CN203181366U

CN203181366U - 直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯

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Publication number: CN203181366U
Application number: CN2013202274365U
Authority: CN
Inventors: 阮树成
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2013-04-15
Filing date: 2013-04-15
Publication date: 2013-09-04
Anticipated expiration: 2023-04-15

Abstract

本实用新型涉及电光源照明技术领域，具体是直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯。自振荡芯片A推挽逆变器A′输出功率变压器T₁与自振荡芯片B推挽逆变器B′输出功率变压器T₂馈入相加耦合器TB₁，自振荡芯片C推挽逆变器C′输出功率变压器T₃与自振荡芯片D推挽逆变器D′输出功率变压器T₄馈入相加耦合器TB₂，相加耦合器TB₁与相加耦合器TB₂馈入相加耦合器TB₃功率合成、升压馈送灯管触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入四个自振荡芯片锁定相位稳定输出功率，避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降，调频信号发生器锯齿波信号接入四个自振荡芯片调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号接四个自振荡芯片的SD端保护功率管。适用于直流低压电源高压钠灯照明场合。

Description

直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯

技术领域

本实用新型涉及电光源照明技术领域，具体是一种直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯。

背景技术

现有技术电子镇流器通常用LC或RC振荡器作为高压钠灯电光源，产生的振荡频率受温度变化稳定性差影响功率不够稳定，导致光强下降，虽然这种电子镇流器，结构简便，成本低。要得到大功率照明势必增大器件电流，而振荡功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率变化，结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降，磁饱和电感量变小阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老化，轻则灯管发光不稳定亮度下降，重则烧坏器件缩短使用寿命。授权公告号CN202077254U功率合成拖动大功率高压钠灯。因非线性互调振荡电压相位不一致，功率不均衡。

发明内容

本实用新型的目的是提供直流低压电源供电，逆变振荡高稳频相位同步大功率照明的一种直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯。

本实用新型技术解决方案为：包括直流低压电源、高压钠灯管、基准晶振、分频器、自振荡芯片A、自振荡芯片B、自振荡芯片C、自振荡芯片D、推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′、相加耦合器TB₁、相加耦合器TB₂、相加耦合器TB₃、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、六个反相器及电阻、电容组成，由一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并接接地电容，同时，跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，由另一个反相器接入基准晶振信号，经分频器并接四个反相器，自振荡芯片内含振荡器、推挽逆变驱动电路、灯故障关闭控制器SD，输出分别经推挽逆变驱动电路连接均由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′，自振荡芯片A推挽逆变器A′输出功率变压器T₁与自振荡芯片B推挽逆变器B′输出功率变压器T₂馈入相加耦合器TB₁，自振荡芯片C推挽逆变器C′输出功率变压器T₃与自振荡芯片D推挽逆变器D′输出功率变压器T₄馈入相加耦合器TB₂，相加耦合器TB₁与相加耦合器TB₂馈入相加耦合器TB₃功率合成、升压馈送灯管触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器并接的四个反相器输出分别注入四个自振荡芯片C_T端锁定相位，调频信号发生器锯齿波信号接入四个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号接入四个自振荡芯片SD端，快速停振关断推挽逆变器功率MOS场效应管，直流低压电源低压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器电源端，直流低压电源高压接入四个自振荡芯片、四个推挽逆变器的电源端；

其中，调频信号发生器由时基芯片IC₄、电阻R₁₆、R₁₇、R₁₉和电容C₁₂多谐振荡，IC₄的DIS端由电阻R₁₈接场管Q₄栅极，电容C₁₅接Q₄源极电阻R₂₀自举正反馈，输出线性锯齿波信号接入自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁；

灯管触发电路由灯管一端经脉冲点火变压器T₅电感T5L₂、电容C₈接到相加耦合器TB₃电感TB3L₂，电容C₉接电感T5L₁与电阻R₁₃接点，并接地，双向触发二极管VD₁串接电感T5L₁接地，直流高压发生器由时基芯片IC₄多谐振荡方波输出接变压器T₆电感T6L₁，由电感T6L₂升压、二极管VD₂整流、电容C₁₆、电阻R₂₁滤波，由电阻R₂₂接电容C₈与T5L₂的接点，灯管另一端穿过灯异常检测电流互感磁环接地，电感LS₁接二极管VD₃检波、电容C₁₄电阻R₁₀滤波，由电阻R₈、R₉分压、经场管Q₃接自振荡芯片SD端，快速停振关断推挽逆变器功率MOS场效应管。

本实用新型产生积极效果：解决逆变振荡高稳频相位同步功率合成，达到单个自振荡芯片推挽逆变难以得到的大功率照明，避免器件温升高振荡频率变化功率失衡，提高灯具照明质量，稳定灯光延长使用寿命。

附图说明

图1本实用新型技术方案原理框图

图2基准晶振电路

图3自振荡推挽逆变电路

图4直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯电路

具体实施方式

参照图1、2、3、4(图3以自振荡芯片A推挽逆变器A′电路为例，其余电路相同)，本实用新型具体实施方式和实施例：包括直流低压电源11、高压钠灯管10、基准晶振13、分频器12、自振荡芯片A1、自振荡芯片B2、自振荡芯片C3、自振荡芯片D4、推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′、相加耦合器TB₁5、相加耦合器TB₂6、相加耦合器TB₃7、调频信号发生器8、灯管触发电路9、灯管异常电流检测器14，其中，基准晶振13由石英晶体谐振器、六个反相器及电阻、电容组成，由一个反相器IC_1-1输入与输出两端跨接偏置电阻R₁，并接接地电容C₁、C₂，同时，跨接串联微调电容C₀的石英晶体谐振器JT，由另一个反相器IC_1-2接入基准晶振13信号，经分频器12分频÷N并接四个反相器IC_1-3、IC_1-4、IC_1-5、IC_1-6，自振荡芯片IC₃IR2156内含振荡器、推挽逆变驱动电路、灯故障关闭控制器SD，输出分别经推挽逆变驱动电路连接均由两个大功率MOS场效应管Q₁、Q₂构成推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′，自振荡芯片A1推挽逆变器A′输出功率变压器T₁与自振荡芯片B2推挽逆变器B′输出功率变压器T₂馈入相加耦合器TB₁5，自振荡芯片C3推挽逆变器C′输出功率变压器T₃与自振荡芯片D4推挽逆变器D′输出功率变压器T₄馈入相加耦合器TB₂6，相加耦合器TB₁5与相加耦合器TB₂6馈入相加耦合器TB₃7功率合成、升压馈送灯管触发电路9灯管10启辉，基准晶振13信号经分频器12并接的四个反相器IC_1-3、IC_1-4、IC_1-5、IC_1-6输出f_0-1、f_0-2、f_0-3、f_0-4分别注入四个自振荡芯片A1、B2、C3、D4的C_T端锁定相位，调频信号发生器8锯齿波信号接入四个自振荡芯片A1、B2、C3、D4的RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器14信号接入四个自振荡芯片A1、B2、C3、D4的SD端，快速停振关断推挽逆变器功率MOS管，直流低压电源11低压LV接入基准晶振13、分频器12、调频信号发生器8电源端，直流低压电源11高压HV接入四个自振荡芯片A1、B2、C3、D4、四个推挽逆变器A′、B′、C′、D′的电源端。

IC₃引脚符号功能：V_CC电源端，C_T接振荡器定时电容C₄，R_T接振荡器定时电阻R₂，HO驱动Q₁，LO驱动Q₂，CS电流检测，SD灯故障保护控制关闭振荡，COM接地。IC₄引脚符号功能：V_CC电源端，TL低电平触发，TH高电平触发，V_MR复位，Vc电压控制，D_IS放电端，V₀输出端，GND接地。

电阻R₇降压，电容C₇滤波供给自振荡芯片电源端V_CC产生振荡，经HO、LO驱动推挽逆变器，大功率MOS管Q₁、Q₂轮流导通、截止半周，变压器T₁中点经电流源电感LF₁电容C₆退耦滤波接直流低压电源+V。由变压器T₁输出功率经二阶相加耦合器功率合成馈入灯负载。

相加耦合器TB₁、TB₂分别将两个推挽输出功率叠加，相加耦合器TB₃将四个推挽输出功率二阶叠加总和送到灯负载，四推挽逆变器输入电压、频率、相位及负载相同，均衡电阻R₁₀、R₁₁、R₁₂无功耗。当某个逆变器发生故障没有功率输出，对应电路均衡电阻吸收配对逆变器功率，整灯功率虽降低但仍能保持照明，提高可靠性。

功率合成拖动大功率灯具，扩容灵活、可靠，但是，要求自振荡芯片振荡电压相位一致，以消除非线性互调功率不均衡，获取稳定的输出功率。为此，引入注入锁相解决功率合成相位同步技术。注入锁相不用压控调谐、鉴相器、环路滤波器，电路结构简单，性能优越，附加成本低。注入锁相本质上与环路锁相没差别，适于功率合成大功率灯具稳定振荡频率相位同步，稳定输出功率避免器件温升过高功率失衡，稳定灯光延长使用寿命。

基准晶振石英谐振器品质因数高，频率受温度变化极小，高度稳定作基准精确。基准信号经分频注入自振荡芯片C_T端锁定相位。未注入基准信号自振荡芯片RC振荡器产生自由振荡频率，注入基准信号RC振荡电压与其矢量合成，通过自振荡芯片非线性变频锁定相位，振荡信号与注入基准信号仅有一个固定的相位差。同步带宽与注入功率正比，与RC振荡器有载Q值反比，由于基准信号注入RC振荡器的输入端，增益高，小功率锁定。

由于注入基准频率是锁定振荡频率的整数倍，或振荡频率是基准频率的整数倍，基准信号分频注入选配较高频率的高稳频特性石英谐振器，易锁定数十至数百千赫LC或RC振荡器。分频器IC₂二进制或十进制计数分频。

灯管触发电路由高频电压经电容C₈、电阻R₁₃与直流高压经电阻R₂₂对电容C₉充电，当电压充至双向触发二极管VD₁导通，电流经脉冲点火变压器T₅电感T5L₁，电感T5L₂感生高压脉冲，触发高压钠灯管G气体导通启辉。灯管启辉后，VD₁不再产生触发脉冲。

调频信号发生器，时基芯片IC₄多谐振荡产生低频锯齿波信号，由场管Q₄、电容C₁₅自举正反馈，电容C₁₂充电，电阻R₁₆压降不变使充电速率不变，保障波形线性，频率调制自振荡芯片RC振荡器，线性锯齿波围绕基准晶振注锁中心频率周期变化，消除灯管电弧驻波声共振点，抑制闪烁稳定灯光。直流高压发生器与调频信号发生器由一个时基芯片产生振荡升压、整流及滤波，一举两得。

灯异常检测由灯电流互感磁环电感LS₁电压二极管VD₃检波、电容C₁₀、电阻R₁₄滤波，经SD’电阻R₈、R₉分压，场管Q₃触发自振荡芯片SD端，当触发电压高电平信号时，迅速停振快速关断推挽逆变器功率管，以免受损。灯异常功率管大电流电阻R₆压降经电阻R₄、电容C₅开启自振荡芯片电流检测CS端双重保护逆变功率管。

实施例直流低压电源36V，四推挽逆变电流6A，驱动两支100W高压钠灯G，效率83％，逆变电流允许值内，长时间照明灯光稳定，启辉自如。

Claims

1.一种直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯，包括直流低压电源、高压钠灯管，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、自振荡芯片A、自振荡芯片B、自振荡芯片C、自振荡芯片D、推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′、相加耦合器TB₁、相加耦合器TB₂、相加耦合器TB₃、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、六个反相器及电阻、电容组成，由一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并接接地电容，同时，跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，由另一个反相器接入基准晶振信号，经分频器并接四个反相器，自振荡芯片内含振荡器、推挽逆变驱动电路、灯故障关闭控制器SD，输出分别经推挽逆变驱动电路连接均由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′，自振荡芯片A推挽逆变器A′输出功率变压器T₁与自振荡芯片B推挽逆变器B′输出功率变压器T₂馈入相加耦合器TB₁，自振荡芯片C推挽逆变器C′输出功率变压器T₃与自振荡芯片D推挽逆变器D′输出功率变压器T₄馈入相加耦合器TB₂，相加耦合器TB₁与相加耦合器TB₂馈入相加耦合器TB₃功率合成、升压馈送灯管触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器并接的四个反相器输出分别注入四个自振荡芯片C_T端锁定相位，调频信号发生器锯齿波信号接入四个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号接入四个自振荡芯片SD端，快速停振关闭推挽逆变器功率MOS场效应管，直流低压电源低压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器电源端，直流低压电源高压接入四个自振荡芯片、四个推挽逆变器的电源端。

2.根据权利要求1所述的直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯，其特征在于：调频信号发生器由时基芯片IC₄、电阻R₁₆、R₁₇、R₁₉和电容C₁₂多谐振荡，IC₄的DIS端由电阻R₁₈接场管Q₄栅极，电容C₁₅接Q₄源极电阻R₂₀自举正反馈，输出线性锯齿波信号接入自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁。

3.根据权利要求1所述的直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯，其特征在于：灯管触发电路由灯管一端经脉冲点火变压器T₅电感T5L₂、电容C₈接到相加耦合器TB₃电感TB3L₂，电容C₉接电感T5L₁与电阻R₁₃接点，并接地，双向触发二极管VD₁串接电感T5L₁接地，直流高压发生器由时基芯片IC₄多谐振荡方波输出接变压器T₆电感T6L₁，由电感T6L₂升压、二极管VD₂整流、电容C₁₆、电阻R₂₁滤波，由电阻R₂₂接电容C₈与T5L₂的接点，灯管另一端穿过灯异常检测电流互感磁环接地，电感LS₁接二极管VD₃检波、电容C₁₄电阻R₁₀滤波，由电阻R₈、R₉分压、经场管Q₃接自振荡芯片SD端，快速停振关断推挽逆变器功率MOS场效应管。