CN203134986U - 多频阵列天线 - Google Patents

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刘培涛
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Abstract

本实用新型公开一种多频阵列天线,其包括金属反射板、设置在金属反射板上的工作于第一频段范围的低频辐射列元和工作于第二频段范围的高频辐射列元,低频辐射列元包括在第一参考轴的轴向上以相等的第一间距排列的若干低频辐射单元,高频辐射列元包括在第一参考轴的轴向上以相等的第二间距排列的若干高频辐射单元,所述第一间距为所述第二间距的2.5倍,且其中至少有一个所述的低频辐射单元与位置上相对应的一个所述的高频辐射单元相嵌套,另有至少一个所述的低频辐射单元在轴向上位于与该低频辐射单元相邻近的两个相邻高频辐射单元之间。本实用新型实现了低频辐射列元与高频辐射列元的辐射单元间距的最佳设置,从而实现各频段的电气性能最优化。

Description

多频阵列天线
【技术领域】
本实用新型涉及移动通信领域,尤其涉及一种适用于2G、3G、4G频段范围的多频阵列天线。 
【背景技术】
目前,移动通信发展日新月异,特别是近两年4G LTE移动通信系统发展的如火如荼,与此同时移动通信运营商也加大了对2G、3G网络的优化力度,以最大化满足人们对通信系统容量和速率要求,可以讲2G、3G、4G移动通信网络将会长期共存下去。鉴于人们对电磁辐射越来越关注,因此运营商对新站点的选址建设往往遭遇站点附件居民的关注和抵制,而国内外运营商对站点的扩容、改建尤为迫切,因此对能够兼容2G、3G、4G网络频段的宽频带天线需求更为迫切。常规的2G/3G双频共用天线,低频频段820-960MHz与高频频段1710-2170MHz,低频段的中心频点波长为337mm,而高频段的中心频点波长仅为154.6mm,两者比值为2.17倍,因此现有技术通常以低频辐射单元间距是高频辐射单元间距的2倍设置为最优。 
现有技术之一:1984年公开的申请人为GTE Products Corporation的美国US4434425号专利公告中给出了一种辐射单元,并提出了一种将高频辐射单元嵌套于低频辐射单元的方案如图1。进一步,2001年德国kathrein公司申请的一份美国专利US6333720B1,专利公告给出了如图2所示的移动通信多频共用基站天线。2007年申请人为京信通信系统(中国)有限公司的中国专利公开号CN101425626A也给出了一种同轴嵌套高低频组阵的阵列天线如图3。以上已公开的专利容易实现一种宽带、窄截面2G/3G同轴排布的多频共用基站天线,实现原理是基于低频辐射单元工作频段中心频点近似高频工作频段中心频点2倍关系,一般采用低频辐射单元嵌套高频辐射单元方式,同时在两个低频辐射单元之间设置一个高频辐射单元,最终,相邻两个低频辐射单元之间间距为相邻两个高频振子之间间距的2倍。 
由于现有移动通信系统所需的为宽频双频双极化阵列天线,其低频段与高频段中心频点对应波长比值已达到超过2倍频关系。例如:2G/3G/4G移动通信系统其工作频段为:低频频段790-960MHz、高频频段1700-2700MHz,则其低频段的中心频点波长为342mm,而高频段的中心频点波长仅为136.36mm,两者比值已达到2.5倍。特别是随着高频端带宽的急剧增加(带宽约为45%),最高频点2700MHz已是低频端790MHz的3.4倍之多,因此原方案中低频辐射单元间距是高频单元间距2倍的关系已无法实现高低频阵列天线的最优辐射性能。 
现有技术之二:为解决以上双宽频带天线组阵问题,请参阅图4,公开号为CN102299398A的专利申请中,其权利要求1“一种双频双极化天线,包括反射板,以及设于反射板同侧的、分别由两个或两个以上高频振子及低频振子组成的高频振子阵列及低频振子阵列,高频振子及低频振子沿反射板轴向共轴设置,其特征在于,相邻的低频振子之间设置有两个高频振子,且每个低频振子中嵌套有一个高频振子”;另外,权利要求5“相邻两高频振子之间间距取值为10Gmm,相邻两个低频振子之间间距取值为318mm”。由权利要求1结合图1及图2可知,低频振子间距为高频振子间距的3倍,而如以上所分析一样,现有移动通信频段:高频段中心频点波长是低频段的2.5倍,显然这样的组阵设置也仅仅是改善而已,并不能够从根本上解决现有双宽频带天线组阵问题。另外,结合权利要求5可知当高频振子间距设置为10Gmm时,低频振子间距为318mm,低频单元间距约为960MHz频点波长312.5mm的1.02倍,根据阵列天线理论,很显然超过一倍波长的低频辐射单元间距对于低频阵列性能存在着严重影响,特别是在960MHz频点的垂直面电下倾过程中不可避免出现高电平的栅瓣,导致其辐射性能指标下降。 
【实用新型内容】
本实用新型的目的就是要克服上述不足,提供一种多频阵列天线,寻求低频辐射单元相邻间距与高频辐射单元相邻间距之间的布局关系,以实现低频辐射单元与高频辐射单元的共轴组阵,以兼容当前2G、3G、4G移动通信网络信号的。 
本实用新型是通过如下技术方案实现的: 
本实用新型的多频阵列天线,其包括金属反射板、设置在金属反射板上的工作于第一频段范围的低频辐射列元和工作于第二频段范围的高频辐射列元,低频辐射列元包括在第一参考轴的轴向上以相等的第一间距排列的若干低频辐射单元,高频辐射列元包括在第一参考轴的轴向上以相等的第二间距排列的若干高频辐射单元,其中,所述第一间距为所述第二间距的2.5倍,且其中至少有一个所述的低频辐射单元与位置上相对应的一个所述的高频辐射单元相嵌套,另有至少一个所述的低频辐射单元在轴向上位于与该低频辐射单元相邻近的两个相邻高频辐射单元之间。 
较佳的,在所述第一参考轴的轴向上的位置为奇数或偶数的低频辐射单元各与位置上相对应的一个所述的高频辐射单元相嵌套,其余低频辐射单元散布于轴向上与该低频辐射单元相邻近的两个相邻高频辐射单元中间。 
较佳的,所述低频辐射单元与所述高频辐射单元均包括有用于辐射其所属频段范围的信号的辐射臂,在正投影到所述金属反射板的正投影面上,所有的低频辐射单元的辐射臂和高频辐射单元的辐射臂彼此之间无重合。 
本发明的一实施例中,所述第一低频辐射单元及嵌套于其中的高频辐射单元设置在参考轴一侧位置。另一实施例中,所述第二低频辐射单元设置在参考轴一侧位置。 
较佳的,所述彼此相嵌套的低频辐射单元和高频辐射单元,两者自身的辐射臂均呈中心对称关系,且在正投影到所述金属反射板的正投影面上,两者的对称中心重合。 
进一步,所述低频辐射列元包括具有不同辐射臂结构的两种低频辐射单元,其中第一低频辐射单元和第二低频辐射单元分别居于所述轴向的奇数和偶数位置上。所述第一低频辐射单元的辐射臂在正投影到所述金属反射板的正投影面上呈包括矩形、圆形在内的任意一种环状。所述第二低频辐射单元的辐射臂在正投影到所述金属反射板的正投影面上呈具有正交关系的交叉状。 
较佳的,所述低频辐射列元的第一间距占第一频段范围的中心频点所对 应的波长的0.6-1.0倍,优选为0.8倍。同理,所述高频辐射列元的第二间距占第二频段范围的中心频点所对应的波长的0.6-1.0倍,优选为0.8倍。 
较佳的,所述低频辐射列元所工作的第一频段范围为790-960MHz;所述高频辐射列元的第二频段范围为1700-2700MHz。所述第一间距取值范围为262.5-287.5mm,所述第二间距取值范围为105-115mm。 
较佳的,所述低频辐射单元与高频辐射单元全部设置在所述第一参考轴上。 
根据本实用新型的一实施例所揭示,在轴向上设置于相邻两个高频辐射单元之间的至少一个低频辐射单元,其固定在第二参考轴上,而与其相邻的两个高频辐射单元则固定于第三参考轴上,第二参考轴与第三参考轴关于第一参考轴对称且相平行。根据本实用新型另一实施例所揭示,在前述基础上,另一个在轴向上设置于相邻两个高频辐射单元之间的低频辐射单元,其固定在第三参考轴上,而与其相邻的两个高频辐射单元则固定于第二参考轴上。 
与现有技术相比,本实用新型的技术效果是难以预料的: 
首先,本实用新型中,低频辐射单元之间的第一间距和高频辐射单元之间的第二间距,通过将第一间距约束为第二间距的2.5倍,得到一个最佳设置方案,将低频辐射列元与高频辐射列元基本设置在同一第一参考轴上,使各频段范围内的信号的电气性能最优化,从而能够同时兼容2G、3G、4G三个工作频段范围的移动通信系统,使时下GSM、CDMA、LTE等移动通信系统均可通过一副多频阵列天线进行信号收发,解决了困扰本领域技术人员多年来未解决的困惑。 
其次,通过定义低频辐射列元采用两种结构不同的低频辐射单元,可以有效地避开其辐射臂在正投影到金属反射板而形成的正投影面上的重合现象,从而最大程度降低低频辐射列元与高频辐射列元之间的信号干扰,确保以上两种间距之间的倍数关系更为可靠。 
再者,通过约束第一间距和第二间距占其所属的频段范围的倍数为0.6-1.0倍,优选0.8倍,进一步优化整个组阵效果,使得本实用新型的多频阵列天线的电气性能达到最优。 
【附图说明】
图1为美国US4434425号专利公告给出的一种辐射单元的结构示意图; 
图2为美国US6333720B1号专利公告给出的一种辐射单元的结构示意图; 
图3为中国N101425626A号专利公告给出的一种双频双极化阵列天线示意图; 
图4为中国CN102299398A号专利公告给出的一种双频双极化天线示意图; 
图5为本实用新型第一实施例的多频阵列天线的组阵示意图,其低频辐射单元和高频辐射单元均设置在同一参考轴上; 
图6、图7分别为本实用新型第二实施例和第三实施例的多频阵列天线的组阵示意图,其低频辐射单元和高频辐射单元设置在多条参考轴上,其中图7为图6基础上的替代方案; 
图8为本实用新型第三实施例的多频阵列天线的组阵示意图,其采用统一形状的低频辐射单元; 
图9为本实用新型第四实施例的多频阵列天线的组阵示意图,其在图5所揭示的实施例的基础上增扩高频辐射列元使天线工作于三个频段范围; 
图10为本实用新型第五实施例的多频阵列天线的组阵示意图,其在图5所揭示的实施例的基础上增扩高频辐射列元和低频辐射列元使天线工作于四个频段范围; 
图11为本实用新型第六实施例的多频阵列天线的组阵示意图,其通过更灵活的增扩高频辐射列元和低频辐射列元使天线工作于五个频段范围。 
【具体实施方式】
下面结合附图,对本实用新型实施例进行详细说明。 
移动通信天线中,辐射列元(包括低频辐射列元和高频辐射列元)用于辐射通信信号,通常由多个辐射单元以单列矩阵的方式布设在金属反射板上形成。对于高频信号,高频辐射列元由多个高频辐射单元在同一参考轴上轴向等间距排列组阵而成,为后续说明的便利,定义该间距为第二间距,相应的,低频辐射列元由多个低频辐射单元在同一参考轴上轴向等间距组阵而成, 同理定义该间距为第二间距。其中,辐射单元中用于完成信号发射和接收的部件为其辐射臂,辐射臂通常居于辐射单元的外围,有多种公知结构,但均是采用中心对称关系,即通常由两对对称振子以正交形式构成,每对对振振子即包括两个所述的辐射臂,常见辐射单元的辐射臂多构成包括矩形、圆形在内的环状,当然,也可包括其它多边形环状;也可以将辐射臂设计为近似于扁长状,同一对对称振子基本上呈一纵长状,由此使正交布置后的辐射单元呈现“十”字型,一般而言,不同对称振子之间,其辐射臂在物理上互不接触。辐射单元可以是平面印刷型的,也可以是具有三维结构的。本实用新型的各实施例的说明中将沿用这些基本概念。辐射列元装设在金属反射板上时,其正投影到反射板方向形成一正投影面,本实用新型的图5-图11均以该正投影面进行示意,以清楚揭示不同辐射列元之间的布局关系。 
本实用新型所揭示的所有实施例中,其低频辐射列元与高频辐射列元均工作于不同频段范围,这里的频辐射列元的“低频”表示相对于高频辐射列元中的“高频”频率低。优选的,低频辐射列元工作于790-960MHz频段范围,涵盖当前全球范围内的2G、3G移动通信频段,而高频辐射列元则工作于1700-2700MHz频段范围,涵盖当前全球范围内的4G如LTE制式的移动通信频段。 
请参阅图5,本实用新型第一实施例中的多频阵列天线,其沿金属反射板1上虚设的第一参考轴a同轴设置一低频辐射列元和一高频辐射列元,由此形成一副双频共用天线。 
高频辐射列元由12个高频辐射单元(4、5、6)依次沿第一参考轴a的轴向以第二间距等距排布构成,所有高频辐射单元均设置在第一参考轴a上,按照自左至右的位置次序设置,为说明的便利,位置上相邻的高频辐射单元4、6、5之间的第二间距定义为d。 
低频辐射列元由5个低频辐射单元(2、3)依次沿第一参考轴a的轴向以第一间距等距排布构成,所有低频辐射单元均设置在第一参考轴a上,按照自左至右的位置次序设置,其中前述第二间距d的既定,轴向上相邻的两个低频辐射单元2、3的第一间距被约束为2.5d。 
为了实现上述第一间距与第二间距之间的倍数关系,其中按照自左至右 的顺序,位置为奇数的低频辐射单元2和因倍数关系而呈现出在位置上相对应的一个高频辐射单元4相嵌套,例如,轴向上的第一、三、五个低频辐射单元分别与轴向上的第一、六、十一个高频辐射单元相嵌套。这种嵌套关系的实现,不考虑物理误差,是指在所述正投影面上,所述低频辐射单元2的辐射臂的对称中心与所述高频辐射单元4的辐射臂的对称中心相重合。而位置为偶数的低频辐射单元3,因倍数关系而在轴向上居于两个相邻的高频辐射单元5之间,不考虑物理误差,理论上是位于两个相邻的高频辐射单元5的正中间,例如,轴向上的第二、四个低频辐射单元正好分别位于轴向上的第三和第四、第八和第九个高频辐射单元5的正中间。这样,按照这种倍数关系计算,位置为偶数的低频辐射单元3到在轴向上与该低频辐射单元3位置相邻的任意一个辐射单元5之间的距离即为0.5d。 
为了避免低频辐射单元与高频辐射单元之间相互干扰信号,定义位置上为奇数的各低频辐射单元为第一低频辐射单元2,定义位置上为偶数的各低频辐射单元为第二低频辐射单元3,本实施例中,第一低频辐射单元2和第二低频辐射单元3分别具有不同的的结构形式,具体是表现在其辐射臂的形式不同。对于所居位置为奇数的第一低频辐射单元2而言,由于与高频辐射单元4相嵌套,在所述正投影面上,高频辐射单元4的辐射臂的径向尺寸一般小于低频辐射单元2的辐射臂的径向尺寸,因而,第一低频辐射单元2的辐射臂得以采用一环状结构,这样,在所述正投影面上,高频辐射单元4的辐射臂与第一低频辐射单元2的辐射臂不存在重合关系,也就避免或减少了信号的互相干扰。而对于所居位置为偶数的第二低频辐射单元3而言,如果仍采用与第一低频辐射单元2相同的辐射臂结构形式,则环状的辐射臂将容易横跨与该第一低频辐射单元2相邻的两个高频辐射臂5上方,从而使两者的信号相互干扰。为此,对于第二低频辐射单元3,其辐射臂优选交叉状,也即前述所称的“十”字型的辐射臂结构形式,这样,以其纵长型的对称振子设计,即可避开在正投影面上与高频辐射单元5相重合的现象。以这种手段,可以确保低频辐射列元与高频辐射列元的信号彼此互不干扰,或者至少把干扰程度降至最低。 
本实用新型的所有实施例中,同于本实施例,适应低频辐射列元与高频辐射列元在前述所指定的工作频段范围,限定所述相邻低频辐射单元之间的 第一间距取值范围为262.5-287.5mm,限定所述相邻高频辐射单元之间的第二间距取值范围为105-115mm。或者,可采用如下方式确定所述第一间距和第二间距:所述低频辐射列元的第一间距占该列元所工作的频段范围的中心频点所对应的波长的0.6-1.0倍,优选为0.8倍;同理,所述高频辐射列元的第二间距占该列元所工作的频段范围的中心频点所对应的波长的0.6-1.0倍,同样优选为0.8倍。 
请参阅图6,本实用新型第二实施例的多频阵列天线同为一副双频共用天线,其与第一实施例同理包括低频辐射列元和高频辐射列元,所不同的是,部分低频辐射列元和部分相应的高频辐射列元偏离虚设的第一参考轴a设置,具体是指所述第二低频辐射单元3和与其在轴向上相邻两个高频辐射单元5不再如其它辐射单元居于第一参考轴a上,而是偏离该第一参考轴a设置,分别是:所述相邻两个高频辐射单元5固定设置在第一参考轴a一侧的虚设但未示出的第二参考轴上,所述第二低频辐射单元3固定设置在第一参考轴a另一侧的虚设但未示出的第三参考轴上,第二参考轴和第三参考轴均关于第一参考轴a对称,且与第一参考轴a相平行。改进此一结构,有助于第二低频辐射单元的辐射臂的结构形式的灵活选用而不必担心其与相邻两个辐射单元之间的信号干扰,另外不管选用何种结构形式的辐射臂,理论上也可进一步降低这种信号干扰。 
需要说明的是,之所以第二参考轴和第三参考轴虚设但未予以示出,仅仅是出于说明的必要,是为了避免增设的线条影响误读,以致在不同参考轴上的辐射单元被误解为多个辐射列元。以下同理。 
请参阅图7所揭示的第三实施例中的多频阵列天线,其相对于第二实施例进行改进,其改进之处在于:其中一个第二低频辐射单元3设置在虚设但未示出的第三参考轴上,与其在轴向上相邻的两个高频辐射单元同理仍居于虚设但未示出的第二参考轴上,但是,另外一个第二低频辐射单元3则设置在虚设但未示出的第二参考轴上,适应这一变化,与该第二低频辐射单元3在轴向上相邻的两个高频辐射单元5则被移置到所述第三参考轴上。本实施例与第二实施例基本等效,为可相互替换的方案。 
图8进一步揭示本实用新型的第四实施例的多频阵列天线的组阵方案,其基于第一实施例进行变形,唯一变形之处在于其中低频辐射列元所采用的低频辐射单元均为前述所述的第二低频辐射单元,即其辐射臂的结构形式采用“十”字型的交叉状。统一低频辐射单元结构形式有助于生产过程中的标准化执行,可以更为便利地进行组装,从而提高生产效率。 
请参阅图9、图10以及图11分别揭示第五、六、七实施例的多频阵列天线,分别揭示多频阵列天线应用于三、四、五个频段的实现形式。其中,图9示出的三频共用天线,是在第一实施例的组阵方案的基础上,通过在金属反射板上虚设与第一参考轴a1相平行的另一参考轴a2,并在该参考轴a2上排布另一高频辐射列元用于处理第三频段范围信号而实现的;图10示出的四频共用天线,则是在金属反射板上采用两条虚设的参考轴a1、a2,并在两条参考轴a1、a2上分别设置工作于不同频段的同于第一实施例的双频共用天线结构形式而实现的;图11示出的五频共用天线,则是在金属反射板上虚设三条参考轴a1、a2、a3,其中参考轴a1仅排布一高频辐射列元,而关于参考a1对称设置的其它两条参考轴a2、a3上,则均采用与第四实施例完全相同的组阵结构实现。通过图9至图11的实施例可以看出,本实用新型的多频阵列天线可以通过灵活增设多个低频辐射列元和/或高频辐射列元,分配以相同或不同的工作频段范围,而实现两个或两个以上频段共同的天线。 
以上各实施例高频辐射单元间距沿第一参考轴a的轴向所设置的第二间距d,亦可根据具体实施情况进行微调,排布为近似等间距情况,低频辐射单元间距沿第一参考轴a的轴向所设置的第一间距2.5d,同理亦可根据具体实施情况进行微调,排布为近似等间距情况,本领域技术人员均知晓此种变通,因而,任何通过微调第一间距和第二间距的大小而达到与本实用新型相同或相近技术效果的方案,均应视为不脱离本实用新型的精神实质。 
需要指出的是,本实用新型对于高频辐射单元间距不是等间距情况时,低频辐射单元在轴向上的间距不是严格意义的2.5倍,而变成是一种等效的相对位置近似2.5倍,即非嵌套高频的低频辐射单元物理中心位于位置上相应的两个高频辐射单元之间。本领域技术人员应当知晓,依据其对天线技术 的了解,这样的变换属于本实用新型的等同替换方案,同样不脱离本实用新型的精神实质。 
本实用新型的各实施例均达到意想不到的效果,而能实现对2G、3G、4G信号的兼容。根据现有的移动通信系统2G/3G/LTE,低频辐射列元的工作频段范围可为790-960MHz,高频辐射列元的工作频段范围可为1700-2700MHz,据此计算,高频辐射列元与低频辐射列元的中心频点分别为:f1=2200MHz、f2=875MHz,可见正好满足f1/f2≈2.5倍关系。 
综上所述,本实用新型的多频阵列天线最佳地满足了时下超宽频共用天线的组阵需要,大大提升了天线的电气性能,同时也实现了天线的整体小型化。 
需要指出的是,以上实施例仅用于说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案;因此,尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明,但是,本领域的普通技术人员应当理解,仍然可以对本实用新型进行修改或者等同替换;而一切不脱离本实用新型的精神和范围的技术方案及其改进,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。 

Claims (18)

1.一种多频阵列天线,其包括金属反射板、设置在金属反射板上的工作于第一频段范围的低频辐射列元和工作于第二频段范围的高频辐射列元,低频辐射列元包括在第一参考轴的轴向上以相等的第一间距排列的若干低频辐射单元,高频辐射列元包括在第一参考轴的轴向上以相等的第二间距排列的若干高频辐射单元,其特征在于:所述第一间距为所述第二间距的2.5倍,且其中至少有一个所述的低频辐射单元与位置上相对应的一个所述的高频辐射单元相嵌套,另有至少一个所述的低频辐射单元在轴向上位于与该低频辐射单元相邻近的两个相邻高频辐射单元之间。
2.根据权利要求1所述的多频阵列天线,其特征在于:在所述第一参考轴的轴向上的位置为奇数或偶数的低频辐射单元各与位置上相对应的一个所述的高频辐射单元相嵌套,其余低频辐射单元散布于轴向上与该低频辐射单元相邻近的两个相邻高频辐射单元中间。
3.根据权利要求1所述的多频阵列天线,其特征在于:所述低频辐射单元与所述高频辐射单元均包括有用于辐射其所属频段范围的信号的辐射臂,在正投影到所述金属反射板的正投影面上,所有的低频辐射单元的辐射臂和高频辐射单元的辐射臂彼此之间无重合。
4.根据权利要求1所述的多频阵列天线,其特征在于:所述彼此相嵌套的低频辐射单元和高频辐射单元,两者中自身的辐射臂均呈中心对称关系,且在正投影到所述金属反射板的正投影面上,两者的对称中心重合。
5.根据权利要求1所述的多频阵列天线,其特征在于:所述低频辐射列元包括具有不同辐射臂结构的第一低频辐射单元和第二低频辐射单元,其中第一低频辐射单元和第二低频辐射单元分别居于所述轴向的奇数和偶数位置上。
6.根据权利要求5所述的多频阵列天线,其特征在于:所述第一低频辐射单元的辐射臂在正投影到所述金属反射板的正投影面上呈包括矩形、圆形在内的任意一种环状。
7.根据权利要求5所述的多频阵列天线,其特征在于:所述第二低频辐射单元的辐射臂在正投影到所述金属反射板的正投影面上呈具有正交关系的交叉状。
8.根据权利要求5所述的多频阵列天线,其特征在于:所述第一低频辐射单元及嵌套于其中的高频辐射单元设置在参考轴一侧位置。
9.根据权利要求5所述的多频阵列天线,其特征在于:所述第二低频辐射单元设置在参考轴一侧位置。
10.根据权利要求1所述的多频阵列天线,其特征在于:所述低频辐射列元的第一间距为第一频段范围的中心频点所对应的波长的0.6-1.0倍。
11.根据权利要求10所述的多频阵列天线,其特征在于,所述低频辐射列元的第一间距为第一频段范围的中心频点所对应的波长的0.8倍。
12.根据权利要求1所述的多频阵列天线,其特征在于:所述高频辐射列元的第二间距为第二频段范围的中心频点所对应的波长的0.6-1.0倍。
13.根据权利要求12所述的多频阵列天线,其特征在于,所述高频辐射列元的第二间距为第二频段范围的中心频点所对应的波长的0.8倍。
14.根据权利要求1至13中任意一项所述的多频阵列天线,其特征在于:所述低频辐射列元所工作的第一频段范围为790-960MHz;所述高频辐射列元的第二频段范围为1700-2700MHz。
15.根据权利要求1至13中任意一项所述的多频阵列天线,其特征在于:所述第一间距取值范围为262.5-287.5mm,所述第二间距取值范围为105-115mm,均包含端值。
16.根据权利要求1至13中任意一项所述的多频阵列天线,其特征在于:所述低频辐射单元与高频辐射单元全部设置在所述第一参考轴上。
17.根据权利要求1至13中任意一项所述的多频阵列天线,其特征在于:在轴向上设置于相邻两个高频辐射单元之间的至少一个低频辐射单元,其固定在第二参考轴上,而与其相邻的两个高频辐射单元则固定于第三参考轴上,第二参考轴与第三参考轴关于第一参考轴对称且相平行。
18.根据权利要求17所述的多频阵列天线,其特征在于:另一个在轴向上设置于相邻两个高频辐射单元之间的低频辐射单元,其固定在第三参考轴上,而与其相邻的两个高频辐射单元则固定于第二参考轴上。
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