CN203192831U - 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 - Google Patents
具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203192831U CN203192831U CN 201320115652 CN201320115652U CN203192831U CN 203192831 U CN203192831 U CN 203192831U CN 201320115652 CN201320115652 CN 201320115652 CN 201320115652 U CN201320115652 U CN 201320115652U CN 203192831 U CN203192831 U CN 203192831U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gan
- layer
- type
- type gan
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构，涉及一种应用在高亮度GaN基绿光LED中的P型GaN的生长技术领域。包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN和InGaN电流隧穿层，其特征在于所述P型GaN由低温P型GaN空穴注入层、P型Al(In)GaN电子阻挡层和P型GaN空穴活化层组成。采用以上结构的P型GaN应用于高亮度GaN基绿光LED生长，20mil*40mil的520nm的绿光芯片在120mA下COW的亮度达到75mW，封装后外量子效率达到31%，达到国内领先水平。同时20mil*40mil抗静电特性提高到8000V以上。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种应用在高亮度GaN基绿光LED中的P型GaN的生长技术领域。
背景技术
InGaN绿光LED中为了获得In组分较高量子阱，量子阱有源区的生长温度远低与P型Al(In)GaN电子阻挡层和P型GaN，所以其晶体质量较差，同时，较高温生长的P型Al(In)GaN电子阻挡层和P型GaN会对有源区有破片作用，影响其晶体质量和辐射复合效率。再者，InGaN绿光LED外延结构中普遍采用的P型Al(In)GaN电子阻挡层由于晶格失配会造成能带向下弯曲，影响空穴从P型GaN注入到有源区中。
而如何改善上述因素也是人们探究高亮度绿光LED的突破口。
发明内容
本实用新型目的是提出可克服以上现有缺陷的具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构。
本实用新型包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN和InGaN 电流隧穿层，其特征在于所述P型GaN由低温P型GaN空穴注入层、P型Al(In)GaN 电子阻挡层和P型GaN空穴活化层组成，所述低温P型GaN空穴注入层生长在InGaN/GaN多量子阱有源层上，P型Al(In)GaN 电子阻挡层生长在低温P型GaN空穴注入层上，P型GaN空穴活化层生长在P型Al(In)GaN 电子阻挡层上。
本实用新型的特点是P型GaN包含三部分：低温P型GaN空穴注入层、P型Al(In)GaN 电子阻挡层和P型GaN空穴活化层，引入低温P型Ga空穴注入层起到有效降低P型AlGaN EBL和P型GaN生长过程对量子阱破坏作用，提高发光亮度。同时低温下P型GaN的空穴浓度高，可以提高空穴的注入效率。
采用上述P型GaN应用于InGaN绿光LED外延生长，具有提高绿光LED发光效率和抗静电特性的作用。采用以上结构的P型GaN应用于高亮度GaN基绿光LED生长，20mil*40mil的520nm的绿光芯片在120mA下COW的亮度达到75mW，封装后外量子效率达到31%，达到国内领先水平。同时20mil*40mil抗静电特性提高到8000V以上。
附图说明
图1为本实用新型的一种结构示意图。
图2为采用本发肯应用于InGaN绿光LED 20mil*40mil尺寸芯片ESD通过率曲线图。
具体实施方式
图1中，1为蓝宝石衬底，2为GaN成核层，3为非掺杂GaN层，4为n型GaN层，5为InGaN/GaN多量子阱有源层，6(a)为低温P型GaN空穴注入层，6(b)为P型Al(In)GaN 电子阻挡层，6(c)为P型GaN空穴活化层，7为InGaN 电流隧穿层。
从图1可见，在衬底1上依次生长有GaN成核层2、非掺杂GaN层3、n型GaN层4、InGaN/GaN多量子阱有源层5、P型GaN、低温P型GaN空穴注入层6(a)、P型Al(In)GaN 电子阻挡层6(b)、P型GaN空穴活化层6(c)和InGaN 电流隧穿层7。
从图2可见：具有低温p型GaN的LED的ESD测试在反向电压8000V的时候良率仍在100%，而无低温p型GaN的LED的ESD测试通过率随着反向电压的升高而不断降低。所以有低温p型GaN的LED的ESD特性相对于传统LED的得到了很大的改善。
Claims (1)
1.具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构，包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN和InGaN 电流隧穿层，其特征在于所述P型GaN由低温P型GaN空穴注入层、P型Al(In)GaN 电子阻挡层和P型GaN空穴活化层组成，所述低温P型GaN空穴注入层生长在InGaN/GaN多量子阱有源层上，P型Al(In)GaN 电子阻挡层生长在低温P型GaN空穴注入层上，P型GaN空穴活化层生长在P型Al(In)GaN 电子阻挡层上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320115652 CN203192831U (zh) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320115652 CN203192831U (zh) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203192831U true CN203192831U (zh) | 2013-09-11 |
Family
ID=49109665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201320115652 Expired - Lifetime CN203192831U (zh) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203192831U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103199169A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-07-10 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 |
| CN104009140A (zh) * | 2014-03-24 | 2014-08-27 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制作方法 |
| CN106384766A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-02-08 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种具有高发光效率的led外延片 |
-
2013
- 2013-03-13 CN CN 201320115652 patent/CN203192831U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103199169A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-07-10 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 |
| CN104009140A (zh) * | 2014-03-24 | 2014-08-27 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制作方法 |
| CN104009140B (zh) * | 2014-03-24 | 2016-08-17 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制作方法 |
| CN106384766A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-02-08 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种具有高发光效率的led外延片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103199169A (zh) | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 | |
| CN100568551C (zh) | 氮化物半导体发光器件及其制备方法 | |
| TWI548115B (zh) | 發光裝置 | |
| CN102185057B (zh) | 一种氮化物led结构及其制备方法 | |
| CN102157646A (zh) | 一种氮化物led结构及其制备方法 | |
| CN101714602A (zh) | 用于光电器件的多量子阱结构 | |
| CN205264741U (zh) | GaN基LED外延片 | |
| CN103594579B (zh) | 一种氮化物发光二极管的外延结构 | |
| CN103187501A (zh) | 一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构 | |
| CN209183567U (zh) | 具有双层布拉格反射层的深紫外led外延结构及器件 | |
| CN104600165A (zh) | 一种氮化物发光二极体结构 | |
| CN104009138A (zh) | 一种led外延结构 | |
| CN105405942A (zh) | Si衬底LED外延片及其制备方法 | |
| CN203339208U (zh) | 具有多重垒层led外延结构 | |
| CN203192831U (zh) | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 | |
| CN104253181A (zh) | 一种具有多重垒层led外延结构 | |
| CN103178176A (zh) | 应用MQW生长的绿光GaN基LED外延结构 | |
| CN104319317A (zh) | 一种可有效提高p-GaN空穴注入层质量的外延生产方法 | |
| CN203850331U (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片 | |
| CN102437262B (zh) | 一种氮化物发光二极管结构 | |
| CN203192834U (zh) | 一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构 | |
| CN203850327U (zh) | 具有二维电子气结构电子发射层的GaN基LED外延片 | |
| CN103178173A (zh) | 高亮度GaN基绿光LED的MQW结构 | |
| CN111326626A (zh) | 一种能够改善空穴传输能力的半导体发光器件 | |
| CN203850328U (zh) | 一种GaN 基LED的PGaN外延结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130911 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |