设置在远离所述覆晶薄膜料带的一侧，反射所述泵浦灯产生的激光的全反镜；
设置在靠近所述覆晶薄膜料带的一侧，对所述全反镜反射的激光进行透射的半反镜；
用于根据所述冲切位置，用所述半反镜透射的激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带的切割子单元。
其中，优选地，所述切割单元具体还包括：
用于增加所述激光的功率的增益介质，所述增益介质位于所述全反镜和所述半反镜之间。
其中，优选地，所述装置还包括：
用于回收完成切割后的所述覆晶薄膜料带的回收桶。
本实用新型首先将覆晶薄膜平整展开，再确定平整展开的覆晶薄膜上的电荷耦合元件的冲切位置，最后利用激光，根据所述冲切位置，对覆晶薄膜进行切割，能够有效的进行边缘平滑切割，同时减少切割产生的毛刺，提高了激光切割的精度。
附图说明
图1为现有技术中模具冲切装置的示意图；
图2为本实用新型提供的一种卷带式覆晶薄膜切割装置的结构示意图；
图3为本实用新型提供的卷带式覆晶薄膜切割装置中的控制单元的结构示意图；
图4为本实用新型提供的卷带式覆晶薄膜切割装置中的对位单元的结构示意图；
图5为本实用新型提供的卷带式覆晶薄膜切割装置中的切割单元的结构示意图；
图6为本实用新型提供的另一种卷带式覆晶薄膜切割装置的结构示意图；
图7为本实用新型提供的卷带式覆晶薄膜切割装置处理流程示意图；
主要组件符号说明：
1：覆晶薄膜料盘、2：控制单元、3：对位单元、4：切割单元、5：回收桶、6：覆晶薄膜料带、7：覆晶薄膜、8：模具；
其中，2-1：导向滚轮、2-2：第一棘轮、2-3：第二棘轮；
3-1：第一获取子单元、3-2：第二获取子单元、3-3：第一对位标识、3-4：第二对位标识；
4-1：泵浦灯、4-2全反镜、4-3：半反镜、4-4：增益介质、4-5：切割子单元。
具体实施方式
为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本实用新型提供了一种卷带式覆晶薄膜切割装置，所述装置如图2所示，包括：
用于提供覆晶薄膜料带6的料盘1；
用于平整展开所述覆晶薄膜料带6，并控制所述覆晶薄膜料带6依次前进到对位单元3和切割单元4的控制单元2；
用于确定所述覆晶薄膜料带6上的电荷耦合元件的冲切位置的所述对位单元3；
用于根据所述冲切位置，用激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带6的所述切割单元4。
本实用新型实施例提供的卷带式覆晶薄膜切割装置，通过控制单元2将覆晶薄膜料带6平整展开，进一步地，控制平整展开的覆晶薄膜料带6依次前进到对位单元3和切割单元4，由对位单元3确定覆晶薄膜料带6上的电荷耦合元件的冲切位置，切割单元4根据对位单元3确定的冲切位置用激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带6，解决了覆晶薄膜在切割时不能平整展开的问题，并在平整展开的覆晶薄膜上用激光进行切割，提高了冲切精度，能够将冲切精度控制在±50um以内。
在上述的装置中，优选地，所述控制单元2如图3所示，具体包括：
处于同一水平位置的第一棘轮2-1和第二棘轮2-2；
用于将所述料盘1提供的所述覆晶薄膜料带6送至所述第一棘轮2-1或第二棘轮2-2的导向滚轮2-3；
所述对位单元3与所述切割单元4处于所述第一棘轮2-1和第二棘轮2-2之间。
覆晶薄膜料带6弯曲时会影响冲切精度，因此，在本实用新型实施例中通过处于同一水平位置的两个棘轮：第一棘轮2-1和第二棘轮2-2位置的确定，提供覆晶薄膜料带6一定的张力，保证覆晶薄膜料带6平整的展开，提高切割精度。
在上述的装置中，优选地，所述对位单元3，具体包括：
用于根据平整展开的所述覆晶薄膜料带6上的电荷耦合元件的对位标识，确定所述冲切位置的对位子单元。
其中，优选地，所述对位子单元如图4所示，具体包括：
用于获取平整展开的所述覆晶薄膜料带6上一侧电荷耦合元件的第一对位标识3-3的第一获取子单元3-1；
用于获取平整展开的所述覆晶薄膜料带6上另一侧电荷耦合元件的第二对位标识3-4的第二获取子单元3-2；
用于根据所述第一对位标识3-3和第二对位标识3-4，确定所述冲切位置的位置确定子单元。
在覆晶薄膜料带6送至对位单元3时，设置一组电荷耦合原件的对位单元第一获取子单元3-1和第二获取子单元3-2，其中第一获取子单元3-1获取覆晶薄膜料带6上一侧电荷耦合元件的第一对位标识3-3，第二获取子单元3-2获取覆晶薄膜料带6上另一侧电荷耦合元件的第二对位标识3-4，再通过位置确定子单元的位置计算，确认覆晶薄膜料带6的冲切位置。
在上述的装置中，优选地，所述切割单元4如图5所示，具体包括：
电源；
用于在通电时产生激光的泵浦灯4-1；
设置在远离所述覆晶薄膜料带6的一侧，反射所述泵浦灯4-1产生的激光的全反镜4-2；
设置在靠近所述覆晶薄膜料带6的一侧，对所述全反镜4-2反射的激光进行透射的半反镜4-3；
用于根据所述冲切位置，用所述半反镜4-3透射的激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带6的切割子单元4-5。
同时，为了提高切割激光的功率，优选地，所述切割单元4如图5所示，具体还包括：
用于增加所述激光的功率的增益介质4-4，所述增益介质4-4位于所述全反镜4-2和所述半反镜4-3之间。
切割单元4通过设置在远离所述覆晶薄膜料带6的一侧的，用于反射所述泵浦灯4-1产生的激光的全反镜4-2，以及设置在靠近所述覆晶薄膜料带6的一侧，对所述全反镜4-2反射的激光进行透射的半反镜4-3，有效的进行边缘平滑切割，减少了切割毛刺的产生。
在上述的装置中，优选地，所述装置还包括：
用于回收完成切割后的所述覆晶薄膜料带6的回收桶5。
基于以上描述，本实用新型实施例提供了另一种卷带式覆晶薄膜切割装置的优选结构示意图，如图6所示，包括：
用于提供覆晶薄膜料带6的料盘1；
处于同一水平位置的第一棘轮2-1和第二棘轮2-2；
用于将所述料盘1提供的所述覆晶薄膜料带6送至所述第一棘轮2-1或第二棘轮2-2的导向滚轮2-3；
用于确定所述覆晶薄膜料带6上的电荷耦合元件的冲切位置的所述对位单元3；
用于根据所述冲切位置，用激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带6的所述切割单元4；
用于回收完成切割后的所述覆晶薄膜料带6的回收桶5。
具体的处理过程如图7所示。其中，第一棘轮2-1、第二棘轮2-2和导向滚轮2-3在柔性材料，例如覆晶薄膜7的切割过程起到了关键作用，将覆晶薄膜料带6平整展开，确保后续的对位单元3可以在相应位置找到对位标识，提高了切割时的精度；由于覆晶薄膜料带6完全展开，因此对位单元3可以使用相机捕捉对位标识的图像，然后通过对位标识的位置计算出精确的切割位置；切割单元4能够有效的进行边缘平滑切割，减少了切割毛刺的产生。
以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (7)
1.一种卷带式覆晶薄膜切割装置，其特征在于，所述装置包括：
用于提供覆晶薄膜料带的料盘；
用于平整展开所述覆晶薄膜料带，并控制所述覆晶薄膜料带依次前进到对位单元和切割单元的控制单元；
用于确定所述覆晶薄膜料带上的电荷耦合元件的冲切位置的所述对位单元；
用于根据所述冲切位置，用激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带的所述切割单元。
2.如权利要求1所述的卷带式覆晶薄膜切割装置，其特征在于，所述控制单元具体包括：
处于同一水平位置的第一棘轮和第二棘轮；
用于将所述料盘提供的所述覆晶薄膜料带送至所述第一棘轮或第二棘轮的导向滚轮；
所述对位单元与所述切割单元处于所述第一棘轮和第二棘轮之间。
3.如权利要求1所述的卷带式覆晶薄膜切割装置，其特征在于，所述对位单元具体包括：
用于根据平整展开的所述覆晶薄膜料带上的电荷耦合元件的对位标识，确定所述冲切位置的对位子单元。
4.如权利要求3所述的卷带式覆晶薄膜切割装置，其特征在于，所述对位子单元具体包括：
用于获取平整展开的所述覆晶薄膜料带上一侧电荷耦合元件的第一对位标识的第一获取子单元；
用于获取平整展开的所述覆晶薄膜料带上另一侧电荷耦合元件的第二对位标识的第二获取子单元；
用于根据所述第一对位标识和第二对位标识，确定所述冲切位置的位置确定子单元。
5.如权利要求1所述的卷带式覆晶薄膜切割装置，其特征在于，所述切割单元具体包括：
电源；
用于在通电时产生激光的泵浦灯；
设置在远离所述覆晶薄膜料带的一侧，反射所述泵浦灯产生的激光的全反镜；
设置在靠近所述覆晶薄膜料带的一侧，对所述全反镜反射的激光进行透射的半反镜；
用于根据所述冲切位置，用所述半反镜透射的激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带的切割子单元。
6.如权利要求5所述的卷带式覆晶薄膜切割装置，其特征在于，所述切割单元具体还包括：
用于增加所述激光的功率的增益介质，所述增益介质位于所述全反镜和所述半反镜之间。
7.如权利要求1至6任一项所述的卷带式覆晶薄膜切割装置，其特征在于，所述装置还包括：
用于回收完成切割后的所述覆晶薄膜料带的回收桶。
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